一種不同尺寸基板噴涂用支撐加熱裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中對基板處理設(shè)備，具體地說是一種不同尺寸基板噴涂用支撐加熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體處理是指為了在半導(dǎo)體晶片或者LED基板等被處理基板上按照預(yù)先的設(shè)計形成相應(yīng)的圖形，而對基板進行的各種處理。在目前的這些處理工藝中，基板表面光刻膠的涂覆均勻性對后續(xù)工藝處理的影響較大；因此在面對一些有圖形的基板或者有較深溝槽的基板時，通常采用光刻膠噴涂的工藝方式。
[0003]由于噴涂工藝的特殊性，目前的光刻膠噴涂設(shè)備只是針對單一尺寸的基板，這樣當(dāng)處理不同尺寸的基板時就需要有不同的設(shè)備，容易造成設(shè)備利用率的降低和場地的浪費。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有噴涂不同尺寸基板需要更換不同設(shè)備的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種不同尺寸基板噴涂用支撐加熱裝置。該支撐加熱裝置可以在一臺設(shè)備內(nèi)實現(xiàn)大小不同尺寸基板的噴涂，并且兼容的實現(xiàn)過程簡單方便，有效地提高了設(shè)備利用率并減小黃光區(qū)場地的占用。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
[0006]本發(fā)明包括加熱支撐盤、盤體支撐軸、溫度傳感器、溫度監(jiān)控器、真空供給源、加熱源、加熱控制器、兼容環(huán)、第一保護圈及第二保護圈，其中加熱支撐盤內(nèi)設(shè)有真空通道，在所述加熱支撐盤的表面上均布有與所述真空通道相連通的真空孔；所述盤體支撐軸與加熱支撐盤相連，所述真空通道通過該盤體支撐軸與所述真空供給源相連通；所述加熱支撐盤內(nèi)分別安裝有測量加熱支撐盤溫度的溫度傳感器及給加熱支撐盤加熱的加熱源，該溫度傳感器及加熱源分別由所述盤體支撐軸穿出，并分別與所述溫度監(jiān)控器、加熱控制器電連接，所述加熱控制器與溫度監(jiān)控器電連接；所述加熱支撐盤上設(shè)有在噴涂加熱大尺寸基板使用的兼容環(huán)及第一保護圈，或設(shè)有在噴涂加熱小尺寸基板使用的第二保護圈，所述大尺寸基板放置在加熱支撐盤及兼容環(huán)上，所述第一保護圈位于該兼容環(huán)的外部；所述小尺寸基板放置在加熱支撐盤上，所述第二保護圈位于加熱支撐盤的外部。
[0007]其中:所述第一保護圈為圓環(huán)狀，其上表面低于所述兼容環(huán)的上表面，所述兼容環(huán)的上表面低于所述加熱支撐盤的上表面；所述加熱支撐盤上表面的邊緣向下凹陷、形成臺階，所述兼容環(huán)可拆卸地安裝在該臺階上，所述加熱支撐盤上均布真空孔的部分由兼容環(huán)中穿出；所述第一保護圈的上表面內(nèi)邊緣沿徑向向內(nèi)延伸、形成延伸部，該延伸部與所述兼容環(huán)的外邊緣抵接，并通過所述臺階的外邊緣支撐；
[0008]所述第二保護圈為圓環(huán)狀，其上表面低于所述加熱支撐盤的上表面；所述加熱支撐盤上表面的邊緣向下凹陷、形成臺階，所述第二保護圈的上表面內(nèi)邊緣沿徑向向內(nèi)延伸、形成延伸部，該延伸部與所述加熱支撐盤抵接，并通過所述臺階支撐；
[0009]所述第一保護圈、第二保護圈的外邊緣向下傾斜，即第一保護圈、第二保護圈外邊緣的軸向截面為斜面；所述加熱支撐盤與兼容環(huán)的材料相同，均為AL6061，所述第一保護圈與第二保護圈的材料相同，均為PTFE ；
[0010]所述真空通道分為軸向的第一真空通道及徑向的第二真空通道，該第一真空通道通過所述盤體支撐軸連接有真空接頭，所述真空供給源通過真空管路與該真空接頭相連，并在所述真空管路上設(shè)有真空閥；所述第二真空通道為多個、沿圓周方向均布，每個第二真空通道的一端分別與所述第一真空通道相連通，每個第二真空通道的另一端分別連通一個所述真空孔；所述盤體支撐軸分為內(nèi)、外套管，該內(nèi)管的兩端分別與所述第一真空通道及所述真空接頭相連接，所述溫度傳感器及加熱源分別由所述內(nèi)、外管之間穿出。
[0011 ] 本發(fā)明的優(yōu)點與積極效果為:
