1的底表面的夾角s2介于30度至60度之間、25度至50度之間或40度至70度之間，在此實(shí)施例較佳的角度約為50度至60度之間。
[0074]如圖1s所示，接著在介電層13上形成開口 13a，以曝露出金屬線路層12。
[0075]接著說明本發(fā)明光學(xué)分光片的制程，此光學(xué)分光片的制程如圖2a所示，提供一基板15，其中此基板15對應(yīng)用的波長范圍為一透光的光學(xué)元件，此基板15包括一單晶基板或玻璃基板，單晶基板例如為一硅單晶基板或一鍺單晶基板。
[0076]如圖2b所不，在此基板15的上表面及下表面分別形成相互平行一反射層19及一抗反射層17，形成方式例如是以蒸鍍方式、濺鍍方式、電鍍方式或無電電方式，其中反射層19為一多層光學(xué)鍍膜層且具有反射及過濾光信號的功能，例如是3層至10層之間或10層至30層之間，其材質(zhì)例如包括一二氧化硅層、一氧化鈦層、一鈦層、一氧化鉭層、一氧化鈮層、一氟化鎂層、一鉻層及氧化鉻層的組合層，此反射層的厚度介于500埃至0.5微米之間、0.1微米至1微米之間或0.5微米至2微米之間。而抗反射層17為一多層薄層，例如是3層至10層之間或10層至30層之間，其材質(zhì)例如包括一氧化鋅層、氧化鋅-鋁氧化物層(AZO)、氧化鋅鎵氧化物(GZO)、一氧化銦錫層(ITO)、一氧化錫層、一氧化銻錫氧化物層(ΑΤΟ)、一磷摻雜氧化錫層(ΡΤ0)及一摻氟氧化錫層(FT0)的組合層或一聚合物層，此反射層的厚度介于500埃至0.5微米之間、0.1微米至1微米之間或0.5微米至2微米之間。
[0077]如圖2c所示，可憑借使用旋涂式涂覆制程或疊層制程在具有任何先前所述材料的抗反射層17上形成光阻層21，諸如正型光阻層或負(fù)型光阻層(較佳)，并利用微影、曝光及顯影制程使光阻層21圖案化以在光阻層21中形成多個開口 21a，從而暴露出抗反射層17。
[0078]如圖2d所示，以非等向性濕式蝕刻制程在基板1上形成具有一傾斜側(cè)壁的孔洞15a，并蝕刻至反射層19停止蝕刻，其中此非等向性濕式蝕刻制程系以強(qiáng)堿(alkali)或有機(jī)溶液類進(jìn)行蝕刻程序，例如氣氧化鉀(Κ0Η)、四甲基氣氧化銨(Tetramethy ammoniumhydroxide ；TMAH)或乙二胺鄰苯二酌.(Ethylenedamine pyrocatochol ；EDP)。
[0079]如圖2e及圖2f所示，以干式蝕刻制程或反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)制程將此孔洞15a底部的反射層19移除，形成多個光學(xué)分光片20，其中每一光學(xué)分光片20包括二側(cè)壁151及152，側(cè)壁151與光學(xué)分光片20的底表面的夾角s3介于30度至60度之間、25度至50度之間、40度至70度之間或50度至90度之間，在此實(shí)施例較佳的角度約為45度，而側(cè)壁152與光學(xué)分光片20的底表面的夾角s4介于30度至60度之間、25度至50度之間、40度至70度之間或50度至90度之間，在此實(shí)施例較佳的角度約為50度至60度之間。另外此實(shí)施例光學(xué)分光片20的形狀類似一梯形，但此光學(xué)分光片20也可以為一長方形、橢圓形、三角形、方形或多邊形其中之一。
[0080]另外本實(shí)施例光學(xué)分光片20為一具有反射及過濾光信號的功能的鏡片，例如為一分光濾波片，但此光學(xué)分光片20也可依使用者需求替換成一只有反射功能的分光片，此二者差異取決于反射層19的對于光信號的反射率及穿透率。
[0081]如圖3a至圖3c所示，將光學(xué)分光片20裝設(shè)置基板1的孔洞la中，其中裝設(shè)光學(xué)分光片20時，將光學(xué)分光片20的反射層19延著孔洞la的傾斜側(cè)壁102滑入，使側(cè)壁152與光學(xué)分光片20的底表面的夾角(s4)部分伸出孔洞la，以及部分的反射層19曝露在孔洞la外，且側(cè)壁152抵住孔洞la，并憑借一粘著劑22將反射層19粘著固定傾斜側(cè)壁102上，其中光學(xué)分光片20的上表面及下表面幾乎與側(cè)壁152相互平行。
