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二次電池及二次電池的制造方法

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二次電池及二次電池的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及物體、方法或制造方法。另外,本發(fā)明涉及工序(process)、機(jī)器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或組合物(composit1n of matter)。尤其是,本發(fā)明的一個(gè)方式涉及半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、攝像裝置、它們的驅(qū)動(dòng)方法及制造方法。尤其是,本發(fā)明的一個(gè)方式涉及二次電池用負(fù)極及二次電池。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái),隨著以智能手機(jī)或平板終端為代表的便攜式信息終端、如筆記本電腦或便攜式游戲機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的發(fā)展,對(duì)它們內(nèi)置的小型、輕量、高能量密度電池的研究開發(fā)成為當(dāng)務(wù)之急,已在開發(fā)其一部分。
[0003]為了提高二次電池的能量密度,重要的是提高負(fù)極的容量密度。但是,廣泛被用作鋰離子二次電池的負(fù)極活性物質(zhì)的石墨的理論容量密度為372mAh/g,已達(dá)到與理論容量接近的360mAh/g以上的容量密度。
[0004]為了進(jìn)一步提高二次電池的能量密度,已在研發(fā)其理論容量密度更高的負(fù)極活性物質(zhì),與鋰成為合金的硅(Si)、錫(Sn)、鍺(Ge)、鎵(Ga)、它們的氧化物及合金等引人矚目。
[0005]例如,專利文獻(xiàn)I及專利文獻(xiàn)2公開了將包含硅的材料用于負(fù)極活性物質(zhì)的二次電池。
[0006][專利文獻(xiàn)I]國(guó)際專利申請(qǐng)公開W02007/074654號(hào)公報(bào)
[0007][專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)公開2012-38528號(hào)公報(bào)
[0008]但是,上述與鋰成為合金的材料、它們的氧化物及合金等具有伴隨充放電產(chǎn)生的體積變化大的特征。例如,硅因與鋰成為合金而膨脹,使得其體積增加了大約三倍。
[0009]由此,發(fā)生如下問(wèn)題:負(fù)極活性物質(zhì)因反復(fù)膨脹及收縮而成為微粉并從集電體剝落;負(fù)極活性物質(zhì)膨脹,使得負(fù)極集電體伸長(zhǎng),由此在負(fù)極集電體中發(fā)生起皺等。當(dāng)負(fù)極活性物質(zhì)剝落時(shí),二次電池的容量下降。另外,當(dāng)在負(fù)極集電體中發(fā)生起皺時(shí),包括外包裝體的二次電池的體積變大,使得二次電池的能量密度下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]鑒于上述問(wèn)題,本發(fā)明的一個(gè)方式的目的是提供一種新穎的二次電池用負(fù)極及二次電池。具體而言,提供一種能夠吸收由于負(fù)極活性物質(zhì)成為合金導(dǎo)致的膨脹的負(fù)極及使用該負(fù)極的二次電池。
[0011]另外,本發(fā)明的一個(gè)方式的目的是提供一種新穎的蓄電裝置、新穎的負(fù)極以及安裝有使用該負(fù)極的二次電池的電子設(shè)備等。注意,這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。另外,本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有上述目的。另外,從說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求書等的記載中可自然得知上述目的以外的目的,并可以從說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求書等的記載中提出上述目的以外的目的。