[0012]1.本發(fā)明在固定的加熱支撐盤上通過快速更換兼容環(huán)、第一保護圈與第二保護圈，實現(xiàn)大小不同尺寸基板的兼容，提高設(shè)備的利用率。
[0013]2.本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，易于實現(xiàn)，操作使用方便。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明處理大尺寸基板時的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為圖1中固定件的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為本發(fā)明處理小尺寸基板時的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖4為本發(fā)明處理大尺寸基板的加熱支撐盤、兼容環(huán)和第一保護圈的相對位置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖5為本發(fā)明處理小尺寸基板的加熱支撐盤和第二保護圈的相對位置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖6為本發(fā)明加熱支撐盤的內(nèi)部示意圖；
[0020]其中:1為加熱支撐盤，2為盤體支撐軸，3為溫度傳感器，4為溫度監(jiān)控器，5為真空供給源，6真空閥，7為真空接頭，8為加熱源，9為加熱控制器，10為兼容環(huán)，11為第一保護圈，12為第二保護圈，13為第一真空通道，14為第二真空通道，15為真空孔。
【具體實施方式】
[0021 ] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳述。
[0022]本發(fā)明固定在噴膠工藝單元中，包括加熱支撐盤1、盤體支撐軸2、溫度傳感器3、溫度監(jiān)控器4、真空供給源5、真空閥6、真空接頭7、加熱源8、加熱控制器9、兼容環(huán)10、第一保護圈11及第二保護圈12。如圖2所示的立體結(jié)構(gòu)示意圖中包含的部件是不動的，無論是處理大尺寸基板(8?12寸)還是小尺寸基板(2?6寸)，這一部分都是必要的。
[0023]加熱支撐盤1呈圓盤狀，其上表面的邊緣向下凹陷、形成臺階；加熱支撐盤1中間較高的部分沿圓周方向均布有真空孔15，本實施例的真空孔15為八個。盤體支撐軸2連接于加熱支撐盤1下部中間位置，該盤體支撐軸2分為內(nèi)、外套管。如圖6所示，加熱支撐盤1內(nèi)設(shè)有真空通道，該真空通道分為軸向的第一真空通道13及徑向的第二真空通道14，該第一真空通道13通過盤體支撐軸2的內(nèi)管連接有真空接頭7，真空供給源5通過真空管路與該真空接頭7相連，并在真空管路上設(shè)有真空閥6 ;第二真空通道14為多個、沿圓周方向均布(本實施例的第二真空通道14的數(shù)量與真空孔15的數(shù)量相同，均為八個)，每個第二真空通道14的一端分別與第一真空通道13相連通，每個第二真空通道14的另一端分別連通一個真空孔15，用于吸附固定基板。
[0024]溫度傳感器3位于加熱支撐盤1內(nèi)部，用于測量加熱支撐盤1的溫度；加熱源8位于加熱支撐盤1內(nèi)部，用于給加熱支撐盤1加熱。溫度傳感器3及加熱源8分別由盤體支撐軸2的內(nèi)、外管之間穿出，溫度傳感器3與溫度監(jiān)控器4電連接，加熱源8與加熱控制器9電連接，加熱控制器9與溫度監(jiān)控器4電連接。
[0025]如圖1、圖4所示，加熱支撐盤1上設(shè)有在噴涂加熱大尺寸基板使用的兼容環(huán)10及第一保護圈11，該兼容環(huán)10放置在加熱支撐盤1的臺階上，加熱支撐盤1上均布真空孔15的凸出部分由兼容環(huán)10中穿出；第一保護圈11為圓環(huán)狀，其上表面低于兼容環(huán)10的上表面，兼容環(huán)10的上表面低于加熱支撐盤1的上表面，這樣能保證大尺寸基板放置在加熱支撐盤1上時，真空孔15能完全吸附大尺寸基板；兼容環(huán)10可以從加熱支撐盤1上自由取下。第一保護圈11的上表面內(nèi)邊緣沿徑向向內(nèi)延伸、形成延伸部，該延伸部與兼容環(huán)10的外邊緣抵接，并通過臺階的外邊緣支撐。第一保護圈11的外邊緣向下傾斜，即第一保護圈11外邊緣的軸向截面為斜面，該斜面的設(shè)計可以使氣流向四周