，其中所述多個(gè)離子注入操作在該漏極區(qū)域內(nèi)形成相應(yīng)的多個(gè)分立的注入層，并且其中所述注入層中的每一個(gè)形成在該漏極區(qū)域內(nèi)的不同深度處。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該氧化物層具有20納米-500納米的厚度。3.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中使該半導(dǎo)體襯底傾斜包括使該半導(dǎo)體襯底傾斜以使得離子束以偏離垂線3度-10度的角度撞擊在該氧化物層上。4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中該氧化物層是第一氧化物層，其中形成該第一氧化物層包括使用熱氧化工藝形成該第一氧化物層，并且其中該方法還包括使用低溫氧化物沉積工藝在該第一氧化物層的頂部上沉積第二氧化物層。5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中該氧化物層是第一氧化物層，其中該方法還包括在該第一氧化物層的頂部上形成第二氧化物層，其中該第一氧化物層具有20納米-500納米的厚度，且其中該第二氧化物層具有0.1微米-2微米的厚度。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 執(zhí)行蝕刻處理以暴露該半導(dǎo)體襯底的在該主體區(qū)域的頂部上方的表面； 在該主體區(qū)域的頂部上方形成一個(gè)柵極氧化物層，其中該柵極氧化物層鄰接該第一氧化物層和該第二氧化物層；以及 在該柵極氧化物層的頂部以及該第二氧化物層的一部分上方形成一個(gè)柵極電極，其中該柵極電極的在該第二氧化物層的所述一部分上方的部分位于所述注入層的靠近該主體區(qū)域的多個(gè)部分的頂部上方。7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)分立的注入層中的每個(gè)注入層具有0.1微米_2微米的厚度。8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中該漏極區(qū)域包括一個(gè)η型阱，其中執(zhí)行所述多個(gè)離子注入操作包括執(zhí)行三個(gè)離子注入操作以形成三個(gè)分立的Ρ型注入層，其中所述Ρ型注入層的第一層形成在該半導(dǎo)體襯底的鄰接該氧化物層的表面處，其中所述Ρ型注入層的第二層形成在所述Ρ型注入層的所述第一層的下方，并且其中所述Ρ型注入層的第三層形成在所述Ρ型注入層的所述第二層的下方。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一ρ型注入層和所述第二 ρ型注入層通過(guò)η型阱的第一 η型區(qū)域分開(kāi)，該第一 η型區(qū)域具有0.5微米-3微米的厚度，并且其中所述第二 Ρ型注入層和所述第三Ρ型注入層通過(guò)所述η型阱的第二 η型區(qū)域分開(kāi)，該第二 η型區(qū)域具有0.5微米_3微米的厚度。10.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中該漏極區(qū)域包括一個(gè)η型阱，其中執(zhí)行所述多個(gè)離子注入操作包括執(zhí)行三個(gè)離子注入操作以在所述η型阱內(nèi)形成三個(gè)分立的ρ型注入層，其中所述P型注入層的第一層埋藏在該襯底的表面下方使得所述η型阱的一個(gè)η型區(qū)域設(shè)置在該氧化物層和所述第一 Ρ型注入層之間，其中所述Ρ型注入層的第二層形成在所述Ρ型注入層的第一層的下方，并且其中所述Ρ型注入層的第三層形成在所述Ρ型注入層的所述第二層的下方。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一ρ型注入層通過(guò)η型阱的第一 η型區(qū)域與該氧化物層分開(kāi)，該第一 η型區(qū)域具有0.05微米-2微米的厚度，其中所述第一 ρ型注入層和所述第二 Ρ型注入層通過(guò)該η型阱的第二 η型區(qū)域分開(kāi)，該第二 η型區(qū)域具有0.5微米_3微米的厚度，并且其中所述第二 ρ型注入層和所述第三ρ型注入層通過(guò)該η型阱的第三η型區(qū)域分開(kāi)，該第三η型區(qū)域具有0.5微米-3微米的厚度。12.