形式“一”和“所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確指示。已經(jīng)出于說(shuō)明的目的呈現(xiàn)了本發(fā)明的多種實(shí)施例的描述，但這些描述并不意圖窮盡或受限于公開的實(shí)施例。在不脫離描述的實(shí)施例的精神和范圍的情況下，多種修改和變形對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯然的。本文中所使用的術(shù)語(yǔ)被選擇來(lái)最佳地解釋實(shí)施例的原理、超出市場(chǎng)中發(fā)現(xiàn)的技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用或技術(shù)改進(jìn)，或者使得其他本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解本文公開的實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括: 在電介質(zhì)層中形成的開口中形成一對(duì)金屬線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述電介質(zhì)層中形成的所述開口中形成該對(duì)金屬線包括: 通過(guò)選擇性沉積技術(shù)形成一對(duì)金屬線。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在所述開口的側(cè)壁上形成一對(duì)襯墊區(qū)，該對(duì)襯墊區(qū)與該對(duì)金屬線相鄰并與其接觸，并且該對(duì)襯墊區(qū)與所述開口的底部的一部分相接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在所述開口中形成中心區(qū)，所述中心區(qū)位于該對(duì)金屬線之間并與其相接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在所述開口中形成所述中心區(qū)包括: 通過(guò)選擇性沉積技術(shù)在該對(duì)金屬線上形成一對(duì)擴(kuò)散阻擋物，該對(duì)擴(kuò)散阻擋物被所述開口的底部的一部分分隔開；以及 在所述開口的底部的所述部分上形成電介質(zhì)區(qū)。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在所述開口中形成所述中心區(qū)包括: 通過(guò)選擇性沉積技術(shù)在該對(duì)金屬線上形成一對(duì)擴(kuò)散阻擋物，該對(duì)擴(kuò)散阻擋物被所述開口的底部的一部分分隔開； 在該對(duì)擴(kuò)散阻擋物的上部之間形成電介質(zhì)帽蓋；以及 保留所述電介質(zhì)帽蓋之下的區(qū)域不填充以形成由所述開口的底部的所述部分、該對(duì)擴(kuò)散阻擋物以及所述電介質(zhì)帽蓋限定的空氣間隙區(qū)。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在所述開口中形成所述中心區(qū)包括: 在所述電介質(zhì)層、該對(duì)襯墊區(qū)、該對(duì)金屬線以及所述開口的底部之上形成共形層； 從所述電介質(zhì)層的上表面、該對(duì)襯墊區(qū)的上表面以及該對(duì)金屬線的上表面移除所述共形層的一部分以形成隔離層，所述隔離層具有與該對(duì)金屬線相接觸的側(cè)面部分以及在所述側(cè)面部分之間與所述開口的底部相接觸的底部；以及 在所述隔離層的底部部分上并在所述隔離層的所述側(cè)面部分之間形成電介質(zhì)區(qū)。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在所述開口中形成所述中心區(qū)包括: 在所述電介質(zhì)層、該對(duì)襯墊區(qū)、該對(duì)金屬線以及所述開口的底部之上形成共形層； 從所述電介質(zhì)層的上表面、該對(duì)襯墊區(qū)的上表面以及該對(duì)金屬線的上表面移除所述共形層的一部分以形成隔離層，所述隔離層具有與該對(duì)金屬線相接觸的側(cè)面部分以及在所述側(cè)面部分之間與所述開口的所述底部相接觸的底部部分； 在所述隔離層的所述側(cè)面部分的上部之間形成電介質(zhì)帽蓋；以及保留所述電介質(zhì)帽蓋之下的區(qū)域不填充以形成由所述隔離層的所述側(cè)面部分、所述隔離層的所述底部部分以及所述電介質(zhì)帽蓋限定的空氣間隙區(qū)。9.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括: 在半導(dǎo)體襯底上形成電介質(zhì)層； 在所述電介質(zhì)層中形成開口，所述開口具有側(cè)壁并且從所述電介質(zhì)層的上表面延伸到所述半導(dǎo)體襯底的上表面； 在所述開口的所述側(cè)壁上形成一對(duì)襯墊區(qū)，該對(duì)襯墊區(qū)具有與所述電介質(zhì)層的上表面基本上共面的上表面，并具有側(cè)壁； 在該對(duì)襯墊區(qū)的所述側(cè)壁上形成一對(duì)金屬線，該對(duì)金屬線具有側(cè)壁； 在該對(duì)金屬線的側(cè)壁上形成阻擋物區(qū)；以及 在所述阻擋物區(qū)之間形成電介質(zhì)區(qū)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在該對(duì)襯墊區(qū)的側(cè)壁上形成該對(duì)金屬線包括: 使用選擇性沉積技術(shù)僅在該對(duì)襯墊區(qū)上沉積金屬。