[0012]為了達(dá)到上述目的,在本發(fā)明的一個(gè)方式中,在負(fù)極活性物質(zhì)層及負(fù)極集電體中設(shè)置多個(gè)凹凸。通過(guò)利用設(shè)置在負(fù)極活性物質(zhì)層中的多個(gè)凹凸,可以吸收負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹,由此抑制其變形。另外,通過(guò)利用設(shè)置在負(fù)極集電體中的多個(gè)凹凸,可以抑制由于負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹及收縮導(dǎo)致的負(fù)極集電體的變形。
[0013]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種二次電池,包括負(fù)極、正極、電解液以及隔離體,其中負(fù)極包括負(fù)極集電體及負(fù)極活性物質(zhì)層,負(fù)極活性物質(zhì)層包括作為負(fù)極活性物質(zhì)的含硅化合物,負(fù)極活性物質(zhì)層包括第一凹凸及第二凹凸,負(fù)極集電體包括第三凹凸及第四凹凸,負(fù)極活性物質(zhì)層的第一凹凸與負(fù)極集電體的第三凹凸重疊,并且負(fù)極活性物質(zhì)層的第二凹凸與負(fù)極集電體的第四凹凸重疊。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,可以提供一種新穎的二次電池用負(fù)極及二次電池。具體而言,可以提供一種能夠吸收由于負(fù)極活性物質(zhì)成為合金導(dǎo)致的膨脹的負(fù)極及使用該負(fù)極的二次電池。
[0015]另外,可以提供一種新穎的蓄電裝置、新穎的二次電池用負(fù)極以及安裝有二次電池的電子設(shè)備等。另外,這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。另外,本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有上述效果。另外,從說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求書等的記載中可自然得知上述效果以外的效果,并可以從說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求書等的記載中提出上述效果以外的效果。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1A至圖1C是可以用于二次電池的負(fù)極的俯視圖及截面圖;
[0017]圖2A至圖2D是可以用于二次電池的負(fù)極的截面圖;
[0018]圖3A1-A3和圖3B1-B2是可以用于二次電池的負(fù)極的俯視圖;
[0019]圖4是說(shuō)明二次電池的例子的透視圖;
[0020]圖5A和圖5B是說(shuō)明二次電池的例子的截面圖;
[0021]圖6A至圖6D是說(shuō)明二次電池的制造方法的例子的圖;
[0022]圖7A和圖7B是說(shuō)明二次電池的制造方法的例子的圖;
[0023]圖8A至圖8C是說(shuō)明二次電池的制造方法的例子的圖;
[0024]圖9A和圖9B是說(shuō)明二次電池的制造方法的例子的圖;
[0025]圖1OA和圖1OB是說(shuō)明二次電池及二次電池的制造方法的例子的圖;
[0026]圖1lA和圖1lB是說(shuō)明二次電池的例子的圖;
[0027]圖12A至圖12C是說(shuō)明二次電池的例子的圖;
[0028]圖13A至圖13C是說(shuō)明二次電池的例子的圖;
[0029]圖14A和圖14B是說(shuō)明蓄電系統(tǒng)的例子的圖;
[0030]圖15A1-A2和圖15B1-B2是說(shuō)明蓄電系統(tǒng)的例子的圖;
[0031]圖16A和圖16B是說(shuō)明蓄電系統(tǒng)的例子的圖;
[0032]圖17是說(shuō)明蓄電裝置的電池控制單元的方框圖;
[0033]圖18A至圖18C是說(shuō)明蓄電裝置的電池控制單元的概念圖;
[0034]圖19是說(shuō)明蓄電裝置的電池控制單元的電路圖;
[0035]圖20是說(shuō)明蓄電裝置的電池控制單元的電路圖;
[0036]圖21A至圖21C是說(shuō)明蓄電裝置的電池控制單元的概念圖;
[0037]圖22是說(shuō)明蓄電裝置的電池控制單元的方框圖;
