43]所述絕緣層位于所述第二公共電極走線與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路走線之間、所述導(dǎo)電連接部與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路之間以及所述導(dǎo)電連接部與所述第一公共電極走線之間；
[0044]位于所述導(dǎo)電連接部與所述第一公共電極走線之間的絕緣層中形成有過(guò)孔，所述導(dǎo)電連接部連接通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一公共電極走線相連。
[0045]第二方面，本發(fā)明還提供了一種制作陣列基板的方法，可以用于制作第一方面所述的陣列基板，該方法包括:
[0046]在基底上形成柵極驅(qū)動(dòng)電路、位于所述柵極驅(qū)動(dòng)電路外側(cè)的柵極驅(qū)動(dòng)電路走線，位于所述柵極驅(qū)動(dòng)電路與顯示區(qū)域之間的第一公共電極走線；形成絕緣層并在柵極驅(qū)動(dòng)電路走線區(qū)域形成第二公共電極走線，在柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域以及第一公共電極走線區(qū)域形成導(dǎo)電連接部；
[0047]其中，所述第二公共電極走線與所述導(dǎo)電連接部相連；
[0048]所述絕緣層位于所述第二公共電極走線與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路走線之間、所述導(dǎo)電連接部與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路之間以及所述導(dǎo)電連接部與所述第一公共電極走線之間；
[0049]位于所述導(dǎo)電連接部與所述第一公共電極走線之間的絕緣層中形成有過(guò)孔，所述導(dǎo)電連接部連接通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一公共電極走線相連。
[0050]本發(fā)明提供的陣列基板以及本發(fā)發(fā)明提供的陣列基板制作方法所制作的陣列基板中，形成在基底上的第二公共電極走線能夠保證總的公共電極走線的寬度，在保證對(duì)公共電極的供電能力的情況下，能夠使得第一公共電極走線的寬度較小，且由于第二公共電極走線形成在柵極驅(qū)動(dòng)電路走線所在區(qū)域內(nèi)，不會(huì)額外占用邊框區(qū)域的面積，有利于相應(yīng)的顯示裝置的窄邊化。
[0051]不難理解的是，這里的導(dǎo)電連接部形成在柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域，是指導(dǎo)電連接部位于柵極驅(qū)動(dòng)電路的上方或者下方，二者之間通過(guò)絕緣層隔開(kāi)。
[0052]在具體實(shí)施時(shí)，上述的陣列基板的具體結(jié)構(gòu)可能表現(xiàn)為多種不同的形式，相應(yīng)的制作方法也可能存在一定的差異。下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0053]實(shí)施例一
[0054]本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板可以參見(jiàn)圖2、圖3和圖4，其中圖2為在圖4中所示的A處的截面示意圖，圖3為在圖4中所示的B處的截面示意圖；該陣列基板包括:基底100，按照基底100上方所形成的結(jié)構(gòu)的不同，該陣列基板可以劃分為四個(gè)區(qū)域1、2、3、4;具體來(lái)說(shuō)，區(qū)域1為G0A信號(hào)線區(qū)域，陣列基板在該區(qū)域內(nèi)的基底100上具有G0A信號(hào)線210 ;區(qū)域2為G0A區(qū)域，陣列基板在該區(qū)域內(nèi)的基底100上具有G0A電路220，參見(jiàn)圖4，該G0A電路220包含多個(gè)級(jí)聯(lián)到一起的移位寄存器單元221，每個(gè)移位寄存器單元221均包含多個(gè)薄膜晶體管(圖中未示出)；區(qū)域3為公共電極走線(COM)區(qū)域，陣列基板在該區(qū)域內(nèi)的基底100上具有第一公共電極走線230 ;而區(qū)域4為顯示區(qū)域，陣列基板在該區(qū)域內(nèi)的基底200上形成有用于顯示控制的顯示控制電路240 ;區(qū)域2內(nèi)的G0A電路220與區(qū)域1內(nèi)的G0A信號(hào)線210相連，用于對(duì)區(qū)域4內(nèi)的顯示控制電路240進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)；在G0A信號(hào)線210、G0A電路220以及第一公共電極走線230的上方還形成有絕緣層300 ；
[0055]參見(jiàn)圖2、圖3和圖4，這里的陣列基板還包括形成在絕緣層300上方的公共電極圖形400、第二公共電極走線510以及與第二公共電極走線510相連的導(dǎo)電連接部520 ;第二公共電極走線510形成在區(qū)域1內(nèi)的公共電極圖形400的上方，其中形成有鏤空?qǐng)D案，該鏤空?qǐng)D案在垂直于基底100的方向上與柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210交錯(cuò)，即鏤空?qǐng)D案在基底100上的投影的至少一部分位于柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210在基底100上的投影之外。導(dǎo)電連接部520位于區(qū)域2內(nèi)的公共電極圖形400的上方以及區(qū)域3內(nèi)的公共電極圖形400的上方，且在區(qū)域2內(nèi)，其在基底100上的投影位于相鄰的兩級(jí)的移位寄存器單元221之間；在區(qū)域3內(nèi)的第一公共電極走線230的上方的絕緣層300具有過(guò)孔，導(dǎo)電連接部520和公共電極圖形400通過(guò)該過(guò)孔與第一公共電極走線230相連。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板中，在柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210所在區(qū)域形成第二公共電極走線510，并通過(guò)導(dǎo)電連接部520與第一公共電極走線230相連，這樣能夠在保證對(duì)公共電極圖形400的供電能力的情況下，縮小第一公共電極走線230的寬度，并且由于第二公共電極走線510形成在柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210所在的區(qū)域，不會(huì)額外的占用邊框區(qū)域的面積，有助于縮小邊框的寬度。
