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四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線的制作方法_2

文檔序號:9617820閱讀:來源:國知局
有利于小型化。
[0025]本發(fā)明具有以下突出特點(diǎn):將交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)應(yīng)用到天線的設(shè)計(jì)中,實(shí)現(xiàn)天線的小型化,通過調(diào)節(jié)交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)的耦合度,能夠靈活調(diào)整所需頻點(diǎn),利用EBG結(jié)構(gòu),提高天線的增益;本發(fā)明可作為2.4GHz的小型化WLAN天線。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)圖。
[0027]圖2為介質(zhì)基板上表面的俯視圖。
[0028]圖3為介質(zhì)基板下表面的俯視圖。
[0029]圖4為天線S11的仿真值。
[0030]圖5為天線E面方向圖。
[0031]圖6為天線Η面方向圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0033]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線的整體結(jié)構(gòu)圖。
[0034]本發(fā)明設(shè)有接地金屬板1、介質(zhì)基板5、同軸線6和福射金屬層4 ;所述福射金屬層4上刻蝕有交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu),輻射金屬層4的幾何中心和介質(zhì)基板5相互重合,介質(zhì)基板5的背面接地,在接地金屬板1上刻蝕有4X4的正方形孔,形成EBG結(jié)構(gòu)2,正方形孔按照等間距分布在介質(zhì)基板5的幾何中心位置,所述接地金屬板1的幾何中心位置向下設(shè)有一圓孔6,圓孔6用于提供第三極化方向的饋電端口 ;輻射縫隙是刻蝕的左右一對交指親合型縫隙左手結(jié)構(gòu)3和7,左右一對交指親合型縫隙左手結(jié)構(gòu)3和7結(jié)構(gòu)相同,左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)3和7上均設(shè)有2臂31和71,2臂31和71是交錯(cuò)等間距耦合,輻射金屬層呈反鏡像對稱。
[0035]所述介質(zhì)基板5選用高性能介質(zhì)基板,相對介電常數(shù)為4.4,長度L0為69.80±0.01mm、寬度 W0 為 44.03±0.01mm、厚度為 1.60±0.01_。
[0036]參見圖2,所述接地金屬板1上刻蝕的EBG結(jié)構(gòu)2,其每個(gè)正方形孔的邊長dl為
6.00±0.01mm,每個(gè)正方形孔的間距均相同,其間距d2為4±0.01_。
[0037]參見圖2,所述接地金屬板1上的圓孔6作為提供第三極化方向的饋電端口,其半徑為0.59 ±0.01mm,其位于介質(zhì)基板幾何中心位置向下2.50 ±0.01mm處。
[0038]參見圖3,為所述介質(zhì)基板的主福射面,覆有福射金屬層4,福射金屬層4為矩形結(jié)構(gòu),其長L1為34.90 ±0.01mm、寬W1為23.35 ±0.01mm ;在輻射金屬層4上刻蝕有交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)。
[0039]參見圖3,在輻射金屬層4上刻蝕的左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)3和7,左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)的縫隙寬度處處相等,寬度t為1.00±0.01mm,交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)的長a為12.00±0.01mm,左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)3和7的間距a2為12.00±0.01_,臂長al為6.88±0.01mm,兩臂之間的間距s為1.00±0.01_,臂距離邊界位置a3為4.5±0.01mm,交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)距離輻射金屬層4的下邊距離a4 為 7.58±0.01 mm η
[0040]參見圖4,天線S11頻率曲線的仿真值圖。從圖4中可以看出,本發(fā)明天線的-10dB帶寬為2.392?2.487GHz,中心頻率為2.45GHZ,在這個(gè)工作頻段內(nèi),最大回波損耗為33.685dB。表明本天線在這個(gè)工作頻段的回波損耗性能很好的達(dá)到WLAN的頻段要求。
