護(hù)層，標(biāo)記:第一電氣隔絕層一一401 ;第二電氣隔絕層——402 ;
圖14為本發(fā)明實(shí)施例3中的層疊元件保護(hù)層，標(biāo)記:元件第一保護(hù)層一一331 ;元件第二保護(hù)層 332 ；
圖15為本發(fā)明實(shí)施例3中的元件保護(hù)層進(jìn)行蝕刻電氣隔絕，標(biāo)記:元件第一保護(hù)層左--341 ;兀件第一保護(hù)層右--342 ;兀件第二保護(hù)層左--351 ;兀件第二保護(hù)層右--352 ；
圖16為本發(fā)明實(shí)施例3中的元件保護(hù)層進(jìn)行電氣隔絕，標(biāo)記:第三電氣隔絕層一一521 ;第四電氣隔絕層——522 ;
圖17為本發(fā)明實(shí)施例3中的用通孔實(shí)現(xiàn)電連接并鍍錫，標(biāo)記:元件第一保護(hù)層一一331 ;元件第一保護(hù)層——332 ;
圖18為本發(fā)明實(shí)施例3中的印刷型號(hào)規(guī)格標(biāo)記處，標(biāo)記:型號(hào)規(guī)格標(biāo)記處——701。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]實(shí)施例1
圖1-5是本發(fā)明實(shí)施例中的智能保護(hù)的元件及制成工藝的示意圖，可以清楚看到智能保護(hù)元件及制成工藝的順序，包括=PPTC復(fù)合材料芯片和上下端面層疊的至少一個(gè)絕緣層及至少一個(gè)電極層；PPTC復(fù)合材料層為炭黑、石墨烯等復(fù)合材料中的一種或幾種，按質(zhì)量百分比，2%-10%的石墨烯，20-80%的炭黑，10-40%的復(fù)合材料，各材料的組分之和為100% ；將所述材料放置在90°的真空干燥機(jī)環(huán)境中進(jìn)行1H干燥，再按配比進(jìn)行IH的混料，確保顆粒之間的均勻混合；此處的時(shí)間要求不能低于1H，因復(fù)合材料混料不均的會(huì)造成電性偏差，影響產(chǎn)品的一致性，而且對(duì)后期成品很難以追溯造成電性偏差的問題。
[0021]將初步處理后的PPTC復(fù)合材料加入到設(shè)定溫度160°、轉(zhuǎn)速為82r/min的雙螺桿擠出造粒機(jī)，得到PPTC復(fù)合材料層；再將上述的PPTC復(fù)合材料層進(jìn)行粉碎均勻，經(jīng)過烘烤之后進(jìn)行煉機(jī)拉片，熱壓機(jī)模壓，得到厚度為0.1-0.8mm的PPTC復(fù)合材料層；將PPTC復(fù)合材料層放入模具，同時(shí)在PPTC復(fù)合材料層的上下表面放置厚度為0.35mm的金屬箔片，放入熱壓機(jī)種，熱壓機(jī)溫度設(shè)定為180度，壓力設(shè)定為15MPa，熱壓1MPa得到厚度為
0.45-1.2mm的PPTC復(fù)合材料芯片；待其冷卻后，進(jìn)行開菲林切割左右邊緣，使得PPTC復(fù)合材料層的寬度為200mm，在對(duì)其進(jìn)行微電腦切片，切割為300X200的片材進(jìn)行高能電子束輻照交聯(lián)，輻照量為lOOMrad。
[0022]將輻照好的PPTC復(fù)合材料芯片用線路板的加工方式進(jìn)行制成，先對(duì)銅箔表面的進(jìn)行去除污染物并增加其粗糙度，以便于提高后續(xù)壓膜粘結(jié)的可靠性；用延壓機(jī)進(jìn)行上下貼抗蝕干膜，讓光線照射通過菲林圖像轉(zhuǎn)到感光底板，堿液會(huì)讓未發(fā)生聚合反應(yīng)的干膜沖洗干凈，而聚合反應(yīng)已經(jīng)發(fā)生的干膜則會(huì)留在板面上，為用藥液將顯露出來的銅進(jìn)行蝕刻，以此形成了芯片保護(hù)層的電氣隔絕區(qū)域，由此，PPTC復(fù)合材料芯片的引用電極已經(jīng)可以顯露出來。通過熱壓的方式將絕緣層層疊在PPTC復(fù)合材料芯片的表面并粘結(jié)，對(duì)表面進(jìn)行鉆通孔組，用化學(xué)沉淀的方式讓表面沉積化學(xué)銅并進(jìn)行表面鍍錫處理，最終進(jìn)行切割為單體。
