電子部件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子部件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]參照圖12?圖14對現(xiàn)有的電子部件的制造方法進行說明。圖12 (A)?(D)、圖13(A)?(D)以及圖14為對現(xiàn)有的電子部件的制造方法進行說明的剖視圖。
[0003]如圖12(A)所示，在半導(dǎo)體基板101上形成電極襯墊111，在包含該電極襯墊的111整個面上形成鈍化膜112。接著，在鈍化膜112上形成位于電極襯墊111上的開口部。
[0004]接下來，如圖12(B)所示，在具有電極襯墊111及鈍化膜112的半導(dǎo)體基板101的上方涂敷感光聚酰亞胺膜，并進行曝光及顯影。由此，在鈍化膜112上形成由聚酰亞胺膜組成的樹脂層113。
[0005]接下來，通過對該樹脂層113進行固化，從而如圖12(C)所示，在半導(dǎo)體基板101的上方形成樹脂突起(核心樹脂)102。
[0006]之后，如圖12(D)所示，通過濺射而在電極襯墊111、鈍化膜112及核心樹脂102上形成TiW層114 (或TiW層與Ti層的層壓膜)。接著，通過濺射而在TiW層114上形成Au層 115。
[0007]接下來，如圖13(A)所示，通過在Au層115上涂敷光刻膠膜并進行曝光以及顯影，從而在所述Au層上形成抗蝕圖形116。接著，如圖13(B)所示，將抗蝕圖形116作為掩膜對Au層115進行濕蝕刻。
[0008]接下來，如圖13(C)所示，將抗蝕圖形116剝離。接著，如圖13⑶所示，通過將Au層115作為掩膜來對TiW層114進行蝕刻，從而形成包括TiW層114及Au層115的配線層103。該配線層103與電極襯墊111電連接，且從核心樹脂102的上方經(jīng)過(例如，參照專利文獻I)。
[0009]接下來，如圖14所示，準(zhǔn)備安裝基板104，所述安裝基板104具有與從半導(dǎo)體基板101的核心樹脂102的上方經(jīng)過的配線層103相接合的電極(被接合電極106)。接著，以使核心樹脂102上的配線層103與被接合電極106對置的方式來進行半導(dǎo)體基板101與安裝基板104的對位。接著，通過向半導(dǎo)體基板101和安裝基板104施加載荷，從而使核心樹脂102上的配線層103接合于被接合電極106上。
[0010]由此，半導(dǎo)體基板101被安裝在安裝基板104上。
[0011]但是，存在半導(dǎo)體基板101及安裝基板104中的至少一方產(chǎn)生翹曲的情況。尤其是，如果半導(dǎo)體基板101及安裝基板104的厚度較薄，則更容易在半導(dǎo)體基板101及安裝基板104上產(chǎn)生翹曲。當(dāng)以這種方式產(chǎn)生翹曲時，由于核心樹脂102上的配線層103與被接合電極106之間的距離產(chǎn)生偏差，因此為了實現(xiàn)可靠性較高的接合而要求提高核心樹脂102的高度。
[0012]另一方面，在標(biāo)準(zhǔn)情況下，核心樹脂102以13?14 μ m的高度而被形成，在此以上的厚膜化以24?25 μ m為界限。其理由是，根據(jù)單層的核心樹脂102中所使用的聚酰亞胺的性能(粘度、分辨率)而決定了厚膜化的界限。
[0013]此外，通過對核心樹脂102進行厚膜化，從而在核心樹脂102與作為其基底膜的鈍化膜112上將產(chǎn)生高低差。由此，在形成從核心樹脂102的上方經(jīng)過的Au配線等的配線層103時，也需要對被覆在較厚的核心樹脂102的高低差上的光刻膠膜進行厚膜化，從而需要較高的覆蓋性。當(dāng)覆蓋性較差時，顯影后的抗蝕圖案的可靠性將會下降，其結(jié)果為，配線層103的可靠性將下降。由此，具有在核心樹脂102的高低差部分105處因安裝時的壓力(應(yīng)力)而使配線層103發(fā)生斷線的情況。
[0014]專利文獻1:日本特開2007-12678

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明的幾個方式涉及一種即使從樹脂突起的上方經(jīng)過的導(dǎo)電層與被接合電極間的距離產(chǎn)生偏差也能夠使所述導(dǎo)電層與所述被接合電極相接合的電子部件或其制造方法。
[0016]本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，所述電子部件包括:基板，其具有電極；第一樹脂層，其位于所述基板的上方；第二樹脂層，其至少一部分位于所述第一樹脂層上；樹脂突起，其包括所述第一樹脂層及所述第二樹脂層，并且與所述第一樹脂層相比高度較高；導(dǎo)電層，其與所述電極電連接，且從所述樹脂突起的上方經(jīng)過。
[0017]根據(jù)上述本發(fā)明的一個方式，通過包括位于基板的上方的第一樹脂層以及至少一部分位于所述第一樹脂層上的第二樹脂層，從而能夠提高樹脂突起的高度。因此，即使從樹脂突起的上方經(jīng)過的導(dǎo)電層與被接合電極之間的距離產(chǎn)生偏差也能夠使導(dǎo)電層與被接合電極接合。
