陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，涉及一種陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。
[0003]陣列基板是液晶顯示器的重要部件，其中的薄膜晶體管陣列用于控制每個(gè)像素的亮度和顏色。薄膜晶體管中主要包括柵極、源極、漏極和有源層，目前越來越多的產(chǎn)品已經(jīng)采用低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon，簡稱LTPS)作為有源層的材料，替代傳統(tǒng)的非晶硅。與傳統(tǒng)的非晶硅相比，低溫多晶硅具有更高的載流子迀移率，因此能夠?qū)崿F(xiàn)更高的分辨率和更低的功耗。
[0004]目前，利用低溫多晶硅形成薄膜晶體管的有源層的過程主要包括:首先在基板上形成一層非晶娃，然后利用準(zhǔn)分子激光退火(Excimer Laser Annealer，簡稱ELA)工藝將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，再對多晶硅進(jìn)行蝕刻，形成硅島(有源層的圖形)，最后對硅島進(jìn)行粒子植入工藝，植入所需的離子即可形成薄膜晶體管的有源層。
[0005]但是，非晶硅通過ELA工藝轉(zhuǎn)化為多晶硅之后，多晶硅的晶界會產(chǎn)生突起，對導(dǎo)通電子的阻礙較大，而且由于原子組合不夠完全，多晶硅的晶界上會產(chǎn)生大量懸空鍵，影響載流子的迀移率，不利于獲得較高的開態(tài)電流，對薄膜晶體管的電性造成影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中多晶硅的晶界上存在大量懸空鍵的技術(shù)問題。
[0007]本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括:
[0008]形成非晶硅層；
[0009]將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層；
[0010]對所述多晶娃層進(jìn)行蝕刻，形成娃島；
[0011]對所述硅島進(jìn)行離子植入工藝；
[0012]利用等離子體，對所述硅島中的多晶硅進(jìn)行補(bǔ)氫。
[0013]優(yōu)選的是，所述等離子體包括氫氣和氨氣中的至少一種。
[0014]進(jìn)一步的是，所述等離子體還包括氮?dú)狻?br>[0015]優(yōu)選的是，對所述硅島進(jìn)行離子植入工藝，具體包括:
[0016]向所述硅島中的多晶硅植入P型離子；
[0017]向所述硅島中的多晶硅植入N型離子。
[0018]優(yōu)選的是，將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層，具體為:
[0019]利用準(zhǔn)分子激光退火工藝，將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層。
[0020]進(jìn)一步的是，在形成非晶娃層之前，還包括:
[0021 ]在襯底基板上形成遮光層；
[0022]在所述遮光層上形成氮化硅層；
[0023]在所述氮化硅層上形成氧化硅層。
[0024]進(jìn)一步的是，該制造方法還包括:
[0025]形成柵極絕緣層、柵極金屬層、間絕緣層、源漏極金屬層、有機(jī)膜層、第一透明電極層、鈍化層和第二透明電極層。
[0026]本發(fā)明還提供一種陣列基板，所述陣列基板中形成有多個(gè)硅島，所述硅島中的多晶硅填充有氫離子。
[0027]進(jìn)一步的是，所述硅島下方設(shè)置有遮光層，且所述硅島與所述遮光層之間設(shè)置有氮化硅層和氧化硅層。
[0028]優(yōu)選的是，所述硅島包括N型摻雜區(qū)和無摻雜區(qū)。
[0029]本發(fā)明帶來了以下有益效果:本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法中，在將非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層，并進(jìn)行蝕刻及離子植入之后，利用等離子體對多晶硅進(jìn)行補(bǔ)氫。通過補(bǔ)氫操作，能夠使多晶硅的晶界上的懸空鍵被氫離子填充，從而提高了載流子的迀移率，使薄膜晶體管的電性得到改善。
[0030]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0031]為了更清楚的說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0032]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的示意圖；
[0033]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的示意圖一；
[0034]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的示意圖二；
[0035]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的示意圖三；
[0036]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的示意圖四。
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，可應(yīng)用于液晶顯示器中。如圖1所示，該陣列基板中形成有多個(gè)硅島101。其中一些硅島101可作為薄膜晶體管的有源層，這些硅島101為NMOS結(jié)構(gòu)，通過離子植入工藝形成N型摻雜區(qū)1011和無摻雜區(qū)1012 ;另一些硅島101可用于形成存儲電容，不需要進(jìn)行離子植入。
[0039]進(jìn)一步的是，該陣列基板中還包括形成于襯底基板100上的遮光層102，遮光層102位于硅島101下方，且硅島101與遮光層102之間設(shè)置有氮化硅層103和氧化硅層104。遮光層102用于為硅島101遮光，防止硅島101在受到背光源的光照情況下出現(xiàn)光生電流的問題。
[0040]此外，娃島101上還覆蓋有柵極絕緣層105，柵極絕緣層105上還形成有圖中未示出的柵極金屬層、間絕緣層、源漏極金屬層、有機(jī)膜層、第一透明電極層、鈍化層、第二透明電極層等膜層結(jié)構(gòu)。
[0041]本實(shí)施例中，硅島101中的多晶硅填充有氫離子，這樣可以使多晶硅101的晶界上的懸空鍵被氫離子填充，從而提高了載流子的迀移率，使薄膜晶體管的電性得到改善。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例還提供了該陣列基板的制造方法，主要包括以下步驟: