表面203 (如圖3所示)固定。以下將結合附圖進行說明。
[0066]請參考圖6，在所述芯片210的功能面211粘貼第一粘結層214。
[0067]在本實施例中，所述第一粘結層214用于將芯片210的功能面211與載板200的第一表面203相互結合，使所述芯片210能夠實現(xiàn)倒裝。由于所述芯片210的功能面211與載板200相結合，則后續(xù)剝離載板200后，能夠直接暴露出芯片210的功能面211，有利于簡化工藝制程。
[0068]在一實施例中，所述第一粘結層214的材料為UV膠，所述UV膠經紫外線照射后粘性降低，以便后續(xù)將載板200從封裝結構中剝離。
[0069]在另一實施例中，所述第一粘結層214能夠通過涂布工藝形成于芯片210的功能面211。在其它實施例中，所述第一粘結層214還能夠為粘性材料層，直接貼附于所述芯片210的功能面211。
[0070]請參考圖7，將所述第一粘結層214與載板200芯片區(qū)201的第一表面203相互粘接，以固定芯片210的功能面211和載板200芯片區(qū)201的第一表面203。
[0071]在本實施例中，所述芯片210的功能面211與載板200第一表面203相結合，即實現(xiàn)芯片210倒裝。在后續(xù)去除載板200后，能夠直接暴露出芯片210的功能面211，有利于簡化工藝制程。
[0072]通過在芯片210的功能面211形成第一粘結層214之后再粘接于載板200表面，使得所述第一粘結層214能夠僅位于載板200與芯片210之間，從而能夠暴露出載板200的凹槽204，不僅有利于后續(xù)形成的塑封層與載板200之間的結合，還有利于所述凹槽204釋放載板200的應力。
[0073]在另一實施例中，將所述芯片的功能面與載板芯片區(qū)的第一表面固定的步驟包括:在所述載板的第一表面涂布第二粘結層；將芯片的功能面粘接于所述第二粘結層表面，并使所述芯片位于載板芯片區(qū)內。
[0074]請參考圖8，在所述載板200第一表面203和芯片210表面形成塑封層220。
[0075]在本實施例中，由于所述芯片210的功能面211與載板200第一表面203相互固定，則所述塑封層220覆蓋所述芯片210的非功能面212。后續(xù)去除載板200之后，所述塑封層220表面能夠直接暴露出芯片210的功能面211。在本實施例中，所述塑封層220與載板200接觸的表面為第二表面。此外，在本實施例中，所述塑封層220還能夠包括切割道區(qū)，所述塑封層220的切割道區(qū)位于所述載板200的切割區(qū)202表面。
[0076]所述塑封層220能夠為感光干膜、非感光干膜或者塑封材料膜。
[0077]在一實施例中，所述塑封層220為感光干膜，所述塑封層220的形成工藝為真空貼膜工藝。
[0078]在另一實施中，所述塑封層220的材料為塑封材料，所述塑封材料包括環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂、聚苯并惡唑樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚烯烴、聚氨酯、聚烯烴、聚醚砜、聚酰胺、聚亞氨酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚乙烯醇或其他合適的聚合物材料。
[0079]所述塑封層220的形成工藝包括注塑工藝(inject1n molding)、轉塑工藝(transfer molding)或絲網印刷工藝。所述注塑工藝包括:提供模具；在所述模具中填充塑封材料，使所述塑封材料包覆所述芯片210 ;對所述塑封材料進行升溫固化，形成塑封層220。
[0080]在所述升溫固化的過程中，由于所述載板200切割區(qū)202的第一表面203內具有凹槽204，所述凹槽204能夠抵消所述載板200和塑封層220之間的熱膨脹差異，由此釋放載板200的應力。從而能夠避免位于載板200第一表面203的芯片210位置發(fā)生漂移，還能夠避免所述塑封層220相對于載板200發(fā)生翹曲。因此，后續(xù)形成的再布線結構與所述芯片210功能面211之間的對位更精確，使再布線結構與焊墊213之間的電連接性能更優(yōu)。[0081 ] 在其他實施例中，所述塑封層220的材料也可以為其他絕緣材料。