[0018]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述本發(fā)明的一個方式中，所述電子部件包括第三樹脂層，其位于所述基板的上方，且位于與所述第一樹脂層相鄰的位置處，所述第二樹脂層的至少一部分位于所述第三樹脂層上，所述樹脂突起包括所述第三樹脂層，且與所述第三樹脂層相比高度較高。由此，能夠提高樹脂突起的高度。
[0019]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述本發(fā)明的一個方式中，所述第一樹脂層的寬度與所述第三樹脂層的寬度相同。由此，能夠通過一次光刻工序而對第一樹脂層及第三樹脂層進行加工。
[0020]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述的本發(fā)明的一個方式中，從位于所述導(dǎo)電層的下方的所述第一樹脂層的端部起至所述第三樹脂層的端部為止的長度，與位于所述導(dǎo)電層的下方的所述第二樹脂層的寬度相比而較大。由此，能夠?qū)⒂捎跇渲黄鸲a(chǎn)生的高低差形成為階梯狀。因此，能夠改良光刻工序中的光刻膠膜的覆蓋性。
[0021]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述本發(fā)明的一個方式中，具有絕緣層，所述絕緣層分別位于所述基板與所述第一樹脂層之間以及所述基板與所述第三樹脂層之間，且分別與所述第一樹脂層及所述第三樹脂層相接，位于所述第一樹脂層與所述第三樹脂層之間的所述第二樹脂層的一部分與所述絕緣層相接。
[0022]根據(jù)上述本發(fā)明的一個方式，由于第二樹脂層的一部分與絕緣層相接，因此與第一樹脂層及第三樹脂層與絕緣層相接、而第二樹脂層與絕緣層不相接的情況相比，能夠提高樹脂突起與絕緣層的緊貼性。
[0023]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述本發(fā)明的一個方式中，以所述第一樹脂層的最高部為基準(zhǔn)的所述第二樹脂層的高度與所述第一樹脂層的高度相比而較高。由此，在對從樹脂突起的上方經(jīng)過的導(dǎo)電層與被接合電極進行接合時能夠進一步發(fā)揮第二樹脂層的緩沖性。
[0024]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述本發(fā)明的一個方式中，所述基板具有多個所述電極，從所述樹脂突起的上方經(jīng)過的所述導(dǎo)電層為多個，所述多個導(dǎo)電層分別與所述多個電極電連接。
[0025]根據(jù)上述本發(fā)明的一個方式，由于提高樹脂突起的高度，因此即使從樹脂突起的上方經(jīng)過的多個導(dǎo)電層各自與多個被接合電極的距離產(chǎn)生偏差，也能夠使導(dǎo)電層與被接合電極可靠性良好地接合。
[0026]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述本發(fā)明的一個方式中，所述基板為半導(dǎo)體基板。
[0027]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件，即，在上述本發(fā)明一個方式中，所述樹脂突起上的所述導(dǎo)電層被接合在安裝基板的電極上。
[0028]本發(fā)明的一個方式為如下電子部件的制造方法，所述制造方法包括:在具有電極的基板的上方形成第一樹脂層的工序；對所述第一樹脂層進行固化的工序；在所述第一樹脂層上形成所述第二樹脂層的至少一部分的工序；通過對所述第二樹脂層進行固化，從而形成包括所述第一樹脂層及所述第二樹脂層在內(nèi)、且與所述第一樹脂層相比高度較高的樹脂突起的工序；形成與所述電極電連接、且從所述樹脂突起的上方經(jīng)過的導(dǎo)電層的工序。
[0029]根據(jù)上述本發(fā)明的一個方式，由于形成有包括第一樹脂層及第二樹脂層、且與所述第一樹脂層相比高度較高的樹脂突起，因此即使從樹脂突起的上方經(jīng)過的導(dǎo)電層與被接合電極之間的距離產(chǎn)生偏差也能夠使導(dǎo)電層與被接合電極接合。
[0030]此外，本發(fā)明的一個方式為如下電子部件的制造方法，即，所述電子部件的制造方法包括:在具有電極的基板的上方形成第一樹脂層以及位于與該第一樹脂層相鄰的位置處的第三樹脂層的工序；對所述第一樹脂層及所述第三樹脂層進行固化的工序；在所述第一樹脂層及所述第三樹脂層上形成第二樹脂層的至少一部分的工序；通過對所述第二樹脂層進行固化，從而形成包括所述第一樹脂層、所述第二樹脂層以及所述第三樹脂層在內(nèi)、且分別與所述第一樹脂層及所述第三樹脂層相比高度較高的樹脂突起的工序；形成與所述電極電連接、且從所述樹脂突起的上方經(jīng)過的導(dǎo)電層的工序。
[0031]根據(jù)上述本發(fā)明的一個方式，形成包括第一