[0038]圖23是說(shuō)明蓄電裝置的電池控制單元的流程圖;
[0039]圖24A至圖24F是說(shuō)明電子設(shè)備的例子的圖;
[0040]圖25A至圖25C是說(shuō)明電子設(shè)備的例子的圖;
[0041]圖26是說(shuō)明電子設(shè)備的例子的圖;
[0042]圖27是說(shuō)明電子設(shè)備的例子的圖;
[0043]圖28A和圖28B是說(shuō)明電子設(shè)備的例子的圖;
[0044]圖29A和圖29B是充放電之前的負(fù)極的照片;
[0045]圖30A至圖30C是充放電之后的負(fù)極的X射線CT影像;
[0046]圖31A至圖31C是充放電之后的負(fù)極的照片;
[0047]圖32是示出二次電池的充放電特性的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]以下,參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。但是,本發(fā)明不局限于以下說(shuō)明,所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解可對(duì)其方式和詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行各種變換。另外,本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下所示的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。
[0049]“電連接”包括通過(guò)“具有某種電作用的元件”連接的情況。在此,“具有某種電作用的元件”只要可以進(jìn)行連接對(duì)象間的電信號(hào)的授受,就對(duì)其沒(méi)有特別的限制。
[0050]為了容易理解,有時(shí)附圖等中所示的各構(gòu)成要素的位置、大小、長(zhǎng)度、范圍等不表示實(shí)際上的位置、大小、長(zhǎng)度、范圍等。因此,所公開的發(fā)明不一定局限于附圖等中所公開的位置、大小、長(zhǎng)度、范圍等。
[0051]“第一”、“第二”、“第三”等序數(shù)詞是為了避免構(gòu)成要素的混淆而附記的。
[0052]實(shí)施方式I
[0053]在本實(shí)施方式中,參照?qǐng)D1A至圖3A1-A3和3B1-B2說(shuō)明可以用于本發(fā)明的一個(gè)方式的二次電池的負(fù)極。
[0054]圖1A是負(fù)極111的俯視圖,該負(fù)極111可以用于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的二次電池。圖1B示出沿圖1A的X1-X2的截面,而圖1C示出沿圖1A的Y1-Y2的截面。
[0055]負(fù)極111具有負(fù)極集電體101及形成在負(fù)極集電體101上的負(fù)極活性物質(zhì)層102。負(fù)極活性物質(zhì)層102包含負(fù)極活性物質(zhì)。另外,負(fù)極活性物質(zhì)層102也可以包含用來(lái)提高負(fù)極活性物質(zhì)的緊密性的粘結(jié)劑(binder)、用來(lái)提高負(fù)極活性物質(zhì)層的導(dǎo)電性的導(dǎo)電助劑等。
[0056]只要在二次電池內(nèi)不引起顯著的化學(xué)變化而呈現(xiàn)高導(dǎo)電性,對(duì)用于負(fù)極集電體101的材料沒(méi)有特別的限制。例如,可以使用金、鉑、鐵、鎳、銅、鋁、鈦、鉭、錳等金屬及這些金屬的合金(不銹鋼等)。另外,也可以使用碳、鎳或鈦等進(jìn)行覆蓋。另外,也可以添加硅、釹、鈧、鉬等而提高耐熱性。另外,集電體可以適當(dāng)?shù)厥褂冒ú瓲睢⑵瑺?、板狀、網(wǎng)狀、圓柱狀、線圈狀、沖孔金屬網(wǎng)(punching metal)狀、拉制金屬網(wǎng)(expand metal)狀、多孔狀及無(wú)紡布在內(nèi)的各種形態(tài)等的形狀。并且,為了提高與活性物質(zhì)的緊密性,集電體還可以在其表面具有微細(xì)的凹凸。另外,集電體的厚度優(yōu)選為5 μπι以上、30μπι以下。
