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高比功率GaAs多結(jié)柔性薄膜太陽電池及其制備方法

文檔序號(hào):9789257閱讀:1195來源:國知局
高比功率GaAs多結(jié)柔性薄膜太陽電池及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及砷化鎵多結(jié)柔性太陽電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]我國的太陽電池發(fā)展迅速,其中GaAs太陽電池為航天事業(yè)承擔(dān)著重要角色。目前GaAs多結(jié)太陽電池主要有以Ge和GaAs為襯底正裝多結(jié)太陽電池,以及倒置結(jié)構(gòu)的多結(jié)太陽電池,其中倒置多結(jié)太陽電池因?yàn)楦鹘Y(jié)電池帶隙較好的匹配全光譜,有助于太陽光吸收,使得其光電轉(zhuǎn)換效率始終遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于其它太陽電池,備受人們的青睞。倒裝太陽電池雖然轉(zhuǎn)換效率較高,但因鍵合在Si片上,電池片的重量也不輕,導(dǎo)致重量比功率并不理想;加之使用襯底是剛性材料,應(yīng)用范圍局限于平整的基板。對于太陽電池空間來說,其中一種重要指標(biāo)就是重量比功率,所以具有較高質(zhì)量比功率的柔性太陽電池成為當(dāng)前研究的一大熱點(diǎn)。
[0003]如圖1所示,現(xiàn)有的太陽電池生產(chǎn)步驟如下:
1、外延生長:
采用MOCVD設(shè)備在GaAs襯底上依次生長N型GaAs的緩沖層、GaInP腐蝕截止層、N型GaAs接觸層、GaInP頂電池、第一隧穿結(jié)、GaAs中電池、第二隧穿結(jié)、InGaAs底電池和P型InGaAs接觸層完成外延片24的生長。
[0004]2、襯底轉(zhuǎn)移:
在電池外延片24的底電池背部和導(dǎo)電類型為P型的轉(zhuǎn)移Si襯底22正面,分別通過電子束依次蒸鍍T1、Pt和Au層,再將蒸鍍完電池外延片24與轉(zhuǎn)移Si襯底22通過金屬鍵合層23進(jìn)行金屬鍵合。
[0005]3、襯底剝離:
采用氨水、雙氧水腐蝕液去除金屬鍵合后的電池外延結(jié)構(gòu)上的GaAs襯底。
[0006]4、電極制作:
采用負(fù)性光刻膠工藝光刻電極柵線圖形,用電子束和熱阻真空蒸鍍的方式,在頂電池歐姆接觸層上制備金屬電極,并通過有機(jī)剝離將完成上電極26制作;在轉(zhuǎn)移Si襯底22背面蒸鍍制備下電極21。
[0007]5、減反射膜:
將完成選擇性腐蝕的電池片,采用電子束蒸鍍的方法蒸鍍Ti02/Al203雙層減反射膜25。
[0008]6、退火、劃片、端面處理完成倒裝太陽電池芯片制作。
[0009]這種GalnP/GaAs/InGaAs倒裝三結(jié)太陽電池目前效率最高的效率在32%左右,在光譜AM O下,標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)為136.7mw/cm2,輸出功率約為43.74 mw/cm2率;以面積12cm2的倒裝三結(jié)電池芯片為例,電池質(zhì)量2.25g,質(zhì)量比功率1945w/kg,已接近理論值,離3000w/kg空間需求還有一定距離。
[0010]若能將襯底去除或者采用較輕襯底替代,結(jié)果可想而知,重量將大幅降低,相應(yīng)空間飛行器的發(fā)射和運(yùn)載成本將會(huì)得到很好的改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明目的是提出一種能減輕電池體重量、具有柔韌彎曲,從而提高重量比功率和擴(kuò)大應(yīng)用范圍的GaAs多結(jié)柔性薄膜太陽電池。
[0012]本發(fā)明包括下電極,在下電極一側(cè)設(shè)置電池外延層,在電池外延層上設(shè)置上電極和減反射膜;所述電池外延層包括N型GaAs接觸層、GaInP頂電池、第一隧穿結(jié)、GaAs中電池、第二隧穿結(jié)、InGaAs底電池和P型InGaAs接觸層。