[0023]實(shí)施例2
按照和實(shí)施例中I中上述相同的配方比例及制成工藝，但通孔組的通孔數(shù)量不一致，在實(shí)現(xiàn)線路板工藝中的通孔及壓合中會(huì)存在著對(duì)位的誤差，會(huì)出現(xiàn)通孔破壞絕緣層，而該破壞存在將芯片引用電極或元件電極進(jìn)行電連接或易擊穿等問題，故在，對(duì)于面積較大的元件可以使用本發(fā)明的實(shí)施例2，對(duì)于面積較小的元件可以使用本發(fā)明的實(shí)施例1。
[0024]實(shí)施例3
按照和實(shí)施例中1中上述相同的制成工藝，但PPTC復(fù)合材料芯片的配方不一致，因配方的導(dǎo)熱率不一致，存在著當(dāng)元件受熱或進(jìn)行電連接時(shí)，其元件表面的受熱區(qū)域不一致；實(shí)施例1的芯片引用電極其絕緣區(qū)域位于中間，其左右均有芯片引用電極，在正常受熱時(shí)熱能的發(fā)熱區(qū)域?yàn)樯舷露嗣孀笥叶?，?duì)于元件引用電極的導(dǎo)熱也因其有連接而保證其本身的熱能均勻性；實(shí)施例3中的芯片引用電極其絕緣區(qū)域位于邊緣，在正常受熱時(shí)熱能的發(fā)熱區(qū)域?yàn)樯舷露嗣娓饕欢?，但是單芯片引用電極與PPTC復(fù)合材料層的單接觸面積更大，有助于滿足其加大接觸面積的導(dǎo)熱需求。
[0025]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種智能保護(hù)的元件，其特征在于包括: PPTC復(fù)合材料芯片和上下端面層疊的至少一個(gè)絕緣層及至少一個(gè)電極層； 所述PPTC復(fù)合材料芯片，包括PPTC復(fù)合材料層、芯片第一保護(hù)層和芯片第二保護(hù)層，芯片第一保護(hù)層和芯片第二保護(hù)層層疊PPTC復(fù)合材料層的表面并相互粘結(jié)； 其中，電極層包括單個(gè)芯片保護(hù)層或芯片保護(hù)層與至少一個(gè)元件保護(hù)層用至少一個(gè)通孔貫穿元件表面達(dá)到電連接組合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能保護(hù)的元件，其特征在于，所述的PPTC復(fù)合材料層為炭黑、石墨稀及復(fù)合材料中的一種或幾種，按質(zhì)量百分比，2%-10%的石墨稀，20-80%的炭黑，10-40%的其他復(fù)合材料，各材料的組分之和為100%。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能保護(hù)的元件，其特征在于，所述的芯片保護(hù)層為金屬銅或銅箔，厚度介于10-55 μπι。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能保護(hù)的元件，其特征在于，所述的芯片保護(hù)層蝕刻比例區(qū)域達(dá)到電氣隔絕后形成芯片引用電極；芯片引用電極包括芯片第一引用電極和芯片第二引用電極，各自亦可再分割為至少一個(gè)部分。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能保護(hù)的元件，其特征在于，所述的絕緣層為單個(gè)電氣絕緣層或多個(gè)不同體積電氣絕緣層的組合。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的智能保護(hù)的元件，其特征在于，所述的電氣絕緣層包括第一電氣隔絕層和第二電氣隔絕層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能保護(hù)的元件，其特征在于，所述的元件保護(hù)層包括元件第一保護(hù)層和元件第二保護(hù)層，元件保護(hù)層位于元件外表面，界面積介于0.57-2.8 mm2。