一種用于制造高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，該方法包括: 在半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)主體區(qū)域； 在該半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)源極區(qū)域；以及 在該半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)漏極區(qū)域，該漏極區(qū)域通過(guò)該主體區(qū)域與該源極區(qū)域分開(kāi)，其中形成該漏極區(qū)域包括: 在該半導(dǎo)體襯底的在該漏極區(qū)域上方的表面上形成一個(gè)氧化物層；以及 穿過(guò)該氧化物層執(zhí)行三個(gè)離子注入操作以在該漏極區(qū)域內(nèi)形成三個(gè)分立的注入層，其中所述注入層中的每一個(gè)被沉積在該漏極區(qū)域內(nèi)的不同深度處，并且其中所述三個(gè)注入層中的第一層位于該半導(dǎo)體的鄰接該氧化物層的表面處。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中執(zhí)行三個(gè)離子注入操作包括使該半導(dǎo)體襯底傾斜以使得離子束以偏離垂線的一個(gè)角度撞擊在該氧化物層上。14.根據(jù)權(quán)利要求12-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其中該氧化物層是第一氧化物層，其中該方法還包括在該第一氧化物層的頂部上形成第二氧化物層，其中該第一氧化物層具有20納米-500納米的厚度，且其中該第二氧化物層具有0.1微米-2微米的厚度。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 執(zhí)行蝕刻處理以暴露該半導(dǎo)體襯底的在該主體區(qū)域的頂部上方的表面； 在該主體區(qū)域的頂部上方形成一個(gè)柵極氧化物層，其中該柵極氧化物層鄰接該第一氧化物層和該第二氧化物層；以及 在該柵極氧化物層的頂部上方形成一個(gè)柵極電極。16.根據(jù)權(quán)利要求12-15中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述三個(gè)注入層中的每一個(gè)均具有0.1微米_2微米的厚度。17.根據(jù)權(quán)利要求12-16中的任一項(xiàng)所述的方法，其中該漏極區(qū)域包括一個(gè)η型阱，其中所述三個(gè)注入層是Ρ型注入層，其中所述Ρ型注入層的第二層形成在所述Ρ型注入層的第一層的下方，并且其中所述Ρ型注入層的第三層形成在所述Ρ型注入層的第二層的下方。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一ρ型注入層和所述第二 ρ型注入層通過(guò)所述η型阱的第一 η型區(qū)域分開(kāi)，該第一 η型區(qū)域具有0.5微米-3微米的厚度，并且其中所述第二 Ρ型注入層和所述第三Ρ型注入層通過(guò)所述η型阱的第二 η型區(qū)域分開(kāi)，該第二 η型區(qū)域具有0.5微米-3微米的厚度。19.一種高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HVFET)，包括: 一個(gè)主體區(qū)域，其在一個(gè)半導(dǎo)體襯底中； 一個(gè)源極區(qū)域，其在該半導(dǎo)體襯底中； 一個(gè)漏極區(qū)域，其在該半導(dǎo)體中，該漏極區(qū)域通過(guò)該主體區(qū)域與該源極區(qū)域分開(kāi)，其中該漏極區(qū)域包括三個(gè)分立的注入層，其中所述注入層中的每一個(gè)處于該漏極區(qū)域內(nèi)的不同深度處，并且其中所述三個(gè)注入層的第一層位于該半導(dǎo)體襯底的一個(gè)表面處；以及 一個(gè)氧化物層，其在該半導(dǎo)體襯底的在該漏極區(qū)域上方的表面上并且鄰接該漏極區(qū)域中的所述第一注入層。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的HVFET，其中該氧化物層是第一氧化物層，其中該HVFET還包括在該第一氧化物層的頂部上的第二氧化物層，其中該第一氧化物層具有20納米-500納米的厚度，且其中該第二氧化物層具有0.1微米-2微米的厚度。