2和圖3，基于上述思想，本實(shí)施例提出了一種具有MP0L器件的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)，包括:多晶硅器件區(qū)域400和嵌入式閃存剩余區(qū)域(圖未示出)，所述嵌入式閃存剩余區(qū)域?yàn)樗銮度胧介W存除所述多晶硅器件區(qū)域400以外的區(qū)域；所述多晶硅器件區(qū)域400包括基底(圖未示出)和形成在所述基底上的多個(gè)有源區(qū)100和多個(gè)虛擬有源區(qū)(Dummy ACT) 110，所述有源區(qū)100和虛擬有源區(qū)110之間均由淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)200隔離開(kāi)，所述虛擬有源區(qū)110和一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)200位于圖案化淺溝槽隔離光阻300的下方，所述圖案化淺溝槽隔離光阻300暴露出所述有源區(qū)100和另一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)200，所述有源區(qū)100、虛擬有源區(qū)110、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)200及圖案化淺溝槽隔離光阻300均具有預(yù)定線寬，所述圖案化淺溝槽隔離光阻300之間保持預(yù)定間距。
[0029]具體的，所述有源區(qū)100的線寬W1范圍是0.2 μ m?0.6 μ m，例如是0.5 μ m，所述虛擬有源區(qū)110的線寬W2范圍是0.1 μ m?0.7 μ m，例如是0.4 μ m，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)200的線寬W3范圍是0.Ιμπι?0.5 μ m，例如是0.3 μ m，所述圖案化淺溝槽隔離光阻300的線寬W4范圍是0.3 μ m?1.7 μ m，例如是1 μ m，所述圖案化淺溝槽隔離光阻300之間的預(yù)定間距L1范圍是1 μ m?1.5 μ m,例如是1.3 μ m。采用該種結(jié)構(gòu)，定義出每個(gè)結(jié)構(gòu)的線寬以及圖案化淺溝槽隔離光阻300之間的預(yù)定間距L1是為了保證離子注入不會(huì)造成二次重復(fù)注入，使一個(gè)角度的離子注入離有源區(qū)100靠近圖案化淺溝槽隔離光阻300 —邊最近的距離L2為0.6 μ m，但需要保證有源區(qū)100的線寬W1小于等于距離L2，才可保證不會(huì)發(fā)生二次重復(fù)注入。
[0030]其中，有源區(qū)100包括多晶硅101和形成在多晶硅101上的氮化硅102，多晶硅101的厚度可以為600埃，氮化硅102的厚度可以為800埃，圖案化淺溝槽隔離光阻300的厚度為9000埃。
[0031]在本實(shí)施例的另一方面，還提出了一種嵌入式閃存的制造方法，包括步驟:
[0032]提供包括如上文所述的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)；
[0033]在形成GSTI區(qū)時(shí)，先定義所述多晶硅器件區(qū)域400的淺溝槽隔離光罩(GST10)，再形成相應(yīng)的圖案化淺溝槽隔離光阻300，并保持在嵌入式閃存剩余區(qū)域形成的圖案化淺溝槽隔離光阻300不變；
[0034]以所述圖案化淺溝槽隔離光阻300為GSTI區(qū)的掩模，對(duì)所述有源區(qū)100進(jìn)行離子注入。
[0035]同樣的，本實(shí)施例也是通過(guò)一些算法來(lái)定義所述多晶硅器件區(qū)域400的淺溝槽隔離光罩，以便形成相應(yīng)的圖案化淺溝槽隔離光阻300，具體算法如下:
[0036]GSTI = {MCEL not [ ((((FLGT or DUM_CAP)size 0.17)size-0.17)size 0.08)orGST1]},
[0037]其中，GSTI即為GSTI光罩的生成方式，MCEL為嵌入式閃存剩余區(qū)域及MP0L器件的標(biāo)志層，F(xiàn)LGT為嵌入式閃存內(nèi)的浮柵定義區(qū)域，DUM_CAP為嵌入式閃存之外的電容區(qū)域，not為邏輯運(yùn)算的“減”，size 0.17) size-0.17)為邏輯檢查運(yùn)算，size 0.08為邏輯運(yùn)算，將兩邊各脹大0.08 μ m,or為邏輯運(yùn)算的“加”，GST10為多晶硅器件區(qū)域400自定義的淺溝槽隔離光罩部分，“or GST10”為本發(fā)明中對(duì)GSTI光罩的生成方式的修改，最終GSTI光阻多加了自行定義的GST10這一部分。
[0038]因此，采用此種方式便能夠?qū)崿F(xiàn)僅對(duì)多晶硅器件區(qū)域400的淺溝槽隔離光罩做改變，而不改變剩余區(qū)域的淺溝槽隔離光罩，在不影響剩余區(qū)域的工藝前提下，使淺溝槽隔離光罩起到作為形成WLSP1光罩的作用，從而可以節(jié)省WLSP1的光罩，達(dá)到降低成本的目的。
[0039]此外，該工藝實(shí)現(xiàn)了與不含MP0L器件的嵌入式閃存工藝兼容，不會(huì)對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)能和運(yùn)營(yíng)造成影響。光罩做相應(yīng)調(diào)整如下:GSIT光罩，修改了多晶硅器件區(qū)域400的部分，如上文所述；有源區(qū)光罩，修改了多晶硅器件區(qū)域400的部分，如圖2中有源區(qū)100所示的部分；WLSP2光罩，修改了多晶硅器件區(qū)域400的部分，如圖4中柵極500所示的部分。