[0057]作為負(fù)極活性物質(zhì)層102所包含的負(fù)極活性物質(zhì),優(yōu)選使用能夠與鋰離子發(fā)生合金或脫合金反應(yīng)而進(jìn)行充放電反應(yīng)的材料。典型地說(shuō),可以舉出硅(Si)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、鎵(Ga)、這些元素的氧化物及合金等。通過(guò)使用與鋰成為合金的材料、這些材料的氧化物及合金等,與使用碳類負(fù)極材料的情況相比可以形成更高容量的二次電池。尤其是,硅的理論容量高。由此,在負(fù)極活性物質(zhì)中特別優(yōu)選使用S1等含硅材料。
[0058]另外,S1是指包括富含硅的部分的硅氧化物的粉末,也可以表示為S1y (2 >y >O)。例如S1包括包含Si203、Si304或Si 20中的一種或多種的材料以及Si的粉末與二氧化硅(S12)的混合物。特別優(yōu)選的是在每一個(gè)S1粒子中分散有10 μπι以下的Si粒子的狀態(tài)。由于分散有微小的Si粒子,所以可以抑制由Si的膨脹及收縮導(dǎo)致的S1粒子的分裂。此時(shí),S1粒子的組成優(yōu)選在S1y (0.95彡y彡1.05)的范圍內(nèi)。另外,S1有時(shí)還包含其他元素(碳、氮、鐵、鋁、銅、鈦、鈣、錳等)。也就是說(shuō),S1是指包含選自單晶S1、非晶S1、多晶S1、Si203、Si3O4, Si2O, S1#的多種的材料,且S1為有色材料。非S1的S1x(X為2以上)是無(wú)色透明或者是白色的,從而可以辨別。然而,在使用作為二次電池的材料的S1制造二次電池后,有時(shí)充放電的反復(fù)等使S1氧化而變質(zhì)成Si02。
[0059]作為能夠與鋰離子發(fā)生合金或脫合金反應(yīng)而進(jìn)行充放電反應(yīng)的材料的其他例子,例如,可以使用包含Mg、Ca、Al、Ge、Sn、Pb、As、Sb、B1、Ag、Au、Zn、Cd、Hg以及In等中的至少一種的材料。作為使用這種元素的合金類材料,例如有Mg2S1、Mg2Ge、Sn0、Sn02、Mg2Sn、SnS2、V2Sn3N FeSn2N CoSn2、Ni3Sn2、Cu6Sn5N Ag3Sru Ag3Sb、Ni2MnSb、CeSb3、LaSn3、La3Co2Sn7N CoSb3、InSb、SbSn 等。
[0060]作為可以用于負(fù)極活性物質(zhì)層102中的粘結(jié)劑(binder),可以舉出聚酰亞胺、PVDF、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、乙烯-丙烯-二烯聚合物、丁苯橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠、氟橡膠、聚乙酸乙烯酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、硝酸纖維素等。尤其優(yōu)選的是,聚酰亞胺的強(qiáng)度高,由此能夠耐受伴隨充放電產(chǎn)生的上述負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹及收縮。
[0061]作為可以用于負(fù)極活性物質(zhì)層102的導(dǎo)電助劑,可以舉出乙炔黑、石墨烯、石墨、氧化石墨烯、氧化石墨、碳納米管、富勒烯等。
[0062]負(fù)極集電體101及負(fù)極活性物質(zhì)層102分別具有多個(gè)凹凸。另外,負(fù)極集電體101的凹凸與負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹凸重疊。在圖1A至圖1C中,例示出負(fù)極集電體101及負(fù)極活性物質(zhì)層102具有多個(gè)平行的直線狀凹部。
[0063]如圖1B和圖1C所示,負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹部既可淺于負(fù)極活性物質(zhì)層102的厚度又可深到露出負(fù)極集電體101的程度。換句話說(shuō),在負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹部底部的一部分中也可以露出負(fù)極集電體101。另外,也可以形成深度不相同的凹部。另外,如圖1A所示,凹部的間隔也可以不相同。