[0082]如圖3d所示，在基板15上及光學(xué)分光片20上方設(shè)置一微透鏡模塊23，此微透鏡模塊23包括一支撐塊231、一微透鏡232，此支撐塊231設(shè)置在基板1上且位于伸出孔洞la的側(cè)壁152側(cè)邊，而微透鏡232的一部分系固定設(shè)置在支撐塊231的上表面上，其中此微透鏡232設(shè)置時會對準(zhǔn)伸出孔洞la的光學(xué)分光片20的反射層19，且位于支撐塊231相對應(yīng)的側(cè)邊具有一缺口 233，此缺口 233位于伸出孔洞la的光學(xué)分光片20的反射層19的側(cè)邊，其中此微透鏡232由高折射率材質(zhì)制作，用以增加成象或聚焦品質(zhì)，其材質(zhì)包括由一硅晶片所制造形成的透鏡、一單晶材質(zhì)所制造形成的透鏡或一玻璃材質(zhì)所制造形成的透鏡。
[0083]如圖3e所示，將一發(fā)光裝置25設(shè)置在基板15上并電性連接至開口 13a曝露的金屬線路層12,本實(shí)施例系利用共金結(jié)合(Eutectic bonding) 251的連接方式將發(fā)光裝置23電性連接至開口 13a曝露的金屬線路層12，此發(fā)光裝置25包括一激光二極管(LaserD1de ；LD)光二極管(Photod1de ；PD)、或一發(fā)光體(Light-Emitting D1de ；LED)，其中設(shè)置發(fā)光裝置25時，將發(fā)光裝置25的光源發(fā)射口對準(zhǔn)透鏡模塊23的缺口 233。另外發(fā)光裝置25也可利用打線(wire bonding)方式連接至金屬線路層12。
[0084]如圖3f至圖3h所示，基板1進(jìn)行一切割程序，產(chǎn)生復(fù)數(shù)個光電微型晶片27。
[0085]如圖4a所將每一光電微型晶片27分別設(shè)置在一電路基板32上，此電路基板32上設(shè)有一信號接收模塊29，其中此電路基板32包括一基板321、復(fù)數(shù)電性連接引腳322及復(fù)數(shù)連接端321，其中連接端321分別電連接至連接引腳322，而信號接收模塊29包括一光信號接收器290、一基板291及一支撐凸塊292，其中光信號接收器290及支撐凸塊292設(shè)置在基板291上，而光信號接收器290電性連接至電路基板32。每一光電微型晶片27設(shè)置在支撐凸塊292上，通過粘合的方式使光電微型晶片27底表面粘合至支撐凸塊292頂面。
[0086]如圖4b所示，光電微型晶片27經(jīng)由打線方式與此電路基板32的連接端321電性連接，其中此打線方式的金屬線34的材質(zhì)包括一金線或一銅線。
[0087]如圖4c所示，設(shè)置一保護(hù)模塊36在電路基板32及光電微型晶片27上，用以保護(hù)光電微型晶片27不受外界干擾及污染，其中此保護(hù)模塊36包括一殼體361及一透光板362,此透光板362設(shè)置在殼體361的開口上,并對準(zhǔn)透鏡模塊23,如此完成本發(fā)明的光電微型模塊封裝。
[0088]如圖5所示，一光纖38設(shè)置在光電微型模塊上方，此光纖38的類型，例如單模光纖、多模光纖或塑膠光纖，光纖38發(fā)射出一光信號L1，此光信號L1同時包括λ 1，λ 2 二波長的光波信號，其中λ 1為上傳光波信號，例如是1310nm,而λ 2為下載光波信號,例如是1550nm,其中，λ 1與λ 2可以是不同的，也可以是相同的波長。此光信號L1穿通過透光板362并經(jīng)由微透鏡232聚光,使光信號L1傳送至光學(xué)分光片20的反射層19上，其中此反射層19會將光信號L1中的光波信號λ 1予以反射，而光信號L1中的光波信號λ2會穿透至抗反射層17，并經(jīng)由抗反射層17折射，將光信號λ 2傳送至光信號接收器290接收并轉(zhuǎn)換成一下載電信號。而發(fā)光裝置25接收一上傳電信號后會發(fā)射出一光信號L2，此光信號L2包括一光波信號λ 1，此光信號L2穿過缺口 233傳送至反射層19上，其中此反射層19會將光信號L2中的光波信號λ 1全反射且90度的導(dǎo)向上方,穿過微透鏡232及透光板362由光纖38接收。
[0089]第二實(shí)施例
[0090]第二實(shí)施例與第一實(shí)施例相似，如圖6所差異處在于第一實(shí)施例的光信號接收器290與發(fā)光裝置25的位置互相交換，而且光學(xué)分光片20的反射層19也與第一實(shí)施例具有不同反射率及穿透率，本實(shí)施例由光纖38發(fā)射出一光信號L1,此光信號L1同時包括與第一實(shí)施例相同的λ 1，λ