第一工件。第一工件包括第一襯底和形成第一襯底 的正面上的第一金屬化層，第一金屬化層具有第一互連件。半導(dǎo)體器件還包括結(jié)合至第一 工件的第二工件。第二工件包括第二襯底和形成第二襯底的正面上的第二金屬化層，第二 金屬化層具有第二互連件，其中第二襯底的正面面對第一襯底的正面。半導(dǎo)體器件還包括： 形成在第二襯底的背面上的第一再分布層（RDL)，第二襯底的背面與第二襯底的正面相對； 從第二襯底的背面延伸至第一互連件的第一導(dǎo)電塞，第一導(dǎo)電塞延伸穿過第二互連件。半 導(dǎo)體器件還包括接合至第二工件的第三工件。第三工件包括第三襯底和形成在第三襯底的 正面上的第三金屬化層，第三金屬化層具有第三互連件，其中第三襯底的正面面對第二襯 底的背面。半導(dǎo)體器件還包括從第三襯底的背面延伸至第一RDL的第二導(dǎo)電塞，該第二導(dǎo) 電塞延伸穿過第三互連件，第三襯底的背面與第三襯底的正面相對。
[0086] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括第一工件。第一工件包括第一襯底、在第一襯 底的正面上所形成的第一介電層和該第一介電層內(nèi)的第一互連件。半導(dǎo)體器件還包括堆疊 在第一工件的頂部上的第二工件。第二工件包括第二襯底、在第二襯底的正面上形式的第 二介電層和該第二介電層內(nèi)的第二互連件，其中第一襯底的正面面對第二襯底的正面。半 導(dǎo)體器件還包括：第二襯底的背面上的第一再分布層（RDL)，第二襯底的背面與第二襯底 的正面相對；從第二襯底的背面延伸至第一互連件的第一導(dǎo)電塞，第一導(dǎo)電塞將第一RDL、 第一互連件和第二互連件電互連。半導(dǎo)體器件還包括堆疊在第二工件的頂部上的第三工 件。第三工件包括第三襯底、第三襯底的正面上所形成的第三介電層和該第三介電層內(nèi)的 第三互連件，其中第三襯底的正面面對第二襯底的背面。半導(dǎo)體器件還包括從第三襯底的 背面延伸至第一RDL的第二導(dǎo)電塞，第二導(dǎo)電塞將第一RDL和第三互連件電互連，第三襯底 的背面與第三襯底的正面相對。
[0087] 根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例，形成半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：提供第一工件，第一工 件在第一工件的第一側(cè)上具有形成在一個(gè)或多個(gè)第一介電層中的第一互連件；提供第二工 件，第二工件在第二工件的第一側(cè)上具有形成在一個(gè)或多個(gè)第二介電層中的第二互連件； 以及將第一工件接合至第二工件，使得第一工件的第一側(cè)面對第二工件的第一側(cè)。該方法 還包括：從第二工件的第二側(cè)形成第一開口，第二工件的第二側(cè)與第二工件的第一側(cè)相對， 其中第一開口從第二工件的第二側(cè)延伸至第一互連件，第一開口延伸穿過第二互連件；用 導(dǎo)電材料填充第一開口；以及在第二工件的第二側(cè)上形成第一再分布層（RDL)。該方法還 包括：提供第三工件，第三工件在第三工件的第一側(cè)上具有形成在一個(gè)或多個(gè)第三介電層 中的第三互連件；以及將第三工件接合至第二工件，使得第三工件第一側(cè)面對第二工件的 第二側(cè)。該方法還包括：從第三工件的第二側(cè)形成第二開口，第三工件的第二側(cè)與第三工件 的第一側(cè)相對，其中第二開口從第三工件的第二側(cè)延伸至第一RDL，第二開口延伸穿過第三 互連件；以及用導(dǎo)電材料填充第二開口。
[0088] 上面論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明 的各個(gè)方面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或 更改其他用于達(dá)到與這里所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的處理和結(jié)構(gòu)。本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不 背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括： 第一工件，包括： 第一襯底；和 第一金屬化層，形成在所述第一襯底的正面上，所述第一金屬化層具有第一互連件； 第二工件，與所述第一工件接合，所述第二工件包括： 第二襯底；和 第二金屬化層，形成在所述第二襯底的正面上，所述第二金屬化層具有第二互連件，其 中，所述第二襯底的正面面對所述第一襯底的正面； 第一再分布層（RDL)，形成在所述第二襯底的背面上，所述第二襯底的背面與所述第二 襯底的正面相對； 第一導(dǎo)電塞，從所述第二襯底的背面延伸至所述第一互連件，所述第一導(dǎo)電塞延伸穿 過所述第二互連件； 第三工件，與所述第二工件接合，所述第三工件包括： 第三襯底；和 第三金屬化層，形成在所述第三襯底的正面上，所述第三金屬化層具有第三互連件，其 中，所述第三襯底的正面面對所述第二襯底的背面；以及 第二導(dǎo)電塞，從所述第三襯底的背面延伸至所述第一RDL，所述第二導(dǎo)電塞延伸穿過所 述第三互連件，所述第三襯底的背面與所述第三襯底的正面相對。