[0040]本實(shí)施例提出的方法中，在形成具有MP0L器件的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)中，除了使用淺溝槽隔離光罩之外，還依次使用有源區(qū)光罩、第二字線間距光罩(WLSP2)、N阱光罩(NGRD)，采用所述有源區(qū)光罩形成的光阻遮擋住所述多晶硅器件的有源區(qū)，采用所述第二字線間距光罩形成的光阻遮擋住所述多晶硅器件區(qū)域的柵極，采用所述N阱光罩形成的光阻暴露出所述多晶硅器件區(qū)域。[0041 ] 綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)及嵌入式閃存的制造方法中，在多晶硅器件區(qū)域形成由淺槽隔離結(jié)構(gòu)隔離開(kāi)的多個(gè)有源區(qū)和多個(gè)虛擬有源區(qū)，通過(guò)定義多晶硅器件區(qū)域的淺溝槽隔離光罩，使圖案化淺溝槽隔離光阻形成在虛擬有源區(qū)和一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)的上方，暴露出有源區(qū)和另一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行離子注入時(shí)，為了不影響閃存器件的性能，通常離子注入的角度均被固定，通過(guò)調(diào)節(jié)有源區(qū)、虛擬有源區(qū)、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及圖案化淺溝槽隔離光阻的線寬和圖案化淺溝槽隔離光阻之間的間距避免離子對(duì)有源區(qū)造成二次重復(fù)注入，在不影響閃存器件的前提下，保證了 MP0L器件的性能，同時(shí)能夠節(jié)省形成WLSP1時(shí)的光罩，降低生產(chǎn)成本。
[0042]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:多晶硅器件區(qū)域和嵌入式閃存剩余區(qū)域，所述嵌入式閃存剩余區(qū)域?yàn)樗銮度胧介W存除所述多晶硅器件區(qū)域以外的區(qū)域；所述多晶硅器件區(qū)域包括基底和形成在所述基底上的多個(gè)有源區(qū)和多個(gè)虛擬有源區(qū)，所述有源區(qū)和虛擬有源區(qū)之間均由淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離開(kāi)，所述虛擬有源區(qū)和一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)位于圖案化淺溝槽隔離光阻的下方，所述圖案化淺溝槽隔離光阻暴露出所述有源區(qū)和另一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)，所述有源區(qū)、虛擬有源區(qū)、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及圖案化淺溝槽隔離光阻均具有預(yù)定線寬，所述圖案化淺溝槽隔離光阻之間保持預(yù)定間距。2.如權(quán)利要求1所述的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源區(qū)的線寬范圍是0.2 μ m ?0.6 μ m。3.如權(quán)利要求1所述的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述虛擬有源區(qū)的線寬范圍是 0.1 μ m ?0.7 μ m。4.如權(quán)利要求1所述的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的線寬范圍是0.1 μ m?0.5 μ m。5.如權(quán)利要求1所述的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖案化淺溝槽隔離光阻的線寬范圍是0.3μπι?1.7μπι，所述圖案化淺溝槽隔離光阻之間的預(yù)定間距范圍是1 μ m ?1.5 μ m。6.一種嵌入式閃存的制造方法，其特征在于，所述方法包括步驟: 提供包括如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的嵌入式閃存的結(jié)構(gòu)； 定義所述多晶硅器件區(qū)域的淺溝槽隔離光罩，形成相應(yīng)的圖案化淺溝槽隔離光阻，并保持在嵌入式閃存剩余區(qū)域形成的圖案化淺溝槽隔離光阻不變； 以所述圖案化淺溝槽隔離光阻為掩模，對(duì)所述有源區(qū)進(jìn)行離子注入。7.如權(quán)利要求6所述的嵌入式閃存的制造方法，其特征在于，除了使用淺溝槽隔離光罩之外，還依次使用有源區(qū)光罩、第二字線間距光罩、N阱光罩，采用所述有源區(qū)光罩形成的光阻遮擋住所述多晶硅器件的有源區(qū)，采用所述第二字線間距光罩形成的光阻遮擋住所述多晶硅器件區(qū)域的柵極，采用所述N阱光罩形成的光阻暴露出所述多晶硅器件區(qū)域。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種嵌入式閃存結(jié)構(gòu)及嵌入式閃存的制造方法，在多晶硅器件區(qū)域形成由淺槽隔離結(jié)構(gòu)隔離開(kāi)的多個(gè)有源區(qū)和多個(gè)虛擬有源區(qū)，通過(guò)定義多晶硅器件區(qū)域的淺溝槽隔離光罩，使圖案化淺溝槽隔離光阻形成在虛擬有源區(qū)和一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)的上方，暴露出有源區(qū)和另一部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行離子注入時(shí)，為了不影響閃存器件的性能，通常離子注入的角度均被固定，通過(guò)調(diào)節(jié)有源區(qū)、虛擬有源區(qū)、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及圖案化淺溝槽隔離光阻的線寬和圖案化淺溝槽隔離光阻之間的間距避免離子對(duì)有源區(qū)造成二次重復(fù)注入，在不影響閃存器件的前提下，保證了MPOL器件的性能，同時(shí)能夠節(jié)省形成WLSP1時(shí)的光罩，降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L21/8247, H01L27/115
【公開(kāi)號(hào)】CN105470259
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410466050
【發(fā)明人】胡勇
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2014年9月12日