色對應(yīng)的第2子像素106b以及與藍色對應(yīng)的第3子像素106c相鄰地排列。在本實施方式中，第1電極110(第1電極110a、第1電極110b、第1電極110c)不平坦，當將中央假定為大致平坦的基準面時，電極周緣部具有向上方(設(shè)置了發(fā)光層120的面一側(cè))彎曲的傾斜面。S卩，第1電極110(第1電極110a、第1電極110b、第1電極110c)具有位于發(fā)光層120的底面?zhèn)鹊钠教共亢鸵园鼑l(fā)光層120的方式設(shè)置的側(cè)面部。在本說明書中，有時將這樣的第1電極的形態(tài)稱為“浴缸構(gòu)造”。另外，有時指示這樣的構(gòu)造部而稱為“凹形構(gòu)造部”。
[0166]在凹形構(gòu)造部174中第2電極114隔著絕緣層設(shè)置在第1電極110上。如第2實施方式說明的那樣，第2電極114例如以組合了格柵電極118和母線電極116的圖案形成。發(fā)光層120設(shè)置在絕緣層112的上面。發(fā)光層120設(shè)置成至少填埋第2電極114的該開口部。另外，發(fā)光層120至少設(shè)置在凹形構(gòu)造部174的內(nèi)側(cè)。
[0167]第1電極110以金屬材料形成，并形成反射面。由發(fā)光層120發(fā)出的光向所有方向福射。從發(fā)光層120向第1電極110福射的光由第1電極110反射，且至少一部分從發(fā)光層120的上表面出射。另一方面，在發(fā)光層120中沿橫向?qū)Рǖ墓庥砂夹螛?gòu)造部174的周緣部的側(cè)壁部反射。由此，抑制了向相鄰的像素的漏光。并且，由于朝向發(fā)光層120的上方反射的光從發(fā)光層120出射，能夠取出到外部。
[0168]設(shè)置于各子像素106 (第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c)的凹形構(gòu)造部174的深度至少比第2電極114的厚度深，優(yōu)選的是供發(fā)光層120填埋的深度。通過設(shè)為這樣的構(gòu)造，由設(shè)置于凹形構(gòu)造部174的周緣部的傾斜面使在發(fā)光層120中導(dǎo)波的光反射，能夠提高光取出效率。
[0169]上述所示的第1電極110的形狀能夠通過加工基底絕緣膜而形成凹面，并沿著該凹面設(shè)置形成電極的金屬膜而制造。另外，能夠加工用于形成電極的金屬膜而設(shè)為凹面構(gòu)造?；蛘?，能夠通過將多個金屬膜層疊，將形成凹形構(gòu)造部174的底面的金屬層和形成傾斜面的金屬層重疊而設(shè)為凹面構(gòu)造。
[0170]這樣，根據(jù)本實施方式的像素結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒃诎l(fā)光層發(fā)出的光向光出射面的方向聚光。由此，能夠?qū)⒃诎l(fā)光層中沿橫向擴散的光取出到外部。即，能夠提高在像素發(fā)出的光的取出效率。
[0171]〈像素的結(jié)構(gòu)〉
[0172]圖23示出了與紅色對應(yīng)的第1子像素106a、與綠色對應(yīng)的第2子像素106b以及與藍色對應(yīng)的第3子像素106c排列的例子。各像素的發(fā)光顏色可設(shè)為:使量子點材料的組成、顆粒的尺寸不同而以預(yù)定的發(fā)光顏色將光出射。
[0173]圖25A表示在各子像素中設(shè)置發(fā)光顏色不同的第1發(fā)光層120a、第2發(fā)光層120b以及第3發(fā)光層120c的一例。在圖25A中，第1電極110(第1電極110a、第2電極114b、第2電極114c)獨立設(shè)置于各子像素，第2電極114在子像素間設(shè)置作為公共的電極。另夕卜，在第1電極110上設(shè)置有絕緣層112。根據(jù)圖25A的結(jié)構(gòu)，通過與各顏色對應(yīng)地設(shè)置具有量子點的第1發(fā)光層120a、第2發(fā)光層120b以及第3發(fā)光層120c，能夠構(gòu)成出射色純度高的光的像素。
[0174]此時，由于在各子像素中設(shè)置有凹形構(gòu)造部174，例如在第1子像素106a發(fā)出的光中的沿橫向?qū)Рǖ墓庥砂夹螛?gòu)造部174的傾斜面反射。因此，能夠防止光向相鄰的第2子像素106b泄漏。因此，能夠防止顏色混合，并與量子點的效果相結(jié)合而進行色純度高的圖像顯示。
