1 (2000A)(陽極層）。
[0037] 其中電子注入層的光學折射率為1. 78。
[0038] 制備方法如下：
[0039] 選取玻璃襯底后，依次制備ΙΤ0陰極層、Ti02:Si02 (70A)電子注入層、Alq3i 子傳輸層（25〇A)、MADN:C545T綠色熒光發(fā)光層（25〇A)、NPB(20〇A)空穴傳輸層、M〇〇3 (80A)空穴注入層、A1 (2000A)陽極層；
[0040] 對于電子注入層，優(yōu)選的方法采用濕法制備，包括旋涂法，刮涂法，絲網(wǎng)印刷法等， 當然也可以采用干法制備，主要為真空蒸鍍法；
[0041] 對于其他層而言，則優(yōu)選為干法制備，當然也可以采用濕法制備。
[0042] 為了便于比對，以上述相同的方法制備對比器件B1，器件B1的結構為：
[0043] Glass(襯底）/ΙΤ0(陰極層）/Ti02 (70A)(電子注入層）/Alq3(電子傳輸 層）（250 人）/MADN:C545T(綠色熒光發(fā)光層）（25〇A，1. 5%)/NPB(200A)(空穴傳輸 層）/M〇03 (通人,:空穴注入層）/A1 (2:000? (陽極層）。
[0044] 為了便于比對，以上述相同的方法制備對比器件C1，器件C1的結構為：
[0045]Glass(襯底）/ΙΤ0 (陰極層）/Si02 (70為）（電子注入層）/Alq3 (電子傳輸 層）（250A)/MADN:C545T(綠色熒光發(fā)光層）（25〇A)/NPB(200A)(空穴傳輸層）/M〇03 ( 80A,'空穴注入層）/Α1 (2000Λ)(陽極層）。
[0046] 為了便于比對，以上述相同的方法制備對比器件D1，器件D1的結構為：
[0047] Glass(襯底）/ΙΤ0 (陰極層）/Alq3 (電子傳輸層）（250 人）/MADN:C545T(綠色熒 光發(fā)光層）（250A, 1. 5%)/NPB(200人）（空穴傳輸層）//Α1 (2000A)(陰極層）。
[0048] 器件六1、81、(：1、01(如圖1所示）均采用玻璃為襯底，折射率=1.5，其中器件八1 是具有新型光輸出耦合電子注入層的器件，器件B1的電子注入層為Ti02，Cl的電子注入層 為Si02，Dl則沒有電子注入層。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，器件六131、(：1、01的最大效率分別為8.1(3(1/ A, 6. 7cd/A，4.Ocd/A，0. 5cd/A。可以明顯的看出，較無電子注入層的器件Dl，C1和B1都有 所提高，而具有新型光輸出耦合電子注入層的器件A1的光強得到非常明顯的提高。
[0049] 實施例2
[0050] ΙΤ0 :氧化銦錫；
[0051] ZnO:氧化鋅；
[0052] MgF2 :氟化鎂
[0053] NPB: (N，Ν' -二苯基-N，Ν' - (1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺）；
[0054] C545T:2,3,6,7_ 四氫-1，1，7,7-四甲基-1Η，5Η，11Η-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪 并[9, 9Α, 1GH]香豆素；
[0055] MADN:2-methyl-9,l〇-bis(naphthalen-2-yl)anthracene
[0056]Alq3:八羥基卩奎琳錯；
[0057] A1 :鋁。
[0058] 所制備器件A2的結構為：PEN(襯底）/ΙΤ0(陰極層）/ZnO :MgF2(丨00A)(電 子注入層）/Alq3(電子傳輸層）（25〇A)/Alq3:C545T(綠色焚光發(fā)光層）（25〇A)/ NPB (200A)(空穴傳輸層）/W03(30A,空穴注入層）/A1 (2000A)(陽極層）。
[0059] 其中電子注入層的光學折射率為1· 82。
[0060] 制備方法如下：
[0061] 選取PEN襯底后，依次制備ΙΤ0陰極層、ZnO:MgF? (100Α)電子注入層、Alq3i 子傳輸層(250A)、Alq3:C545T(綠色熒光發(fā)光層）（250A)、NPB(200A)空穴傳輸層、 W03 (30A)空穴注入層、A1 (2000A)陽極層；
[0062] 對于電子注入層，優(yōu)選的方法采用濕法制備，包括旋涂法，刮涂法，絲網(wǎng)印刷法等， 當然也可以采用干法制備，主要為真空蒸鍍法；
[0063] 對于其他層而言，則優(yōu)選為干法制備，當然也可以采用濕法制備。
[0064] 為了便于比對，以上述相同的方法制備對比器件B2,器件B1的結構為：
[0065] PEN(襯底）/ΙΤ0 (陰極層）/ZnO(100A)(電子注入層）//Alq3 (電子傳輸 層）（250A) /Alq3: :C545T(綠色熒光發(fā)光層）（250A, 1. 5%)/NPB(200A)(空穴傳輸 層）/W〇3 (30A，空穴注入層）/A1 (2000A)(陽極層）。
[0066] 為了便于比對，以上述相同的方法制備對比器件C2,器件C1的結構為：
[0067] PEN(襯底）/ΙΤ0(陰極層）/MgF2(100A)(電子注入層）//Alq3(電子傳輸 層）（250人）以1(13:必451'(綠色熒光發(fā)光層）（250人）/陬8(200人）（空穴傳輸層）/W03 (|〇.人，空穴注入層）/A1 (2000A)(陽極層）。
[0068] 為了便于比對，以上述相同的方法制備對比器件D2,器件D1的結構為：
