如圖6所示，利用V字形的切割刀具對半導(dǎo)體晶片Ila的下表面(Zl方向側(cè)的表面)進行半切，由此，在半導(dǎo)體晶片Ila上形成槽部15a。另外，電極層13a被槽部15a分割，形成多個接合用電極13。
[0064]在以覆蓋半導(dǎo)體晶片Ila的具有槽部15a的一個表面的方式形成金屬層14a的工序中，如圖7所示，利用濺射法在半導(dǎo)體晶片Ila的下表面(Zl方向側(cè)的表面)形成金屬層14a。另外，金屬層14a形成為覆蓋半導(dǎo)體晶片Ila的下表面(Zl方向側(cè)的表面)的槽部15a和接合用電極13。
[0065]在切割半導(dǎo)體晶片Ila的工序中，如圖8所示，半導(dǎo)體晶片Ila被沿著槽部15a分割(切割)，由此，形成多個半導(dǎo)體元件10 (參照圖9)，該半導(dǎo)體元件10在端部具有倒角部15，并且具有對設(shè)置有倒角部15的一側(cè)(Zl方向側(cè))的表面進行覆蓋的金屬層14。
[0066]在導(dǎo)電部件20上形成第I金屬膏層16a的工序中，如圖10所示，在導(dǎo)電部件20的Z2側(cè)的表面上以比半導(dǎo)體元件10的平面面積小的方式涂敷第I金屬膏層16a。另外，第I金屬膏層16a由使以亞微米尺寸的Ag粒子作為主成分的金屬粒子分散于有機溶劑的狀態(tài)下的膏狀材料形成。
[0067]在配置半導(dǎo)體元件10的工序中，如圖11所示，半導(dǎo)體元件10以覆蓋第I金屬膏層16a的方式配置在Z2方向側(cè)。在形成第I接合層16的工序中，如圖12所示，對第I金屬膏層16a進行熱處理，由此，形成使導(dǎo)電部件20和半導(dǎo)體元件10接合的第I接合層16。例如，通過在200°C下加熱I小時，由此，使有機溶劑氣化而從第I金屬膏層16a散發(fā)出來，形成由金屬(Ag)構(gòu)成的第I接合層16。
[0068]另外，在本實施方式中，在形成第2金屬膏層17a的工序中，如圖13所示，在半導(dǎo)體元件10的端部附近形成第2金屬膏層17a，該第2金屬膏層17a包含具有比第I金屬膏層16a小的平均粒徑的金屬粒子。具體來說，利用分配噴嘴(未圖示)向半導(dǎo)體元件10與導(dǎo)電部件20之間供給膏狀的材料，形成第2金屬膏層17a。另外，第2金屬膏層17a由使以納米尺寸的Ag粒子作為主成分的金屬粒子分散于有機溶劑的狀態(tài)下的膏狀材料形成。
[0069]在形成第2接合層17的工序中，通過對第2金屬膏層17a進行熱處理，由此形成第2接合層17，如圖3所示，該第2接合層17使導(dǎo)電部件20與半導(dǎo)體元件10的端部附近接合，并且具有比第I接合層16小的空隙率。例如，通過在200°C下加熱I小時，使有機溶劑氣化而從第2金屬膏層17a散發(fā)出來，形成由金屬(Ag)構(gòu)成的第2接合層17。
[0070]在本實施方式中，如上所述，通過設(shè)置接合層，外側(cè)通過具有比第I接合層16小的空隙率的第2接合層17接合，因此，通過離子間的結(jié)合力較強的具有小空隙率的第2接合層，能夠抑制半導(dǎo)體元件10的外周部附近的接合層的剝離和裂縫(龜裂)，其中，所述接合層包括在俯視(從Z方向觀察)時配置得比半導(dǎo)體元件10的外緣靠內(nèi)側(cè)的第I接合層16、和配置在第I接合層16的外側(cè)且具有比第I接合層16小的空隙率的第2接合層17。另外，利用具有比第2接合層17大的空隙率的第I接合層16對半導(dǎo)體元件10的內(nèi)側(cè)進行接合，由此，在由于半導(dǎo)體元件10與接合層的熱膨脹率之差而施加有熱應(yīng)力時，通過具有較大空隙率的第I接合層16緩和熱應(yīng)力，因此，能夠抑制半導(dǎo)體元件10被破壞。由此，能夠抑制半導(dǎo)體元件10的外周部附近的接合層的剝離和裂縫，并且，能夠抑制在由于半導(dǎo)體元件10與接合層的熱膨脹率之差而施加有熱應(yīng)力時半導(dǎo)體元件10被破壞的情況。
[0071]另外，在本實施方式中，如上所述，通過將第2接合層17與半導(dǎo)體元件10的端部附近連接，能夠利用具有比第I接合層16小的空隙率的第2接合層17對熱應(yīng)力集中的半導(dǎo)體元件10的端部附近進行連接，因此，能夠有效抑制半導(dǎo)體元件10的外周部附近的接合層的剝離和裂縫(龜裂)。
[0072]另外，在本實施方式中，如上所述，利用含有彼此相同的金屬的金屬材料形成第I接合層16和第2接合層17，由此能夠抑制第I接合層16和第2接合層17的熱膨脹率之差變大，因此，能夠抑制第I接合層16與第2接合層17分離。
[0073]另外，在本實施方式中，如上所述，通過將第2接合層17與半導(dǎo)體元件10的倒角部15連接，與沒有倒角部15的情況相比，能夠增大第2接合層17與半導(dǎo)體元件10的連接面積，因此能夠提高基于第2接合層17的導(dǎo)電部件20與半導(dǎo)體元件10的接合強度。