[0175]圖26表示在第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c中公共地設(shè)置發(fā)出白色光的發(fā)光層120d，且在每個子像素中設(shè)置了與紅色對應(yīng)的第1彩色濾光片層168a、與綠色對應(yīng)的第2彩色濾光片層168b以及與藍色對應(yīng)的第3彩色濾光片層168c而成的像素結(jié)構(gòu)的一例。根據(jù)圖26的結(jié)構(gòu)，由于無需按每個子像素分割設(shè)置發(fā)光層，發(fā)光層的制造變?nèi)菀住?br>[0176]此時，各子像素的發(fā)光為單色，例如能夠抑制在第1子像素106a發(fā)出的光向傾斜方向輻射并向相鄰的第2子像素106b的彩色濾光片層168b入射。
[0177]圖27表示在各像素中公共設(shè)置了發(fā)出藍色或紫外光的發(fā)光層120e而成的一例。在發(fā)光層120e的上方，根據(jù)各像素設(shè)置有與紅色對應(yīng)的第1顏色轉(zhuǎn)換層170a、與綠色對應(yīng)的第2顏色轉(zhuǎn)換層170b以及與藍色對應(yīng)的第3顏色轉(zhuǎn)換層170c。通過使從發(fā)光層120b輻射的藍色光或紫外光向各顏色轉(zhuǎn)換層入射，從顏色轉(zhuǎn)換層出射與各顏色對應(yīng)的光。為了提高從顏色轉(zhuǎn)換層出射的光的色純度，也可以進一步組合彩色濾光片層168(與紅色對應(yīng)的第1彩色濾光片層168a、與綠色對應(yīng)的第2彩色濾光片層168b以及與藍色對應(yīng)的第3彩色濾光片層168c)。另外，顏色轉(zhuǎn)換層設(shè)為能夠轉(zhuǎn)換成白色或接近白色的光，并設(shè)置成與各子像素連續(xù)。
[0178]在該情況下，也能夠利用設(shè)置于各子像素的凹形構(gòu)造部，抑制光向相鄰的像素泄漏而產(chǎn)生顏色混合。
[0179]根據(jù)圖25、圖26以及圖27，能夠設(shè)為:各子像素的發(fā)光元件的構(gòu)造共用，而使發(fā)光層的量子點不同或，或者在各子像素中公共地設(shè)置單色的發(fā)光層并利用彩色濾光片層和/或顏色轉(zhuǎn)換層使從像素出射的光的波長不同。
[0180]〈制造工序〉
[0181]參照圖28A至圖28C說明本實施方式的顯示裝置的制造方法。
[0182]圖28A表示制造基底絕緣膜178的階段?；捉^緣膜178設(shè)置于成為顯示裝置的基體的基板128上?；捉^緣膜178能夠設(shè)置在埋入形成像素電路的控制元件、布線等的層間絕緣膜142上?；捉^緣膜178能夠使用無機絕緣材料或有機絕緣材料形成。作為無機絕緣材料，能夠使用氧化硅、氮化硅等。作為有機絕緣材料，能夠使用聚酰亞胺樹脂或丙稀酸樹脂等。
[0183]在基底絕緣膜178上，與形成發(fā)光元件的位置相匹配地形成凹形構(gòu)造部174。凹形構(gòu)造部174能夠通過利用蝕刻往下挖基底絕緣膜178而形成。另外，也能夠通過以多個層形成基底絕緣膜178來形成凹形構(gòu)造部174。例如，能夠通過在大致平坦的第1基底絕緣膜上，形成蝕刻速率比該第1基底絕緣膜快的第2基底絕緣膜，并選擇性地蝕刻第2基底絕緣膜而形成凹形構(gòu)造部174。
[0184]優(yōu)選的是，設(shè)置于基底絕緣膜178的凹形構(gòu)造部174的側(cè)壁部176成為傾斜面。通過沿著該側(cè)壁部176設(shè)置第1電極，能夠利用作為反射發(fā)光層發(fā)出的光的反射面。因此，根據(jù)第1電極的層差覆蓋性和作為光反射面的作用的方面，該傾斜部176的傾斜角為30度至70度，優(yōu)選處于45度至60度的范圍。另外，由凹形構(gòu)造部174導(dǎo)致的層差的高度為0.2 μ m至10 μπι，優(yōu)選為0.5 μ??至5 μπι。由于具有這樣的層差的高度，能夠沿著凹形構(gòu)造部174的傾斜部176設(shè)置第1電極，并使用作為反射板。
[0185]圖28Β表示在形成了凹形構(gòu)造部174的基底絕緣膜178的上表面上形成第1電極110和絕緣層112的階段。第1電極110由金屬材料形成。例如，能夠使用鋁(Α1)、銀(Ag)等金屬材料形成第1電極110。將在基底絕緣膜178上以厚膜形成的鋁(A1)、銀(Ag)等金屬膜圖案化而形成第1電極110后，形成絕緣層112。絕緣層112使用氧化硅、氮化硅等絕緣材料形成為lOOnm至lOOOnm的厚度。另外，在用招(A1)形成第1電極110的情況下，可以利用陽極氧化處理將鋁(A1)的表面氧化而使用作為絕緣層112。
