一種led光源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及照明技術(shù)領(lǐng)域，具體來說是一種LED光源。
【背景技術(shù)】
[0002]與傳統(tǒng)光源一樣，半導(dǎo)體發(fā)光二極體(LED)在工作期間也會產(chǎn)生熱量，其多少取決于整體的發(fā)光效率。其電光轉(zhuǎn)換效率大約只有20?30%左右，也就是說大約70%的電能都變成了熱能。
[0003]然而，LED芯片的特點是在極小的體積內(nèi)產(chǎn)生極高的熱量，而LED本身的熱容量很小，所以，必須以最快的速度把這些熱量傳導(dǎo)出去，否則就會產(chǎn)生很高的結(jié)溫，為了盡可能的把熱量引出到芯片外，人們在LED的芯片結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了很多改進(jìn)。
[0004]為了改善LED芯片本身的散熱，其最主要的改進(jìn)就是采用導(dǎo)熱系數(shù)高的襯底材料。對于一些大功率的LED，一般采用共晶焊接技術(shù)固晶。所以，共晶層的導(dǎo)熱系數(shù)直接影響芯片的散熱情況。所以，各大LED生產(chǎn)商，都在不斷研究如何提高合金層的導(dǎo)熱系數(shù)。在兼顧成本與產(chǎn)品質(zhì)量的情況下，一種經(jīng)濟(jì)有效的襯底是各大LED生產(chǎn)廠家迫切需要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中共晶層導(dǎo)熱系數(shù)不高的缺陷，提供一種LED光源來解決上述問題。
[0006]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)上述技術(shù)目的:
[0007]—種LED光源，所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板為氮化鋁陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金層，所述合金層為金-錫合金層；所述金-錫合金層中的金錫比重為7:3 ;所述金-錫合金層分為正、負(fù)極兩部分；所述氮化鋁陶瓷基板上設(shè)有電路；所述金-錫合金層與所述電路進(jìn)行電性連接。
[0008]優(yōu)選的，所述LED晶片通過共晶焊接與所述氮化鋁陶瓷基板溶合形成共晶層。
[0009]優(yōu)選的，所述共晶焊接的焊接溫度為280°。
[0010]優(yōu)選的，所述LED晶片還包括發(fā)光層；所述發(fā)光層處于所述金-錫合金層的上部。
[0011]優(yōu)選的，所述發(fā)光層的上部覆有熒光層。
[0012]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點:
[0013]氮化鋁陶瓷基板與金-錫合金層共晶焊接后產(chǎn)生的共晶層，該共晶層導(dǎo)熱系數(shù)高，熱穩(wěn)定性好，在固晶的同時，滿足了大功率LED芯片的散熱需求。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明一種LED光源的結(jié)構(gòu)不意圖。
【具體實施方式】
[0015]為使對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識，用以較佳的實施例及附圖配合詳細(xì)的說明，說明如下:
[0016]如圖1所示，一種LED光源，LED光源包括基板1以及固定在基板1上的LED晶片2 ;基板1為氮化鋁陶瓷基板；LED晶片2自下向上依次包括合金層21、發(fā)光層22和熒光層23。合金層21為金-錫合金層。本發(fā)明聽過的金-錫合金層中的金錫比重為7:3。金-錫合金層分為正極211、負(fù)極212兩部分，氮化鋁陶瓷基板1上設(shè)有電路(圖中未示出)。通過共晶焊接技術(shù)，焊接溫度為280°，將金-錫合金層21、電路以及氮化鋁陶瓷基板1進(jìn)行電性連接并將LED晶片2固定在氮化鋁陶瓷基板1上。共晶焊接后形成共晶層，該共晶層導(dǎo)熱系數(shù)高，熱穩(wěn)定性好。
[0017]當(dāng)然，為了達(dá)到某種顏色的光效，可在發(fā)光層22的上部覆有不同顏色的熒光層23ο
[0018]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
【主權(quán)項】
1.一種LED光源，其特征在于:所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板為氮化鋁陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金層，所述合金層為金-錫合金層；所述金-錫合金層中的金錫比重為7:3 ;所述金-錫合金層分為正、負(fù)極兩部分；所述氮化鋁陶瓷基板上設(shè)有電路；所述金-錫合金層與所述電路進(jìn)行電性連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED光源，其特征在于:所述LED晶片通過共晶焊接與所述氮化鋁陶瓷基板溶合形成共晶層。3.根據(jù)權(quán)利要求2述的一種LED光源，其特征在于:所述共晶焊接的焊接溫度為280。。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED光源，其特征在于:所述LED晶片還包括發(fā)光層；所述發(fā)光層處于所述金-錫合金層的上部。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED光源，其特征在于:所述發(fā)光層的上部覆有熒光層。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種LED光源，所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板為氮化鋁陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金層，所述合金層為金-錫合金層；所述金-錫合金層中的金錫比重為7:3；所述金-錫合金層分為正、負(fù)極兩部分；所述氮化鋁陶瓷基板上設(shè)有電路；所述金-錫合金層與所述電路進(jìn)行電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鋁陶瓷基板與金-錫合金層共晶焊接后產(chǎn)生的共晶層，該共晶層導(dǎo)熱系數(shù)高，熱穩(wěn)定性好，在固晶的同時，滿足了大功率LED芯片的散熱需求。
【IPC分類】H01L33/64, H01L33/62, H01L33/46
【公開號】CN105244433
【申請?zhí)枴緾N201510752239
【發(fā)明人】江向東, 江浩瀾, 陳柏堯, 吳小軍, 汪春濤
【申請人】安徽湛藍(lán)光電科技有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年11月4日