[0074]另外，在本實施方式中，如上所述，在俯視(從Z方向觀察)時，將第I接合層16配置得比半導(dǎo)體元件10的倒角部15靠內(nèi)側(cè)，使第2接合層17與配置在倒角部15的內(nèi)側(cè)的第I接合層16以及倒角部15雙方連接。由此，能夠?qū)⒕哂行】障堵实牡?接合層17無間隙地配置于第I接合層16，因此，能夠有效抑制第I接合層16的剝離和裂縫(龜裂)。
[0075]另外，在本實施方式中，如上所述，將第I接合層16經(jīng)由金屬層14與半導(dǎo)體元件10的倒角部15以外的導(dǎo)電部件20側(cè)(Zl方向側(cè))的表面連接，并且將第2接合層17經(jīng)由金屬層14與半導(dǎo)體元件10的倒角部15連接。由此，能夠?qū)⒌?接合層17經(jīng)由金屬層14與倒角部15連接，因此，能夠更加可靠地將第2金屬層17與倒角部15連接。
[0076]另外，在本實施方式中，如上所述，通過使第2接合層17的最大厚度h2大于第I接合層16的最大厚度hl，能夠增大具有小空隙率的第2接合層17在厚度方向上的長度，從而能夠增大第2接合層17與半導(dǎo)體元件10的連接面積。由此，能夠提高基于第2接合層17的、導(dǎo)電部件20與半導(dǎo)體元件10的接合強度。
[0077]另外，在本實施方式中，如上所述，在俯視(從Z方向觀察)時，使半導(dǎo)體元件10形成為大致矩形形狀，并且將第2接合層17與大致矩形形狀的半導(dǎo)體元件10的四個角連接。由此，能夠利用具有小空隙率的第2接合層17連接熱應(yīng)力最集中的大致矩形形狀的半導(dǎo)體元件10的四個角，因此能夠有效抑制半導(dǎo)體元件10的外周部附近的接合層的剝離和裂縫。
[0078]另外，在本實施方式中，如上所述，沿著大致矩形形狀的半導(dǎo)體元件10的導(dǎo)電部件20側(cè)(Zl方向側(cè))的面的4條邊呈周狀設(shè)置倒角部15，并且，沿著大致矩形形狀的半導(dǎo)體元件10的4條邊呈周狀連接第2接合層17。由此，能夠沿著大致矩形形狀的4條邊呈周狀連接第2接合層17和半導(dǎo)體元件10，從而能夠容易地提高基于第2接合層17的、導(dǎo)電部件20與半導(dǎo)體元件10的接合強度。
[0079]另外，在本實施方式中，如上所述，在俯視(從Z方向觀察)時，使第2接合層17的平面面積小于第I接合層16的平面面積。由此，能夠抑制接合強度比較大的致密的(空隙率小的)第2接合層17與半導(dǎo)體元件10的連接面積變大，因此能夠容易地抑制因空隙率小的第2接合層17與半導(dǎo)體元件10的熱膨脹率之差而導(dǎo)致半導(dǎo)體元件10被破壞的情況。
[0080]另外，在本實施方式中，如上所述，利用含有Ag的金屬材料分別形成第I接合層16和第2接合層17，由此能夠提高接合層的耐熱性和結(jié)合力。
[0081]另外，在本實施方式中，如上所述，將第I接合層16的空隙率設(shè)定在10%以上且30%以下，將第2接合層17的空隙率設(shè)定為1%以下。由此，能夠確保半導(dǎo)體元件10與接合層的接合強度，并且，能夠更加可靠地抑制在由于半導(dǎo)體元件10與接合層的熱膨脹率之差而施加有熱應(yīng)力時半導(dǎo)體元件10被破壞的情況。
[0082]另外，在本實施方式中，如上所述，第2接合層17由包含金屬粒子的金屬材料形成，該金屬粒子的平均粒徑小于形成第I接合層16的金屬材料所包含的金屬粒子的平均粒徑。由此，能夠容易地使第2接合層17的空隙率小于第I接合層16的空隙率。
[0083]并且，本次公開的實施方式在所有方面均為示例，不應(yīng)該認(rèn)為是限制性的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求示出，而不是由上述實施方式的說明示出，此外，還包含在與權(quán)利要求等同的意思和范圍內(nèi)的所有變更。
[0084]例如，在上述實施方式中，作為電力轉(zhuǎn)換裝置的一例，示出了 3相逆變裝置，但也可以是3相逆變裝置以外的電力轉(zhuǎn)換裝置。另外，作為半導(dǎo)體裝置的一例，示出了 3相逆變裝置，但也可以是3相逆變裝置以外的半導(dǎo)體裝置。
[0085]另外，在上述實施方式中，示出了沿著大致矩形形狀的半導(dǎo)體裝置用零件(半導(dǎo)體元件)的4條邊呈周狀連接第2接合層的結(jié)構(gòu)，但是，只要如圖14所示的第I變形例那樣將第2接合層27與大致矩形形狀的半導(dǎo)體裝置用零件(半導(dǎo)體元件)的至少4個角連接即可。這種情況下，半導(dǎo)體裝置用零件的倒角部至少設(shè)置在4個