[0013]本發(fā)明產(chǎn)品僅上、下電極,加外延層和減反射膜,并無襯底支撐,具有較高的重量比功率和超薄性的特點(diǎn),產(chǎn)品厚度僅約1?15μπι上,且輸出功率互不影響、獨(dú)立工作。另外,具有彎曲的特性,可大大增加太陽電池的應(yīng)用范圍。
[0014]進(jìn)一步地,本發(fā)明在上電極和減反射膜上設(shè)置臨時(shí)保護(hù)層,在臨時(shí)保護(hù)層上設(shè)置臨時(shí)柔性載體。
[0015]臨時(shí)保護(hù)層的作用在于保護(hù)電池正面,避免因臨時(shí)載體粘附的膠層殘留在電池表面,影響柔性電池的表觀和電學(xué)特性。在臨時(shí)柔性載體只起到托運(yùn)的作用,以確保在搬運(yùn)過程中對產(chǎn)品的保護(hù)。使用時(shí)僅需通過簡單的操作即可去除臨時(shí)保護(hù)層和臨時(shí)柔性載體。
[0016]為了便于粘合和分離,同時(shí),不影響產(chǎn)品的柔性和硬度,所述臨時(shí)柔性載體為UV膜、熱剝離膜、PET襯底、PI柔性襯底或PEN襯底中的任意一種。
[0017]所述減反射膜為Ti02/Si02、Ti02/Al203、Ti02/Ta205、Ti02/Si3N4、Ti02/Ta205/Al203、Ti02/Ta205/Si02、Ti02/Si3N4/ Al2O3或Ti02/Si3N4/ S12多層結(jié)構(gòu)中的任意一種,T12的厚度為1λ/4η,Τ&205的厚度為1λ/4η,Α1203的厚度為U/4n,Si02的厚度為lA/4n,Si3N4的厚度為Iλ/4η,其中λ為波長,單位nm;n為介質(zhì)膜的折射系數(shù)。砷化鎵多結(jié)太陽電池不僅利用可見光,不可見的紫外光和紅外光仍然將其轉(zhuǎn)換為電能,可以吸收從300nm到2000nm波段,這也就是砷化鎵多結(jié)太陽電池高效性的特點(diǎn)。利用多層結(jié)構(gòu)形成減反射膜的結(jié)構(gòu)可以降低太陽光各個(gè)波段的反射率,從而太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0018]所述下電極為Ag、Al、Au、T1、Pd、Pt、N1、In中的任意一種或幾種,下電極的厚度大于Ιμπι。通過加壓和400°C高溫的作用,金屬之間會(huì)相互擴(kuò)散融合在一起,金屬厚度不能小于lMi,避免因金屬之間結(jié)合的力不夠,造成下電極分層,影響太陽電池的電性能。
[0019]本發(fā)明另一目的是提出以上高比功率GaAs多結(jié)柔性薄膜太陽電池的制備方法。
[0020]本發(fā)明包括以下步驟:
1)生長外延片:在第一臨時(shí)襯底上依次生長N型GaAs的緩沖層、GaInP腐蝕截止層、N型GaAs接觸層、GaInP頂電池、第一隧穿結(jié)、GaAs中電池、第二隧穿結(jié)、InGaAs底電池和P型InGaAs接觸層;
2)在P型InGaAs接觸層上制作金屬鍵合層;
3)在第二臨時(shí)襯底的正表面制作金屬鍵合層;
4)襯底轉(zhuǎn)移:將第二臨時(shí)襯底的金屬鍵合層與外延片的金屬鍵合層壓相對,通過金屬鍵合,將外延片與第二臨時(shí)襯底鍵合,取得鍵合好的電池片;
5)襯底剝離:去除鍵合好的電池片上外延片的第一臨時(shí)襯底,直至露出GaInP腐蝕截止層;
6)上電極制作:去除所述GaInP腐蝕截止層,在N型GaAs接觸層上制作上電極; 先采用負(fù)性光刻膠工藝光刻電極柵線圖形,用電子束和熱阻真空蒸鍍的方式,蒸鍍腔體溫度小于100°c,在外延片上制備金屬電極,并通過有機(jī)剝離形成上電極;
7)將外延片中N型GaAs接觸層有選擇性腐蝕去除上電極以外部分;
8)在外延片的上電極以外區(qū)域,采用電子束或PECVD沉積的方法在外延片上蒸鍍減反射膜;
9)套刻將上電極一側(cè)的減反射膜蝕刻開孔,高溫退火形成歐姆接觸;
10)涂柔性保護(hù)層后,使用化學(xué)溶液去除第二臨時(shí)襯底;
11)劃片:切除非電池區(qū)域部分留下完整電池芯片;
12)端面腐蝕:采用化學(xué)溶液將電池芯片側(cè)面腐蝕清洗切割殘?jiān)w粒,并去膠清洗。
[0021]本工藝簡單,操作方便,不僅能有效地解決薄膜電池因?yàn)槿嵝砸r底與外延層膨脹系數(shù)不一,而引起的電池表面鼓泡、失效的問題,而且能夠減輕電池體重量,提高了該電池的重量比功率,減輕了火箭的發(fā)射和衛(wèi)星的飛行負(fù)擔(dān)。