[0186]圖28C表示在絕緣層112上形成第2電極114和發(fā)光層120的階段。第2電極114配置于第1電極110的上部，并形成為格柵電極118從母線電極116延伸的圖案，從而能夠使邊緣電場產(chǎn)生。除了鋁(A1)以外，第2電極114還能夠使用鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)等金屬材料或者鉬(Mo)-鎢(W)合金等這些金屬的合金來制造。另外，也可以使用ΙΤ0(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)、Ζη0、ΙΖ0(Indium Zinc Oxide:氧化銦鋅)等透明導(dǎo)電膜形成。
[0187]包含量子點的發(fā)光層120以與第1電極110重疊的方式設(shè)置在絕緣層112和至少格柵電極118(第2電極114的一部分)上。發(fā)光層120至少設(shè)置于凹形構(gòu)造部174的內(nèi)偵k為了在各子像素使發(fā)光顏色不同，需要使量子點的尺寸不同。在該情況下，通過將各子像素的發(fā)光層設(shè)置于凹形構(gòu)造部174的內(nèi)側(cè)，容易分離形成發(fā)光層而不與相鄰的子像素干涉。
[0188]包含量子點的發(fā)光層120用各種制造方法形成。例如，利用旋涂法或浸漬法、絲網(wǎng)印刷法、膠印法、苯胺印刷法、凸版印刷法等涂布法使量子點的膠體分散液涂布并堆積在絕緣層112上。此時，也可以使用成為發(fā)光層120的母體材料的無機半導(dǎo)體的微粒與量子點的共分散液。另外，也可以將分散有量子點的有機溶劑噴射噴霧并且離子化，并使其堆積于作為被堆積面的絕緣層112上。并且，也可以利用噴墨法形成包含量子點的溶液。這樣，能夠利用涂布法以埋設(shè)第2電極114的方式在絕緣層112上形成包含量子點的膜，并根據(jù)需要進行熱處理而除去殘留的溶劑，從而形成發(fā)光層120。
[0189]也可以在發(fā)光層120的上面設(shè)置氮化硅等覆膜作為保護膜。另外，也可以設(shè)置封固基板，不直接暴露于大氣。另外，在將發(fā)光層設(shè)為單色的發(fā)光體并設(shè)置顏色轉(zhuǎn)換層和/或彩色濾光片層的情況下，也可以在發(fā)光層120上設(shè)置這些層。
[0190]圖29A表示在發(fā)光層120上設(shè)置顏色轉(zhuǎn)換層170的結(jié)構(gòu)。如圖29A所示，通過靠近發(fā)光層120設(shè)置顏色轉(zhuǎn)換層170，能夠充分吸收來自發(fā)光層120的光，另外防止向相鄰的像素的漏光。此外，在圖29A中，也可以設(shè)置彩色濾光片層來代替顏色轉(zhuǎn)換層。圖29B表示在顏色轉(zhuǎn)換層170上重疊設(shè)置了彩色濾光片層168的結(jié)構(gòu)。也可以在顏色轉(zhuǎn)換層170與彩色濾光片層168之間設(shè)置絕緣層172。
[0191]為了進行彩色顯示，圖29A和圖29B所示的像素的結(jié)構(gòu)無需按每個像素(每個子像素)分別制造發(fā)光層120，能夠利用印刷法等與各像素(各子像素)對應(yīng)地分別制造顏色轉(zhuǎn)換層和/或彩色濾光片層，所以雖然工序數(shù)增加，但工序的難易度變?nèi)菀住?br>[0192]如以上，根據(jù)本實施方式，通過將位于設(shè)置在像素中的發(fā)光元件的背面?zhèn)鹊牡?電極的周緣部設(shè)為彎曲的形狀，并設(shè)置成包圍發(fā)光層的背面和側(cè)面，能夠?qū)⒌?電極有效地利用作為反射板。由此，包含量子點的發(fā)光層發(fā)出的光的出射方向被限制為表面(出射面)側(cè)，能夠提高光的取出效率。
[0193]另外，如第2實施方式所述，由于各像素的發(fā)光元件的發(fā)光強度由第1電極與第2電極的間隔即設(shè)置于第1電極與第2電極之間的絕緣層的厚度、第2電極的圖案控制，即使發(fā)光層的膜厚有偏差，也能夠設(shè)為不受到其影響。因此，即使將顯示裝置的像素部即顯示畫面大面積化，也能夠降低發(fā)光亮度的偏差。另外，由于通過使發(fā)光層包含量子點，能夠使發(fā)光光譜的峰值尖銳且色純度高的光出射，能夠顯示鮮明的圖像。并且，通過各像素的發(fā)光元件設(shè)為在發(fā)光層中包含量子點，且不在發(fā)光層的上面部設(shè)置電極的結(jié)構(gòu)，能夠提高發(fā)光效率和光的取出效率，并能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的低功耗化。
[0194][第5實施方式]
[0195]圖30表示本實施方式的顯示裝置的子像素。本實施方式的顯示裝置與第4實施方式所示的顯示裝置同樣地，第1電極110具有浴缸構(gòu)造。S卩，發(fā)光元件108b具有如下結(jié)構(gòu):第1電極110為反射電極，并且其周緣部彎曲而給光的出射帶來指向性。并且，如第3實施方式所示，設(shè)置有與第1電