料層的表面裸露出所述導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件；
[0047]S60:在所述第一封料層上形成連接所述導(dǎo)電柱與所述連接部件的第二重布線層；
[0048]S70:在所述第二重布線層上形成第二封料層，所述第二封料層的表面裸露出所述第二重布線層的連接區(qū)域；
[0049]S80:在所述連接區(qū)域上形成焊球。
[0050]首先執(zhí)行步驟S10，提供承載板101，在承載板101的表面通過激光形成對準(zhǔn)標(biāo)記，在承載板101的正面形成第一開口部103，如圖2所示。第一開口部103通過硅蝕刻的方式形成。
[0051]可選的，第一開口部的橫截面成多邊形，多邊形至少包括四條邊。如圖2所示，第一開口部的橫截面呈矩形。
[0052]執(zhí)行步驟S20，在第一開口部103的周圍形成第一重布線層104，如圖3所示。第一重布線層104包括多個第一重布線區(qū)域，多個第一重布線區(qū)域互不相連且圍繞所述第一開口部。
[0053]接著執(zhí)行步驟S30，在第一重布線層上形成導(dǎo)電柱105，導(dǎo)電柱105的頂面高于待裝載芯片的頂面。如圖4所示，每個第一重布線區(qū)域上形成一個或多個導(dǎo)電柱105。
[0054]可選的，在第一開口部103的周圍，沿著每條邊導(dǎo)電柱105均呈一排布置。
[0055]執(zhí)行步驟S40，在第一開口部103內(nèi)裝載芯片102，形成如圖5和圖6所示的結(jié)構(gòu)。
[0056]作為一種可選的實施方式，承載板去哦去的正面可形成一個或多個第一開口部。其中，第一開口部包括一個凹槽，凹槽內(nèi)可設(shè)置有一個芯片(如圖5和圖6所示)，也可以設(shè)置多個芯片(圖中未示出)；或者，第一開口部可以包括多個凹槽，每個凹槽內(nèi)設(shè)置一個芯片。
[0057]接著執(zhí)行步驟S50，在承載板的正面設(shè)置第一封料層106，第一封料層106的表面裸露出導(dǎo)電柱頂面和芯片的連接部件，如圖7和圖8所示，
[0058]其中，將第一封料層106填充于承載板101、第一重布線層104、導(dǎo)電柱105和芯片102之間，第一封料層106的頂面高于導(dǎo)電柱105的頂面；在第一封料層106的表面形成第二開口部107，第二開口部107露出導(dǎo)電柱頂面和芯片的連接部件。
[0059]芯片102的功能面朝上，該功能面為連接部件所在的表面。
[0060]可選的，連接部件優(yōu)選為芯片的焊盤。
[0061]可選的，第一封料層106為樹脂層，可以采用感光樹脂，通過曝光顯影的工藝在第一封料層106上相應(yīng)位置形成第二開口部107以露出導(dǎo)電柱105頂面和芯片102的連接部件。
[0062]執(zhí)行步驟S60，在第一封料層上形成連接導(dǎo)電柱與連接部件的第二重布線層，如圖9所示。具體的，在第一封料層106表面形成的第二開口部107上形成第二重布線層108，以建立導(dǎo)電柱與連接部件的電連接。
[0063]繼續(xù)執(zhí)行步驟S70:在第二重布線層108上形成第二封料層109，第二封料層的表面裸露出第二重布線層的連接區(qū)域，如圖10所示。
[0064]具體的，將第二封料層109填充于第一封料層以及第二重布線層108的上方，第二封料層109的頂面高于第二重布線層108的頂面；在第二封料層的表面形成第三開口部110，以露出第二重布線層的連接區(qū)域。第二封料層109的材料可優(yōu)選為感光樹脂，通過曝光顯影的工藝在第二封料層109上相應(yīng)位置形成第三開口部110。
[0065]執(zhí)行步驟S80:在連接區(qū)域上形成焊球。如圖11所示，焊球111形成于第三開口部109內(nèi)的連接區(qū)域上。
[0066]形成封裝結(jié)構(gòu)后，對承載板的背面打磨，減小封裝厚度，且便于散熱，并進(jìn)行封裝測試，方便后續(xù)剔除不良封裝品。
[0067]最后，對封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行單元化分割。
[0068]本發(fā)明提供的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，可對多個不同的芯片進(jìn)行封裝，具有較高的集成度和整合度，此外，符合半導(dǎo)體封裝輕薄短小的趨勢要求，可靠性高。
[0069]以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項】
1.一種扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 承載板，所述承載板上的第一開口部內(nèi)裝載有芯片； 形成于所述承載板上且位于所述第一開口部周圍的第一重布線層； 形成于所述第一重布線層上的導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的頂面高于所述芯片的頂面；形成于所述承載板上的第一封料層，所述第一封料層表面裸露出所述導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件； 形成于所述第一封料層上連接所述導(dǎo)電柱與所述芯片的第二重布線層； 形成于所述第二重布線層上的第二封料層，所述第二封料層裸露出所述第二重布線層的連接區(qū)域； 形成于所述連接區(qū)域上的焊球。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一重布線層包括多個第一重布線區(qū)域，所述多個第一重布線區(qū)域互不相連且圍繞所述第一開口部， 每個第一重布線區(qū)域上形成一個或多個所述導(dǎo)電柱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出晶圓級封裝方法，其特征在于， 所述第一開口部的橫截面呈多邊形，所述多邊形至少包括四條邊。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扇出晶圓級封裝方法，其特征在于， 在所述第一開口部的周圍，沿著每條邊所述導(dǎo)電柱均呈一排布置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級封裝方法，其特征在于， 在所述承載板的正面形成一個或多個所述第一開口部， 所述第一開口部包括一個凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)置有一個或多個芯片；或，所述第一開口部包括多個凹槽，每個凹槽內(nèi)設(shè)置有一個芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一封料層填充于所述承載板、所述第一重布線層、所述導(dǎo)電柱和所述芯片之間，所述第一封料層的頂面高于所述導(dǎo)電柱的頂面； 所述第一封料層上形成有第二開口部，以露出所述導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成于所述第二開口部上的第二重布線層，以建立所述導(dǎo)電柱與所述連接部件的電連接。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二封料層包覆所述第二重布線層，且在所述第二封料層上形成有第三開口部，以露出所述第二重布線層的連接區(qū)域； 所述焊球形成于所述第三開口部內(nèi)的連接區(qū)域上。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接部件為芯片的焊盤。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一封料層和所述第二封料層為樹脂層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括：承載板，承載板上的第一開口部內(nèi)裝載有芯片；形成于承載板上且位于第一開口部周圍的第一重布線層；形成于第一重布線層上的導(dǎo)電柱，導(dǎo)電柱的頂面高于芯片的頂面；形成于承載板上的第一封料層，第一封料層表面裸露出導(dǎo)電柱頂面和芯片的連接部件；形成于第一封料層上連接導(dǎo)電柱與芯片的第二重布線層；形成于第二重布線層上的第二封料層，第二封料層裸露出第二重布線層的連接區(qū)域；形成于連接區(qū)域上的焊球。本發(fā)明利用阻流結(jié)構(gòu)fanout工藝，形成柵欄狀的柱子區(qū)域，以限制樹脂在固化過程中的漲縮，限制芯片的偏移；在承載板上方、導(dǎo)電柱下方設(shè)置第一重布線層，增加結(jié)合力、提高散熱性能。
【IPC分類】H01L23/495
【公開號】CN105390471
【申請?zhí)枴緾N201510750934
【發(fā)明人】丁萬春
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年11月6日