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在該對(duì)金屬線的側(cè)壁上形成所述阻擋物區(qū)包括: 使用選擇性沉積技術(shù)在該對(duì)金屬線上沉積一對(duì)擴(kuò)散阻擋物以使得所述開口的底部的一部分在該對(duì)擴(kuò)散阻擋物之間保持暴露。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在該對(duì)金屬線的側(cè)壁上形成所述阻擋物區(qū)包括: 在所述電介質(zhì)層、該對(duì)襯墊區(qū)、該對(duì)金屬線以及所述開口的所述底部之上形成共形層；以及 從所述電介質(zhì)層的上表面、所述襯墊區(qū)的上表面以及該對(duì)金屬線的上表面移除所述共形隔離層的一部分，以使得隔離層保持具有與該對(duì)金屬線相接觸的側(cè)面部分以及在所述側(cè)面部分之間與所述開口的所述底部相接觸的底部部分。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在所述阻擋物區(qū)之間形成所述電介質(zhì)區(qū)包括: 在所述阻擋物區(qū)的上部之間形成電介質(zhì)帽蓋，并保留所述電介質(zhì)帽蓋之下的區(qū)域不填充，以形成空氣間隙區(qū)。14.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括: 一對(duì)金屬線，該對(duì)金屬線在形成在電介質(zhì)層中的開口中。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的結(jié)構(gòu)，還包括: 一對(duì)襯墊區(qū)，該對(duì)襯墊區(qū)在所述開口的側(cè)壁上，其與該對(duì)金屬線相鄰并與其相接觸，并且與所述開口的底部的一部分相接觸。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的結(jié)構(gòu)，還包括: 中心區(qū)，所述中心區(qū)形成在該對(duì)金屬線之間并與其相接觸。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中形成在該對(duì)金屬線之間并與其相接觸的所述中;L.、區(qū)包括: 一對(duì)擴(kuò)散阻擋物，該對(duì)擴(kuò)散阻擋物與該對(duì)金屬線相鄰并與其相接觸，該對(duì)擴(kuò)散阻擋物被所述開口的底部的一部分隔開;以及 電介質(zhì)區(qū)，所述電介質(zhì)區(qū)在所述開口的底部的所述部分上。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中形成在該對(duì)金屬線之間并與其相接觸的所述中;L.、區(qū)包括: 一對(duì)擴(kuò)散阻擋物，該對(duì)擴(kuò)散阻擋物與該對(duì)金屬線相鄰并與其相接觸，該對(duì)擴(kuò)散阻擋物被所述開口的底部的一部分分隔開； 電介質(zhì)帽蓋，所述電介質(zhì)帽蓋形成在該對(duì)擴(kuò)散阻擋物的上部之間；以及空氣間隙區(qū)，所述空氣間隙區(qū)在所述電介質(zhì)帽蓋之下，由所述電介質(zhì)帽蓋的底面、該對(duì)擴(kuò)散阻擋物以及所述開口的底部的所述部分限定。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中形成在該對(duì)金屬線之間并與其相接觸的所述中;L.、區(qū)包括: 隔離層，所述隔離層具有與該對(duì)金屬線相接觸的側(cè)面部分，并且具有在所述側(cè)面部分之間并與所述開口的底部相接觸的底部部分；以及 電介質(zhì)區(qū)，所述電介質(zhì)區(qū)在所述隔離層的底部部分上并在所述隔離層的所述側(cè)面部分之間。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中形成在該對(duì)金屬線之間并與其相接觸的所述中;L.、區(qū)包括: 隔離層，所述隔離層具有與該對(duì)金屬線相接觸的側(cè)面部分，并且具有在所述側(cè)面部分之間并與所述開口的底部相接觸的底部部分； 電介質(zhì)帽蓋，所述電介質(zhì)帽蓋形成在所述側(cè)面部分的上部之間；以及空氣間隙區(qū)，所述空氣間隙區(qū)在所述電介質(zhì)帽蓋之下，由所述電介質(zhì)帽蓋的底面、所述隔離層的底部部分以及所述隔離層的所述側(cè)面部分限定。
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及集成電路的制備，并且更具體地，涉及用于使用選擇性沉積工藝在開口中制備一對(duì)超薄金屬線的結(jié)構(gòu)和方法。
【IPC分類】H01L21/768
【公開號(hào)】CN105531812
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480050162
【發(fā)明人】李俊濤, 楊智超, 殷允朋
【申請(qǐng)人】國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
【公開日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2014年9月11日
【公告號(hào)】US20150069625, WO2015035925A1