其后為了去除玻璃層而將基板在氫氟酸中浸漬5分鐘，然后進(jìn)行流水清洗。隨后，進(jìn)行干燥。
[0112]涂布有η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為60Ω/Π，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。另外，經(jīng)涂布的面內(nèi)的薄膜電阻值的偏差為σ = 0.8，形成了均勻的η型擴(kuò)散層。另一方面，背面的薄膜電阻為1000000Ω/□以上而無法測(cè)定，未形成η型擴(kuò)散層。
[0113]此外，薄膜電阻是使用三菱化學(xué)(株)制造的Loresta-EP MCP-T360型低電阻率計(jì)，并通過四探針法在25°C下進(jìn)行測(cè)定的。
[0114]另外，σ表示標(biāo)準(zhǔn)偏差，其通過經(jīng)涂布的面內(nèi)的25處的薄膜電阻值的偏差的平方和除以數(shù)據(jù)數(shù)所得的值的平方根來算出。
[0115][實(shí)施例2]
[0116]將玻璃粉末的平均粒徑設(shè)為2μπι、且將d90設(shè)為6.5μπι，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式形成η型擴(kuò)散層。
[0117]涂布有η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為33Ω/Π，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。另外，經(jīng)涂布的面內(nèi)的薄膜電阻值的偏差為σ = 0.5，形成了均勻的η型擴(kuò)散層。另一方面，背面的薄膜電阻為1000000Ω/□以上而無法測(cè)定，未形成η型擴(kuò)散層。
[0118][實(shí)施例3]
[0119]將玻璃粉末的平均粒徑設(shè)為0.7μπι、且將d90設(shè)為3.4μπι，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式形成η型擴(kuò)散層。
[0120]涂布有η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為25Ω/Π，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。另外，經(jīng)涂布的面內(nèi)的薄膜電阻值的偏差為σ = 0.3，形成了均勻的η型擴(kuò)散層。另一方面，背面的薄膜電阻為1000000Ω/□以上而無法測(cè)定，未形成η型擴(kuò)散層。
[0121][實(shí)施例4]
[0122]使用自動(dòng)乳缽混煉裝置對(duì)粒子形狀為大致球狀、平均粒徑為2μπι、且d90為6.5μπι、具有比實(shí)施例1高的軟化溫度的P2O5-S12-CaO系玻璃(軟化溫度為800°c，p205:44%，Si02:49%,Ca0:7% )粉末3g，乙基纖維素2.1g，及萜品醇24.9g進(jìn)行了混合并糊劑化，從而制備了η型擴(kuò)散層形成用組合物。接下來，利用絲網(wǎng)印刷將所制備的糊劑涂布在P型硅基板的表面，并在150°C的加熱板上干燥5分鐘。接下來，在大氣流(0.9cm/s)環(huán)境中，在設(shè)定成950°C的電爐中保持10分鐘來進(jìn)行熱擴(kuò)散處理，然后為了去除玻璃層而將基板在氫氟酸中浸漬5分鐘，然后進(jìn)行流水清洗。隨后，進(jìn)行干燥。
[0123]涂布有η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為42Ω/Π，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。另外，經(jīng)涂布的面內(nèi)的薄膜電阻值的偏差為σ = 0.5，形成了均勻的η型擴(kuò)散層。另一方面，背面的薄膜電阻為1000000Ω/□以上而無法測(cè)定，未形成η型擴(kuò)散層。
[0124][比較例I]
[0125]將玻璃粉末的平均粒徑設(shè)為8μπι、且將d90設(shè)為50μπι，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式形成η型擴(kuò)散層。
[0126]涂布有η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為120Ω/□，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。但是，在面內(nèi)的薄膜電阻值中能看到偏差(σ = 10.7)，不均勻。
[0127][比較例2]
[0128]將玻璃粉末的平均粒徑設(shè)為30μπι、且將d90設(shè)為ΙΙΟμπι，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式形成η型擴(kuò)散層。
[0129]涂布有η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為300Ω/□，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。但是，在面內(nèi)的薄膜電阻值中能看到偏差(σ = 24.9)，不均勻。
[0130][比較例3]
[0131 ]使用自動(dòng)乳缽混煉裝置對(duì)粒子形狀為大致球狀、平均粒徑為2μπι、且d90為6.5μπι的P2O5-SnO系玻璃(軟化溫度為300°C，P2O5:30% ,Sn0:70% )粉末3g，乙基纖維素2.1g，及萜品醇24.9g進(jìn)行了混合并糊劑化，從而制備了 η型擴(kuò)散層形成用組合物。
[0132]接著，利用絲網(wǎng)印刷將所制備的糊劑在P型硅基板表面涂布成120μπι寬的細(xì)線狀，并在150°C的加熱板上干燥5分鐘。接下來，在氮?dú)饬?0.9cm/s)環(huán)境中，在設(shè)定成950°C的電爐中保持10分鐘來進(jìn)行熱擴(kuò)散處理，然后為了去除玻璃層而將基板在氫氟酸中浸漬5分鐘，然后進(jìn)行流水清洗。隨后，進(jìn)行干燥。