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的HVFET，還包括: 一個(gè)柵極氧化物層，其在該主體區(qū)域的頂部上方的表面的頂部上，其中該柵極氧化物層鄰接該第一氧化物層和該第二氧化物層；以及一個(gè)柵極電極，其在該柵極氧化物層的頂部上方。22.根據(jù)權(quán)利要求19-21中的任一項(xiàng)所述的HVFET，其中所述三個(gè)注入層中的每一個(gè)均具有0.1微米_2微米的厚度。23.根據(jù)權(quán)利要求19-22中的任一項(xiàng)所述的HVFET，其中該漏極區(qū)域包括一個(gè)η型阱，其中所述三個(gè)注入層是Ρ型注入層，其中所述Ρ型注入層的第二層位于所述Ρ型注入層的所述第一層的下方，并且其中所述Ρ型注入層的第三層位于所述Ρ型注入層的所述第二層的下方。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的HVFET，其中所述第一ρ型注入層和所述第二 ρ型注入層通過(guò)所述η型阱的第一 η型區(qū)域分開(kāi)，該第一 η型區(qū)域具有0.5微米-3微米的厚度，并且其中所述第二 Ρ型注入層和所述第三Ρ型注入層通過(guò)所述η型阱的第二 η型區(qū)域分開(kāi)，該第二 η型區(qū)域具有0.5微米-3微米的厚度。25.一種用于制造高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，該方法包括: 在半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)主體區(qū)域； 在該半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)源極區(qū)域；以及 在該半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)漏極區(qū)域，該漏極區(qū)域通過(guò)該主體區(qū)域與該源極區(qū)域分開(kāi)，其中形成該漏極區(qū)域包括: 在半導(dǎo)體襯底的在該漏極區(qū)域上方的表面上形成第一氧化物層，其中該第一氧化物層具有20納米-500納米的厚度；以及 穿過(guò)該氧化物層執(zhí)行三個(gè)離子注入操作以在該漏極區(qū)域內(nèi)形成三個(gè)分立的注入層，其中所述注入層中的每一個(gè)被沉積在該漏極區(qū)域內(nèi)的不同深度處，并且其中所述三個(gè)分立的注入層中的每一個(gè)均具有0.1微米-2微米的厚度； 在該第一氧化物層的頂部上方形成第二氧化物層，其中該第二氧化物層具有0.1微米-2微米的厚度； 在該半導(dǎo)體襯底的在該漏極區(qū)域的頂部上方的表面上形成一個(gè)柵極氧化物層，其中該柵極氧化物層鄰接該第一氧化物層和該第二氧化物層；以及 在該柵極氧化物層的頂部以及該第二氧化物層的一部分上方形成一個(gè)柵極電極。
【專利摘要】一種用于制造高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，包括在半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)主體區(qū)域、一個(gè)源極區(qū)域和一個(gè)漏極區(qū)域。該漏極區(qū)域通過(guò)該主體區(qū)域與該源極區(qū)域分開(kāi)。形成該漏極區(qū)域包括：在半導(dǎo)體襯底的在該漏極區(qū)域上方的表面上形成一個(gè)氧化物層；以及在使該半導(dǎo)體襯底傾斜的同時(shí)穿過(guò)該氧化物層執(zhí)行多個(gè)離子注入操作使得離子束以偏離垂線的角度撞擊在該氧化物層上。所述多個(gè)注入操作在該漏極區(qū)域內(nèi)形成相應(yīng)的多個(gè)分立的注入層。所述注入層中的每一個(gè)形成在該漏極區(qū)域內(nèi)的不同深度處。
【IPC分類】H01L21/335, H01L29/78
【公開(kāi)號(hào)】CN105378934
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480039829
【發(fā)明人】V·帕塔薩拉蒂, S·班納吉
【申請(qǐng)人】電力集成公司
【公開(kāi)日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2014年6月28日
【公告號(hào)】DE112014003246T5, US20150014770, WO2015006074A1