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的智能保護(hù)的元件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的元件保護(hù)層經(jīng)過蝕刻，各自亦可再分割分割為至少一個(gè)部分。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能保護(hù)的元件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的通孔包括第一通孔組和第二通孔組；第一通孔組和第二通孔組從元件的一表面貫穿至元件的另一表面，元件保護(hù)層與芯片引用電極電連接形成元件第一引用電極和元件第二引用電極。10.一種智能保護(hù)的元件制成工藝，其特征在于，包括以下步驟: a.PPTC復(fù)合材料初步處理:將所述復(fù)合材料層材料放進(jìn)真空干燥機(jī)在80° -100°的環(huán)境下進(jìn)行10-12H的干燥，再將所述的炭黑、石墨烯、復(fù)合材料按照2%-10% ；20-80% ;10-40%的重量比配比進(jìn)行稱料并按照0.8-1.2H的時(shí)間進(jìn)行混料，以確保達(dá)到均勻效果； b.PPTC復(fù)合材料密煉:將初步處理后的PPTC復(fù)合材料以高過各材料的熔點(diǎn)以上15° -50°下經(jīng)同向雙螺桿擠出造粒機(jī)，呈現(xiàn)顆粒狀；煉料完成時(shí)，再PPTC復(fù)合材料進(jìn)行粉粹均勻； c.PPTC復(fù)合材料成型:將PPTC復(fù)合材料攪拌均勻通過抽空擠出，以延壓機(jī)延壓成片型板材，延壓時(shí)上下粘結(jié)芯片保護(hù)層，所述芯片保護(hù)層通過放卷裝置自動(dòng)放卷，得到PPTC復(fù)合材料芯片，厚度為0.1-0.8mm ; d.開菲林片:PPTC復(fù)合材料芯片冷卻后，切割左右邊緣，使得板材寬度為200mm; e.微電腦切片:成片板材冷卻后進(jìn)行沖切，切割為300mmX200mm芯片； f.輻照交聯(lián):用鈷源或電子束輻照交聯(lián)，輻照量為5-lOOMrad; g.實(shí)現(xiàn)線路板:以公布的PCB工藝進(jìn)行加工，實(shí)現(xiàn)芯片保護(hù)層蝕刻為芯片引用電極，壓合元件絕緣層和元件保護(hù)層，再對(duì)元件保護(hù)層進(jìn)行蝕刻及利用通孔進(jìn)行電連接，形成元件引用電極，并于表面進(jìn)行電鍍保護(hù)；h.后處理工藝:進(jìn)行切割元件表面的邊沿，再在線路板表面進(jìn)行貼膜并劃片成為單體。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種智能保護(hù)的元件及制成工藝，深掘PPTC材料的特性實(shí)現(xiàn)對(duì)過電流或高溫時(shí)智能調(diào)整為高電阻加以控制電路爾后復(fù)原，做到連續(xù)擠出延壓及平穩(wěn)電性的優(yōu)質(zhì)出品，結(jié)合PCB工藝實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)高穩(wěn)化，由此確保元件實(shí)現(xiàn)異常智能高速調(diào)節(jié)和應(yīng)用智能低變阻。
【IPC分類】H01C1/14, H01C1/02, H01C17/00, H01C17/02, H01C7/02
【公開號(hào)】CN105280316
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510620226
【發(fā)明人】周云福, 周湘, 周全
【申請(qǐng)人】廣東百圳君耀電子有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2015年9月26日