[0133]將η型擴(kuò)散層形成用組合物涂布成細(xì)線狀的部分的薄膜電阻為120Ω/Π，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。另外，所涂布的細(xì)線狀圖案的寬度變成400μπι，熔融了的玻璃產(chǎn)生了液滴落，因此無法實(shí)現(xiàn)對(duì)特定部分的選擇性擴(kuò)散。
[0134][比較例4]
[0135]使用自動(dòng)乳缽混煉裝置對(duì)磷酸二氫銨(NH4H2PO4)粉末20g、乙基纖維素3g、及乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯7g進(jìn)行了混合并糊劑化，制備了 η型擴(kuò)散層形成用組合物。
[0136]接下來，利用絲網(wǎng)印刷將所制備的糊劑涂布在P型硅基板的表面，并在150°C的加熱板上干燥5分鐘。接下來，在設(shè)定成1000°C的電爐中保持10分鐘來進(jìn)行熱擴(kuò)散處理，然后為了去除玻璃層而將基板在氫氟酸中浸漬5分鐘，然后進(jìn)行流水清洗、干燥。
[0137]涂布了η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為14Ω/Π，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。但是，背面的薄膜電阻為50Ω/□，在背面也形成有η型擴(kuò)散層。
[0138][比較例5]
[0139]使用自動(dòng)乳缽混煉裝置對(duì)磷酸二氫銨(NH4H2PO4)粉末lg、純水7g、聚乙烯醇0.7g、及異丙醇1.5g進(jìn)行了混合，制備溶液，從而制備了 η型擴(kuò)散層組合物。
[0140]接下來，利用旋涂機(jī)(2000rpm，30秒)將所制備的溶液涂布于P型硅基板的表面，并在150°C的加熱板上干燥5分鐘。接下來，在設(shè)定成1000°C的電爐中保持10分鐘來進(jìn)行熱擴(kuò)散處理，然后為了去除玻璃層而將基板在氫氟酸中浸漬5分鐘，然后進(jìn)行流水清洗、干燥。
[0141]涂布有η型擴(kuò)散層形成用組合物一側(cè)的表面的薄膜電阻為10Ω/Π，Ρ(磷)擴(kuò)散而形成了 η型擴(kuò)散層。但是，背面的薄膜電阻為100Ω/□，在背面也形成有η型擴(kuò)散層。
[0142]通過參照而將2011年7月5日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2011-149249號(hào)中所公開的全部?jī)?nèi)容引入本說明書中。
[0143]本說明書中所記載的所有文獻(xiàn)、專利申請(qǐng)、及技術(shù)規(guī)格是以與具體地且分別記載通過參照而引入各個(gè)文獻(xiàn)、專利申請(qǐng)、及技術(shù)規(guī)格的情況為相同的程度，通過參照而被引入至本說明書中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種η型擴(kuò)散層形成用組合物，其包括:含有施主元素，軟化溫度為500°C以上且900°C以下，且平均粒徑為5μπι以下的玻璃粉末；以及分散介質(zhì)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的η型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，所述玻璃粉末的d90為20μπι以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的η型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，所述施主元素為選自磷P及銻Sb中的至少I種。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的η型擴(kuò)散層形成用組合物，其中，含有所述施主元素的玻璃粉末包括:選自由Ρ203、Ρ205及Sb2O3所組成的組中的至少I種含施主元素的物質(zhì)，以及選自由 S i02、K2O、Na2O、Li 20、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2 及 MoO3 所組成的組中的至少I種玻璃成分物質(zhì)。5.—種η型擴(kuò)散層的制造方法，其包括:在半導(dǎo)體基板上賦予權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的η型擴(kuò)散層形成用組合物的工序；以及對(duì)所述賦予后的半導(dǎo)體基板實(shí)施熱擴(kuò)散處理的工序。6.—種太陽能電池元件的制造方法，其包括:在半導(dǎo)體基板上賦予權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的η型擴(kuò)散層形成用組合物的工序;對(duì)所述賦予后的半導(dǎo)體基板實(shí)施熱擴(kuò)散處理，從而形成η型擴(kuò)散層的工序；以及在所形成的所述η型擴(kuò)散層上形成電極的工序。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種n型擴(kuò)散層形成用組合物、n型擴(kuò)散層的制造方法以及太陽能電池元件的制造方法。本發(fā)明提供一種n型擴(kuò)散層形成用組合物，其包括：含有施主元素且軟化溫度為500℃以上且900℃以下，平均粒徑為5μm以下的玻璃粉末；以及分散介質(zhì)。
【IPC分類】H01L21/22, C03C15/00, H01L31/18, C03C3/097, H01L21/225, H01L31/068, C03C8/16, C03C8/08
【公開號(hào)】CN105551947
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510917152
【發(fā)明人】佐藤鐵也, 吉田誠(chéng)人, 野尻剛, 岡庭香, 町井洋一, 巖室光則, 木澤桂子, 織田明博, 足立修一郎
【申請(qǐng)人】日立化成株式會(huì)社
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2012年7月3日
【公告號(hào)】CN103650111A, CN103839787A, CN105006429A, WO2013005738A1