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第二RDL，形成在所述第三襯底的背面 上，所述第二RDL與所述第二導(dǎo)電塞電接觸。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電塞與所述第一RDL、所述第 一互連件和所述第二互連件電接觸。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)電塞與所述第一RDL和所述第 三互連件電接觸。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電塞具有從所述第二襯底的 正面延伸至所述第二互連件的第一寬度，并且所述第一導(dǎo)電塞具有從所述第二互連件延伸 至所述第一互連件的第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第三導(dǎo)電塞，所述第三導(dǎo)電塞從所述 第二襯底的所述背面延伸至所述第二金屬化層的第四互連件，所述第三導(dǎo)電塞與所述第一 RDL和所述第四互連件電接觸。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三導(dǎo)電塞具有從所述第二襯底的 背面延伸至所述第二襯底的正面的第一寬度，并且所述第三導(dǎo)電塞具有從所述第二襯底的 正面延伸至所述第二金屬化層中的所述第四互連件的第二寬度，所述第二寬度小于所述第 一寬度。8. -種半導(dǎo)體器件，包括： 第一工件，包括： 第一襯底； 多個(gè)第一介電層，形成在所述第一襯底的正面上；和 第一互連件，形成在所述多個(gè)第一介電層內(nèi)； 第二工件，堆疊在所述第一工件的頂部上，所述第二工件包括： 第二襯底； 多個(gè)第二介電層，形成在所述第二襯底的正面上，其中，所述第一襯底的正面面對所述 第二襯底的正面；和 第二互連件，形成在所述多個(gè)第二介電層內(nèi)； 第一再分布層（RDL)，形成在所述第二襯底的背面上，所述第二襯底的背面與所述第二 襯底的正面相對； 第一導(dǎo)電塞，從所述第二襯底的背面延伸至所述第一互連件，所述第一導(dǎo)電塞電互連 所述第一RDL、所述第一互連件和所述第二互連件； 第三工件，堆疊在所述第二工件的頂部上，所述第三工件包括： 第三襯底； 多個(gè)第三介電層，形成在所述第三襯底的正面上；和 第三互連件，形成在所述多個(gè)第三介電層內(nèi)，其中，所述第三襯底的正面面對所述第二 襯底的背面；以及 第二導(dǎo)電塞，從所述第三襯底的背面延伸至所述第一RDL，所述第二導(dǎo)電塞電互連所述 第一RDL和所述第三互連件，所述第三襯底的背面與所述第三襯底的正面相對。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第二RDL，形成在所述第三襯底的背面 上，其中，所述第二導(dǎo)電塞電夾置在所述第二RDL和所述第三互連件之間。10. -種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括： 提供第一工件，所述第一工件在所述第一工件的第一側(cè)上具有形成在一個(gè)或多個(gè)第一 介電層內(nèi)的第一互連件； 提供第二工件，所述第二工件在所述第二工件的第一側(cè)上具有形成在一個(gè)或多個(gè)第二 介電層內(nèi)的第二互連件； 將所述第一工件接合至所述第二工件，使得所述第一工件的第一側(cè)面對所述第二工件 的第一側(cè)； 從所述第二工件的第二側(cè)形成第一開口，所述第二工件的第二側(cè)與所述第二工件的第 一側(cè)相對，其中，所述第一開口從所述第二工件的第二側(cè)延伸至所述第一互連件，所述第一 開口延伸穿過所述第二互連件； 用導(dǎo)電材料填充所述第一開口； 在所述第二工件的第二側(cè)上形成第一再分布層（RDL); 提供第三工件，所述第三工件在所述第三工件的第一側(cè)上具有形成在一個(gè)或多個(gè)第三 介電層內(nèi)的第三互連件； 將所述第三工件接合至所述第二工件，使得所述第三工件的第一側(cè)面對所述第二工件 的第二側(cè)； 從所述第三工件的第二側(cè)形成第二開口，所述第三工件的第二側(cè)與所述第三工件的第 一側(cè)相對，其中，所述第二開口從所述第三工件的第二側(cè)延伸至所述第一RDL，所述第二開 口延伸穿過所述第三互連件；以及 用所述導(dǎo)電材料填充所述第二開口。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種3DIC互連器件及其形成方法。提供了堆疊半導(dǎo)體器件和該堆疊半導(dǎo)體器件的形成方法。將多種集成電路相互接合，以形成堆疊半導(dǎo)體器件。在將附加的集成電路接合至先前的接合步驟中所形成的堆疊半導(dǎo)體器件的每一個(gè)接合步驟之后，形成多個(gè)導(dǎo)電塞，以將附加的集成電路和先前的接合步驟中所形成的堆疊半導(dǎo)體器件電互連。
【IPC分類】H01L21/768, H01L23/528
【公開號(hào)】CN105280611
【申請?zhí)枴緾N201510278520
【發(fā)明人】蔡紓婷, 陳思瑩, 林政賢, 許慈軒, 洪豐基, 楊敦年
【申請人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年5月27日
【公告號(hào)】US20150348905