[0057]并且，在本發(fā)明實(shí)施例一中，由于第二公共電極走線510中形成有鏤空?qǐng)D案，且該鏤空?qǐng)D案在基底100上的投影與柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210在基底100上的投影交錯(cuò)，能夠使得經(jīng)柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210的光線繼續(xù)穿過(guò)該鏤空?qǐng)D案透過(guò)傳播。這樣在相應(yīng)的顯示裝置中，可以在柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210區(qū)域設(shè)置封框膠，并通過(guò)上述的鏤空?qǐng)D案實(shí)現(xiàn)封框膠的固化。使封框膠位于柵極驅(qū)動(dòng)電路走線210所在的區(qū)域1內(nèi)也有助于顯示裝置的窄邊化。當(dāng)然就為了達(dá)到本發(fā)明的基本目的而言，并不需要還在第二公共電極走線510形成上述的鏤空?qǐng)D案，相應(yīng)的技術(shù)方案也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0058]在本發(fā)明實(shí)施例一中，由于導(dǎo)電連接部520在基底100上的投影位于相鄰的兩級(jí)的移位寄存器單元221在基底100上的投影之間，這樣能夠避免垂直交疊電容的出現(xiàn)，從而降低對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路220的驅(qū)動(dòng)過(guò)程的影響。當(dāng)然就為了達(dá)到本發(fā)明的基本目的而言，上述的導(dǎo)電連接部520并不必然按照上述的方式設(shè)置。另外，就為了避免垂直交疊電容而言，只要將導(dǎo)電連接部520與柵極驅(qū)動(dòng)電路220所包含的各個(gè)薄膜晶體管交錯(cuò)(也就是說(shuō)，使導(dǎo)電連接部520在基底100上的投影位于柵極驅(qū)動(dòng)電路220所包含的各個(gè)薄膜晶體管在基底100上的投影之間的空白區(qū)域)即可，相應(yīng)的技術(shù)方案也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例中，第二公共電極走線510形成在公共電極圖形400上，且與公共電極圖形400相接，這樣一方面相當(dāng)于將第二公共電極走線510和公共電極圖形400并連，降低了公共電壓的傳輸電阻，另一方面，可以在形成公共電極圖形400的過(guò)程中同層形成第二公共電極走線510，能夠降低制作難度。當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用中，上述的陣列基板也可以不包括公共電極圖形400，此時(shí)第二公共電極走線510可以位于像素電極圖形上方，并與像素電極圖形相接，這樣可以在形成像素電極圖形的過(guò)程中形成上述的公共電極走線510，相應(yīng)的方案也能夠達(dá)到降低電阻以及降低制作難度的效果，也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。另外，將第二公共電極走線510制作在與觸控電極圖形同層形成的電極層或者其他位于陣列基板表面的電極層之上，也能解決本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題，相應(yīng)的技術(shù)方案也均應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0060]在具體實(shí)施時(shí)，上述的第二公共電極走線510和導(dǎo)電連接部520可以為一整體結(jié)構(gòu)，二者可以通過(guò)相同的材料在同一工藝中形成。
[0061]制作圖2、圖3和圖4中的陣列基板的方法可以包括:
[0062]步驟S1，在基底上形成柵極驅(qū)動(dòng)電路、位于柵極驅(qū)動(dòng)電路走線外側(cè)的柵極驅(qū)動(dòng)電路走線，位于柵極驅(qū)動(dòng)電路走線與顯示區(qū)域之間的第一公共電極走線。
[0063]在具體實(shí)施時(shí)，可以在形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的同時(shí)形成柵極驅(qū)動(dòng)電路和第一公共電極走線，具體來(lái)說(shuō)，可以在形成柵極驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管的柵極或者源漏電極的同時(shí)形成柵極驅(qū)動(dòng)電路走線和第一公共電極走線。制作上述的各個(gè)結(jié)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，在此不再詳細(xì)說(shuō)明。
[0064]步驟S2，在柵極驅(qū)動(dòng)電路、柵極驅(qū)動(dòng)電路走線和第一公共電極走線上方形成絕緣層，該絕緣層在第一公共電極走線的位置處具有過(guò)孔。
[0065]在具體實(shí)施時(shí)，在形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的同時(shí)，本身可能需要形成一定厚度的絕緣層，比如柵絕緣層，在形成柵極驅(qū)動(dòng)電路之后，一般還會(huì)在柵極驅(qū)動(dòng)電路的上方形成另一絕緣層(又稱鈍化層)以保護(hù)柵極驅(qū)動(dòng)電路。這樣在柵極驅(qū)動(dòng)電路位置處形成的絕緣層可能包含兩部分，其中一層(柵絕緣層)夾在柵極驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)層結(jié)構(gòu)之間，另一層形成在柵極驅(qū)動(dòng)電路的上方。在具體實(shí)施時(shí)，這里的絕緣層可以采用氮化硅或者二氧化硅制作，其具體工藝可以參考現(xiàn)有技術(shù)。
[0066]步驟S3，在絕緣層的上方形成公共電極材料層和第二公共電極走線材料層；
[0067]步驟S4，采用半掩膜工藝對(duì)第二公共電極材料層和公共電極材料層進(jìn)行刻蝕，得到第二公共電極走線、導(dǎo)電連接部和公共電極圖形。
[0068]在具體實(shí)施時(shí)，可以