[0064]因?yàn)樵谪?fù)極活性物質(zhì)層102中具有凹部,所以即使使用伴隨充放電產(chǎn)生的體積變化大的負(fù)極活性物質(zhì),也可以吸收負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹,由此抑制負(fù)極活性物質(zhì)層102的變形。由此,可以抑制負(fù)極活性物質(zhì)因伴隨其體積反復(fù)膨脹及收縮的微粉化而從集電體剝落,以提高二次電池的循環(huán)特性。另外,可以抑制在負(fù)極活性物質(zhì)膨脹的同時(shí)負(fù)極集電體101伸長(zhǎng),使得在負(fù)極集電體101中發(fā)生起皺,由此可以抑制負(fù)極的體積增加,防止二次電池的能量密度下降。
[0065]另外,因?yàn)樵谪?fù)極集電體101中具有凹部,所以可以進(jìn)一步抑制伴隨負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹及收縮產(chǎn)生的負(fù)極集電體的變形。
[0066]另外優(yōu)選的是,形成負(fù)極集電體101及負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹凸的區(qū)域正是在裝入二次電池時(shí)與正極重疊的區(qū)域。這是因?yàn)榕蛎浖笆湛s變大的負(fù)極活性物質(zhì)正是與正極重疊的區(qū)域的負(fù)極活性物質(zhì)。因此,圖1A所示的負(fù)極集電體101及負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹部的長(zhǎng)度L2優(yōu)選與重疊于此的正極的寬度大致相等。
[0067]為了抑制伴隨二次電池的充放電而在負(fù)極111表面析出鋰,使負(fù)極111的面積大于正極是有效的。但是,當(dāng)正極與負(fù)極111的面積的差異過(guò)大時(shí),二次電池的能量密度下降。因此,例如,凹部長(zhǎng)度L2優(yōu)選為與凹部平行的負(fù)極集電體101的邊長(zhǎng)LI的80%以上、100%以下,更優(yōu)選為85%以上、98%以下
[0068]另外優(yōu)選的是,負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹凸中的凹部的深度H2足夠深,使得容易地吸收負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹。因此,例如,H2優(yōu)選為負(fù)極活性物質(zhì)層102的厚度Hl的90%以上、100%以下。
[0069]另外,負(fù)極集電體101及負(fù)極活性物質(zhì)層102中的相鄰的凹部之間的間隔Wl足夠窄,使得有利于吸收負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹,但是當(dāng)間隔Wl過(guò)窄時(shí)負(fù)極容量下降,使得二次電池的能量密度下降。因此,例如,Wl優(yōu)選為0.1mm以上、5mm以下,更優(yōu)選為0.5mm以上、2mm以下。
[0070]另外,負(fù)極集電體101及負(fù)極活性物質(zhì)層102中的凹部的寬度W2足夠大,使得有利于吸收負(fù)極活性物質(zhì)的膨脹,但是當(dāng)寬度W2過(guò)大時(shí)負(fù)極容量下降,使得二次電池的能量密度下降。因此,例如,W2優(yōu)選為Wl以下。另外,W2優(yōu)選為0.1mm以上、Imm以下,更優(yōu)選為0.25mm以上、0.45mm以下。
[0071]負(fù)極活性物質(zhì)層102及負(fù)極集電體101中的凹凸的形狀不局限于圖1A至圖1C所示的形狀。例如,如圖2A所示,凹部也可以為近于三角柱的形狀。另外,如圖2B所示,凹部也可以為近于四角柱的形狀。
[0072]再者,在圖1A至圖2B中,例示出在負(fù)極集電體101的一面形成有負(fù)極活性物質(zhì)層102,但是,例如,如圖2C及圖2D所示,也可以在負(fù)極集電體101的兩面形成有負(fù)極活性物質(zhì)層102。通過(guò)在負(fù)極集電體101的兩面形成負(fù)極活性物質(zhì)層102,可以增加二次電池的容量。
[0073]當(dāng)在負(fù)極集電體101的兩面形成負(fù)極活性物質(zhì)層102時(shí),如圖2C及圖2D所示,一面的負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹部?jī)?yōu)選與另一面的負(fù)極活性物質(zhì)層102的凹部不重疊。這是因?yàn)槿魞擅娴陌疾恐丿B,則負(fù)極集電體101的強(qiáng)度恐怕會(huì)下降。