[0069] PEN(襯底）/ΙΤ0(陰極層）/Alq3(電子傳輸層）（250A) /Alq3: :C545T(綠色 熒光發(fā)光層）（250Λ, 1. 5 % )/NPB(200人）（空穴傳輸層）//W03 (30 1，空穴注入層）/A1 (2000A)(陽極層）。
[0070] 器件六1、81、(：1、01(如圖2所示）均采用玻璃為襯底，折射率=1.5，其中器件八1 是具有新型光輸出耦合電子注入層的器件，器件B1的電子注入層為Ti02，Cl的電子注入層 為Si02，Dl則沒有電子注入層。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，器件六131、(：1、01的最大效率分別為7.1(3(1/ A, 5. 6cd/A，3. 4cd/A，0. 4cd/A?？梢悦黠@的看出，較無電子注入層的器件D2,C2和B2都有 所提高，而具有新型光輸出耦合電子注入層的器件A2的光強得到非常明顯的提高
[0071] 以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實 施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存 在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0072] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來 說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護 范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1. 一種倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的襯底、陰極層、電子注 入層、有機功能層以及陽極層，所述有機功能層包括依次層疊的電子傳輸層、發(fā)光層、空穴 傳輸層以及空穴注入層，所述電子注入層的光學折射率介于陰極層與電子傳輸層之間。2. 根據(jù)權利要求1所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層由 光學折射率高的材料與光學折射率低的材料混合制備而成，所述光學折射率高的材料選自 Ti02、ZnO、Zr02sSnO2;所述光學折射率低的材料選自SiO2、LiF、MgF2SPMMA。3. 根據(jù)權利要求1或2所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層 的光學折射率為1.7-1. 9。4. 根據(jù)權利要求1或2所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層 的厚度為〇· 2-4nm〇5. 根據(jù)權利要求4所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的 厚度為5-20nm。6. 根據(jù)權利要求1或2所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，所述陰極層選自ΙΤ0、ΑΖ0或 IZ0 ;所述陽極層所使用的陽極金屬為A1或Ag。7. 權利要求1-8任一項所述的倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包 括如下步驟：選取襯底，按常規(guī)方法依次制備陰極、電子注入層、有機功能層以及陽極層，BP 得所述倒置型有機電致發(fā)光器件。8. 根據(jù)權利要求7所述的倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電 子注入層的制備方法為濕法制備或干法制備。9. 根據(jù)權利要求8所述的倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述濕 法制備為旋涂法，刮涂法或絲網(wǎng)印刷法；所述干法制備為真空蒸鍍法。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種倒置型有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的襯底、陰極層、電子注入層、有機功能層以及陽極層，所述有機功能層包括依次層疊的電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層，所述電子注入層的光學折射率介于陰極層與電子傳輸層之間。本發(fā)明的倒置型有機電致發(fā)光器件具有電子注入能力好，光學效果佳的特點，器件在得到相同亮度時只需要較小的電流，器件的工作電壓大大降低，因此器件的使用壽命將會大大延長，節(jié)約成本，利于器件的商業(yè)化。
【IPC分類】H01L51/56, H01L51/50
【公開號】CN105355797
【申請?zhí)枴緾N201510712665
【發(fā)明人】羅東向, 劉佰全, 黃林軼, 徐華偉, 胡堅耀, 范林勇, 黃慶禮, 賀致遠, 陳玉明
【申請人】工業(yè)和信息化部電子第五研究所, 華南理工大學
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年10月27日