[0041]參見圖5和6,其中圖5和6為2.45GHz頻點(diǎn)的E面和Η面方向圖。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于設(shè)有接地金屬板、介質(zhì)基板、同軸線和福射金屬層; 所述輻射金屬層上刻蝕有交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu),輻射金屬層的幾何中心和介質(zhì)基板相互重合,介質(zhì)基板的背面接地,在接地金屬板上刻蝕有4X4的正方形孔,形成EBG結(jié)構(gòu),正方形孔按照等間距分布在介質(zhì)基板的幾何中心位置,所述接地金屬板的幾何中心位置向下設(shè)有一圓孔,圓孔用于提供第三極化方向的饋電端口 ;輻射縫隙是刻蝕的左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu),左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)相同,左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)上均設(shè)有2臂,交錯(cuò)等間距耦合,輻射金屬層呈反鏡像對稱。2.如權(quán)利要求1所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述介質(zhì)基板的相對介電常數(shù)為2?6,長度為60?80mm,寬度為40?50mm,厚度為1.2?2.5mm。3.如權(quán)利要求2所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述介質(zhì)基板的相對介電常數(shù)為4.4,長度為69.80±0.01mm,寬度為44.03±0.01mm,厚度為1.60±0.01mm。4.如權(quán)利要求1所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述接地金屬板上刻蝕的EBG結(jié)構(gòu),其每個(gè)正方形孔的邊長為5.0?6.5mm,每個(gè)正方形孔的間距均相同,孔之間的間距為3.5?4.5mm。5.如權(quán)利要求4所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述接地金屬板上刻蝕的EBG結(jié)構(gòu),其每個(gè)正方形孔的邊長為6.00±0.01mm,每個(gè)正方形孔的間距均相同,孔之間的間距為4±0.01mm。6.如權(quán)利要求1所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述接地金屬板上的圓孔作為提供第三極化方向的饋電端口,圓孔半徑為0.59±0.01mm,圓孔位于介質(zhì)基板幾何中心位置向下2.50 ±0.01mm處。7.如權(quán)利要求1所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述輻射金屬層為矩形結(jié)構(gòu),其長為25?37mm,寬為18?28mm。8.如權(quán)利要求7所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述輻射金屬層為矩形結(jié)構(gòu),其長為34.90±0.01mm,寬為23.35±0.01mm。9.如權(quán)利要求1所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于所述左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)的縫隙寬度處處相等,寬度為1.00±0.01mm,交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)的長為12.00±0.01mm,左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)的間距為12.00±0.01mm,臂長為6.88 ±0.01mm,兩臂之間的間距為1.00 ±0.01mm,臂距離邊界位置為4.5±0.01mm,交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)距離輻射金屬層的下邊距離為7.58±0.01mm。10.如權(quán)利要求1所述四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,其特征在于在輻射金屬層上刻蝕有呈反鏡像對稱的平行四縫隙交指結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)兩側(cè)平行的兩對縫隙構(gòu)成四輻射縫隙,兩對輻射縫各向內(nèi)伸出兩條耦合縫,形成交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】四縫隙交指耦合調(diào)諧型微帶天線,涉及微帶天線。設(shè)有接地金屬板、介質(zhì)基板、同軸線和輻射金屬層;金屬層上刻蝕有交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu),金屬層的幾何中心和介質(zhì)基板相互重合,介質(zhì)基板的背面接地,在接地金屬板上刻蝕有4×4的正方形孔,形成EBG結(jié)構(gòu),正方形孔按照等間距分布在介質(zhì)基板的幾何中心位置,所述接地金屬板的幾何中心位置向下設(shè)有一圓孔,輻射縫隙是刻蝕的左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu),左右一對交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)上均設(shè)有2臂,金屬層呈反鏡像對稱。實(shí)現(xiàn)天線的小型化,通過調(diào)節(jié)交指耦合型縫隙左手結(jié)構(gòu)的耦合度,能夠靈活調(diào)整所需頻點(diǎn),利用EBG結(jié)構(gòu),提高天線的增益;可作為2.4GHz的小型化WLAN天線。
【IPC分類】H01Q1/38, H01Q1/48
【公開號】CN105375107
【申請?zhí)枴緾N201510833474
【發(fā)明人】周建華, 楊林鵬, 游佰強(qiáng), 李朋
【申請人】廈門大學(xué)
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年11月26日
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