[0074]再者,凹凸的形成圖案不局限于圖1A至圖2D所示的形狀。例如,如圖3A1所示,負(fù)極活性物質(zhì)層102及負(fù)極集電體101的凹凸也可以形成為與負(fù)極集電體101的長(zhǎng)邊平行。另外,如圖3A2所示,也可以形成為格子狀。另外,如圖3A3所示,也可以形成為六角形接連的形狀。另外,如圖3B1所示,也可以形成為三角形接連的形狀。另外,如圖3B2所示,也可以形成為同心圓的形狀。
[0075]另外,在本實(shí)施方式中描述了本發(fā)明的一個(gè)方式。另外,在其他實(shí)施方式中描述了本發(fā)明的一個(gè)方式。但是,本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此。就是說(shuō),在本實(shí)施方式及其他實(shí)施方式中記載各種各樣的發(fā)明的方式,由此本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于特定的方式。例如,作為本發(fā)明的一個(gè)方式示出應(yīng)用于鋰離子二次電池的情況的例子,但是本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此。根據(jù)情況或狀況,本發(fā)明的一個(gè)方式也可以應(yīng)用于各種各樣的二次電池、鉛蓄電池、鋰離子聚合物二次電池、鎳氫蓄電池、鎳鎘蓄電池、鎳鐵蓄電池、鎳鋅蓄電池、氧化銀鋅蓄電池、固體電池、空氣電池、一次電池、電容器或鋰離子電容器等。另外,例如,根據(jù)情況或狀況,本發(fā)明的一個(gè)方式也可以不應(yīng)用于鋰離子二次電池。例如,作為本發(fā)明的一個(gè)方式,例示出負(fù)極集電體或負(fù)極活性物質(zhì)層具有凹凸的情況,但是本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此。根據(jù)情況或狀況,在本發(fā)明的一個(gè)方式中,也可以在負(fù)極集電體或負(fù)極活性物質(zhì)層以外的部分中具有凹凸。另外,例如,根據(jù)情況或狀況,在本發(fā)明的一個(gè)方式中,負(fù)極集電體或負(fù)極活性物質(zhì)層也可以具有凹凸以外的形狀。另外,例如,根據(jù)情況或狀況,在本發(fā)明的一個(gè)方式中,負(fù)極集電體或負(fù)極活性物質(zhì)層也可以不具有凹凸。
[0076]實(shí)施方式2
[0077]在本實(shí)施方式中,參照?qǐng)D4及圖5A和圖5B對(duì)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的二次電池更具體的結(jié)構(gòu)及材料進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,以下例示出正極或負(fù)極之一被袋狀的隔離體覆蓋。
[0078]圖4是示出二次電池200的外觀的透視圖。圖5A是沿圖4中的點(diǎn)劃線A1-A2所示部位的截面圖。另外,圖5B是沿圖4中的點(diǎn)劃線B1-B2所示部位的截面圖。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的二次電池200在外包裝體207內(nèi)包括被隔離體203覆蓋的正極215、負(fù)極111及電解液204。另外,在本實(shí)施方式中,例示出在兩面形成有正極活性物質(zhì)層的正極集電體的個(gè)數(shù)為兩個(gè),在一面形成有負(fù)極活性物質(zhì)層的負(fù)極集電體的個(gè)數(shù)為兩個(gè),且在兩面形成有負(fù)極活性物質(zhì)層的負(fù)極集電體的個(gè)數(shù)為一個(gè)的二次電池。另外,正極215與正極導(dǎo)線221電連接,負(fù)極111與負(fù)極導(dǎo)線225電連接。正極導(dǎo)線221及負(fù)極導(dǎo)線225也被稱為導(dǎo)線電極或?qū)Ь€端子。正極導(dǎo)線221及負(fù)極導(dǎo)線225的一部分配置在外包裝體的外側(cè)。另外,二次電池200的充電及放電通過(guò)正極導(dǎo)線221及負(fù)極導(dǎo)線225進(jìn)行。
[0080]另外,在圖5A和圖5B中,
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