[0082]在本實施例中，由于所述載板200切割區(qū)202的第一表面203內還具有凹槽204，所形成的塑封層220還位于所述凹槽204(如圖7所示)內，位于凹槽204內的部分塑封層220形成突出于塑封層220第二表面的凸起。
[0083]請參考圖9，去除所述載板200 (如圖8所示)，所述塑封層220的表面暴露出芯片210的功能面211。
[0084]在一實施例中，由于所述第一粘結層214 (如圖8所示)的材料為UV膠，通過對所述第一粘結層214進行紫外光照射，能夠使所述第一粘結層214的粘性降低；再將所述載板200自所述芯片210的功能面211和塑封層220的第二表面剝離，從而暴露出芯片210的功能面211和塑封層220的第二表面。
[0085]在其它實施例中，還能夠通過刻蝕工藝或化學機械拋光工藝去除所述載板200。
[0086]在去除所述載板200之后，后續(xù)形成所述再布線結構之前，對所述塑封層220表面和芯片210的功能面211進行清洗，以此去除殘留的第一粘結層214材料。
[0087]在本實施例中，在去除所述載板200之后，還包括去除位于所述凹槽204內的部分塑封層220形成凸起。去除所述凸起的工藝能夠為拋光工藝、刻蝕工藝或等離子體處理工
Ο
[0088]后續(xù)在所述塑封層220表面和芯片210的功能面211形成再布線結構。以下將結合附圖進行說明。
[0089]請參考圖10，在所述塑封層220表面形成第一絕緣層230，所述第一絕緣層230內具有暴露出所述芯片210功能面211部分表面的第一通孔231。
[0090]所述第一絕緣層230用于保護所述塑封層220表面。在本實施例中，所述第一通孔231暴露出所述芯片210表面的焊墊213，所述第一通孔231能夠使后續(xù)形成的再布線結構能夠與焊墊213電連接。
[0091]所述第一絕緣層230的形成步驟包括:在所述塑封層220和芯片210功能面211表面形成第一絕緣膜；對所述第一絕緣膜進行圖形化，形成第一絕緣層230，且所述第一絕緣層230內具有第一通孔231。
[0092]在一實施例中，所述第一絕緣層230的材料為聚合物材料或無機絕緣材料；所述聚合物材料能夠為絕緣樹脂；所述無機絕緣材料能夠為氧化娃、氮化娃、氮氧化娃中的一種或多種組合。
[0093]對所述第一絕緣膜進行圖形化的工藝包括:采用涂布工藝和曝光顯影工藝在第一絕緣膜表面形成圖形化的光刻膠層；以所述光刻膠層刻蝕所述第一絕緣膜。
[0094]刻蝕所述第一絕緣膜的工藝為各向異性的干法刻蝕工藝；所述各向異性的干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括ch4、chf3、ch3f中的一種或多種，偏置功率大于100瓦，偏置電壓大于10伏。
[0095]在另一實施例中，第一絕緣層230的材料為光刻膠，所述第一通孔231采用光刻工藝形成。
[0096]請參考圖11，在所述第一通孔231 (如圖10所示)內以及部分第一絕緣層230表面形成所述再布線結構232。
[0097]所述再布線結構232的形成步驟包括:在所述第一通孔231內以及第一絕緣層230表面形成導電膜，所述導電膜填充滿所述第一通孔231 ;平坦化所述導電膜；在平坦化工藝之后，在所述導電膜表面形成圖形化層，所述圖形化層覆蓋部分導電膜；以所述圖形化層為掩膜，刻蝕所述導電膜，直至暴露出第一絕緣層230面為止；在刻蝕所述導電膜之后，去除所述圖形化層。
[0098]在本實施例中，所述第一通孔231暴露出焊墊213，則形成于所述第一通孔231內的再布線結構232能夠與所述焊電213電連接。
[0099]所述導電膜的材料包括銅、鎢、鋁、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、銀中的一種或多種；刻蝕所述導電膜的工藝為各向異性的干法刻蝕工藝或者濕法刻蝕工藝；所述圖形化層能夠為圖形化的光刻膠層，還能夠為圖形化的硬掩膜，所述硬掩膜的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或的多種；所述平坦化工藝能夠為化學機械拋光工藝。
[0100]所述再布線結構232能夠為單層結構或多層結構，所述單層結構或多層結構的再布線結構232用于實現(xiàn)特定的電路功能。在本實施例中，所述再布線結構232為單層結構。在其它實施例中，所述再布線結構能夠包括多層布線層，且相鄰兩層布線層之間以絕緣層電隔離。
[0101]