封裝結構及其制法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結構及其制法，尤指一種具有被動元件的封裝結構及其制法。
【背景技術】
[0002]隨著科技的進步，可穿戴式裝置(wearable devices)的普及，因而提高了人們對于電子產品的要求。為了增加這些高性能可攜式配備封裝件(mobile assembly package)的使用功效，通常都會設置電容。
[0003]圖1A至圖1B為現有封裝結構1的制法的示意圖。
[0004]如圖1A所示，將一具有電容12的封裝基板10藉由多個焊球14設于一電路板13上，且該電容12的高度r約0.10至0.13毫米(mm)，而該焊球14的高度d約為0.17mm,使該封裝基板10與電路板13間的距離hi于焊球14進行回焊前相當于焊球14的高度d。
[0005]如圖1B所示，回焊該些焊球14’，以固定該封裝基板10于該電路板13上。
[0006]惟，因該些焊球14’于回焊后的體積及高度的公差大，即尺寸變異不易控制，所以于回焊制程時，該焊球14’會先變成軟塌狀態(tài)，同時在承受上方封裝基板10的重量后，該焊球14’容易塌扁變形，致使該封裝基板10與該電路板13間的距離h2小于原距離hl，由于該電路板13與該電容12之間的距離隨之變小，易導致該電容12受壓而損壞，造成產品良率不佳。例如，原先預計該電路板13與該電容12之間會保有約0.06至0.03mm的間隙t (已考量用于設置該電容12的如錫膏的粘著材120的厚度e，約0.01mm)，但因該焊球14’過度形變，該間隙t變小(即消失)后，會導致該電容12受壓而碰撞該電路板13，進而導致該電容12破裂(crack)，如圖1B所示的破裂處K。
[0007]另外，該封裝基板10也會發(fā)生翹曲狀況，使該電路板13與該封裝基板10會夾壓該電容12，所以該電容12也會因此而發(fā)生受力破裂的問題。
[0008]因此，如何克服上述現有技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內容】

[0009]鑒于上述現有技術的缺失，本發(fā)明提供一種封裝結構及其制法，以避免該被動元件碰撞電路板。
[0010]本發(fā)明的封裝結構，包括:承載件，其具有相對的第一側及第二側；被動元件，其設于該承載件的第一側上；以及支撐件，其形成于該承載件的第一側上，且該支撐件相對該第一側的高度大于該被動元件相對該第一側的高度。
[0011]本發(fā)明還提供一種封裝結構的制法，包括:設置至少一被動元件于一承載件上；以及形成支撐件于該承載件上，且該支撐件的高度大于該被動元件的高度。
[0012]于本發(fā)明的封裝結構及其制法中，該承載件具有線路層，且于該封裝結構上設置至少一電性連接該線路層的主動元件。
[0013]于本發(fā)明的封裝結構及其制法中，該承載件具有電性連接該被動元件的線路層。
[0014]于本發(fā)明的封裝結構及其制法中，形成該支撐件的材質為導電材、絕緣材或兩者的組合。例如，該支撐件具有導電塊與包覆該導電塊的焊錫材；或者，該支撐件具有導電塊與位于該導電塊中的絕緣體。
[0015]于本發(fā)明的封裝結構及其制法中，該支撐件為球體或塊體。
[0016]于本發(fā)明的封裝結構及其制法中，該支撐件接觸該被動元件。
[0017]于本發(fā)明的封裝結構及其制法中，該支撐件遮蓋該被動元件。
[0018]于本發(fā)明的封裝結構及其制法中，還包括設置電路板于該承載件的第一側上，供該支撐件抵靠至該電路板。
[0019]如上所述，本發(fā)明的封裝結構及其制法，藉由增設支撐件，使其相對該第一側的高度大于該被動元件相對該第一側的高度，所以于后續(xù)回焊制程時，雖然該承載件與該電路板間的距離降低，但該支撐件會支撐住該電路板，使該電路板不致碰撞至該被動元件，因此，能避免產生該被動元件因受壓而破裂的問題。
[0020]另外，若該承載件發(fā)生翹曲狀況，因該支撐件會支撐住該電路板，使該電路板與該承載件不致夾壓該被動元件，所以也能避免該被動元件因受壓而破裂。
【附圖說明】
[0021]圖1A至圖1B為將現有封裝結構的制法的示意圖；以及
[0022]圖2A至圖2F為本發(fā)明封裝結構的制法的示意圖；其中，圖2C’及圖2C”為圖2C不同實施例的局部放大圖；以及
[0023]圖3A及圖3B為圖2C的不同實施例的示意圖。
[0024]符號說明
[0025]1，2 封裝結構10封裝基板
[0026]12 電容120粘著材
[0027]13，3 電路板14，14’ 焊球
[0028]20 承載件20a第一側
[0029]20b 第二側200基板本體
[0030]201 第一線路層202絕緣保護層
[0031]203 第二線路層204封裝材
[0032]21 主動元件211導電體
[0033]22 被動元件23，23’，33，33’支撐件
[0034]230,231’導電塊230’絕緣體
[0035]231 焊錫材24,24’ 導電元件
[0036]hi, h2, h3, h4 距離r, d, dl, d2, L 高度
[0037]t，t’ 間隙e厚度
[0038]K 破裂處P1，P2頂端位置。
【具體實施方式】
[0039]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
[0040]須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如「上」、「第一」、「第二」及「一」等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0041]圖2A至圖2F為本發(fā)明的封裝結構2的制法的示意圖。
[0042]如圖2A所示，提供一具有相對的第一側20a及第二側20b的承載件20。
[0043]于本實施例中，該承載件20為封裝基板型式并具有主動元件21，且該承載件20包括一基板本體200、設于該基板本體200相對兩表面上的第一線路層201與第二線路層203、及形成于該基板本體200的其中一表面上并具有開孔以部份外露該第一線路層201的一絕緣保護層202，且該主動元件21設于該基板本體200的另一表面上并以多個導電體211 (如導電盲孔、導電柱、焊錫凸塊、焊線等)電性連接該第二線路層203，該主動元件21還為封裝材204所包覆。
[0044]此外，所述的主動元件21為半導體晶片，且其態(tài)樣并無限制，例如，打線式、覆晶式、嵌埋式或堆迭式等。
[0045]如圖2B所示，設置一被動元件22于該承載件20的第一側20a的第一線路層201上。
[0046]于本實施例中，該被動元件22為電容，且電性連接該第一線路層201。
[0047]如圖2C所示，形成多個支撐件23于該承載件20的第一側20a上，且該支撐件23相對該第一側20a的高度dl大于該被動元件22相對該第一側20a的高度d2。
[0048]于本實施例中，該支撐件23的整體高度L為100至170um，且該被動元件22夾置于該支撐件23間，以藉該支撐件23接觸強化固定該被動元件22。
[0049]此外，形成該支撐件23的材質為導電材(如含銅的金屬柱)、絕緣材(如耐高溫塑料所構成的塑膠球)或兩者的組合。具體地，該支撐件23具有導電塊230 (如銅塊)與包覆該導電塊230的焊錫材231，如圖2C’所示；或者，如圖2C”所示