[0022]本發(fā)明所述步驟2)中金屬鍵合層采用Ag、Al、Au、T1、Pd、Pt、Ni或In等金屬材料的任意一種或幾種。所述步驟3)中金屬鍵合層采用Ag、Al、Au、T1、Pd、Pt、Ni或In金屬材料的任意一種或幾種。通過加壓和400°C高溫的作用,金屬之間相互擴(kuò)散融合緊密結(jié)合在一起,形成非常牢固的金屬鍵,這樣避免空間惡劣的環(huán)境引起太陽電池的失效或衰減。
[0023]在所述步驟9)后,于在上電極和減反射膜上制作臨時(shí)保護(hù)層,然后再在臨時(shí)保護(hù)層上設(shè)置臨時(shí)柔性載體,再去除第二臨時(shí)襯底。以此在上電極和減反射膜上設(shè)置臨時(shí)保護(hù)層,在臨時(shí)保護(hù)層上設(shè)置臨時(shí)柔性載體。在臨時(shí)柔性載體只起到托運(yùn)的作用,以確保在搬運(yùn)過程中對產(chǎn)品的保護(hù)。使用時(shí)僅需通過簡單的操作即可去除臨時(shí)保護(hù)層和臨時(shí)柔性載體。
[0024]所述臨時(shí)柔性載體采用UV膜、熱剝離膜、PET襯底、PI柔性襯底或PEN襯底中的任意一種。
[0025]本發(fā)明所述步驟3)中,臨時(shí)襯底正面有機(jī)清洗。鍵合層蒸鍍前后注意晶片表面的潔凈程度,如有顆?;蛘翦冞^程濺金屬,鍵合時(shí)會(huì)引起襯底剝離后芯片表面的鼓起或者碎
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[0026]在所述步驟6)中,在電池表面制作電極柵線圖形時(shí),必須注意表面的潔凈,電極圖形具有一定的垂直性,避免柵線電極在退火是無法有效融合,影響電極的牢固性,從而導(dǎo)致電池的可靠性影響!
在所述步驟7)中,選擇性腐蝕兩面同時(shí)蝕刻,注意溶液配制的量,避免刻蝕的不均勻現(xiàn)象。
[0027]在所述步驟10)中,在臨時(shí)載體貼片時(shí),注意需從一邊均勻搟膜,避免有氣泡影響粘附效果,另外,壓合的壓力不宜過大,否則電池破片影響其成品率。
[0028]在所述步驟13)中,臨時(shí)載體移除前,保證電池與基板粘附平整,牢固后方可移除臨時(shí)載體,且溫度不宜超過200°C,避免載體剝離后殘余物難以去除。
[0029]本發(fā)明關(guān)鍵在于使用倒裝電池結(jié)構(gòu),鍵合層金屬經(jīng)過臨時(shí)襯底剝離后作為電池的下電極;其次,采用具有熱敏作用的柔性臨時(shí)載體,該薄膜襯底具有一定硬度可以支撐剝離下來的電池體,另外具有柔韌性可以彎曲,便于電池非平面的粘結(jié),更重要的是加熱到特定的溫度將會(huì)使之粘性失效,讓電池體與載體自然分離,并且表面不會(huì)有任何殘留物,使僅僅10微米多厚電池體完成器件制作,達(dá)到零襯底的電池結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0030]圖1為現(xiàn)有技術(shù)廣品的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0031]圖2為本發(fā)明制作過程中的外延片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖3為本明產(chǎn)品臨時(shí)柔性載體未去除的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖4為本明廣品的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0034]圖5為本明產(chǎn)品的平面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]—、生產(chǎn)工藝:
1、外延片生長:
采用MOCVD設(shè)備在厚度為350μπι的GaAs襯底10上依次生長N型GaAs的緩沖層11、GaInP腐蝕截止層12、N型GaAs接觸層13、GaInP頂電池14、第一隧穿結(jié)15、GaAs中電池16、第二隧穿結(jié)17、InGaAs底電池18和P型InGaAs接觸層19,
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