,形成于絕緣基底23的一個表面和另一個表面上的線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44可以通過通路電極46而互相電連接。
[0084]穿透絕緣基底23的空腔可以通過鉆孔、激光、噴砂、或沖壓工藝而形成在絕緣基底23的中心部分中。
[0085]在形成線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44時，在通過印刷法形成圖案鍍層42a和圖案鍍層44a以及通過各向同性電鍍法在圖案鍍層上形成電鍍層42b和圖案鍍層44b之后，通過向線圈施加高密度電流以進(jìn)行各向異性電鍍，可以沿著線圈的厚度方向生長各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c。
[0086]由于電鍍層一般由各向同性電鍍法形成，電鍍層的上表面的可以為圓頂形或球形。
[0087]但是，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，電鍍層42b和電鍍層44b由各向同性電鍍法形成，但是可以形成為梯形，其中，通過調(diào)節(jié)所施加的電流，電鍍層的鄰接絕緣基底23的下側(cè)比電鍍層的上側(cè)長。
[0088]更具體地，通過增加在電鍍層42b和電鍍層44b的鄰接絕緣基底23的下部上施加的電流密度，以及通過降低向電鍍層42b和電鍍層44b的上部施加的電流密度可以使電鍍層42b和電鍍層44b形成為電鍍層42b和電鍍層44b的下側(cè)比上側(cè)長的梯形。
[0089]接下來，可以通過應(yīng)用各向異性電鍍法來在電鍍層42b和電鍍層44b上形成異性電鍍層42c和異性電鍍層44c。在這種情況下，如上所述，由于各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c由絕緣基底23形成，例如，從電鍍層42b和電鍍層44b的底部生長，所以各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c可以沿豎直方向穩(wěn)定生長。
[0090]接下來，可以在線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的表面上形成絕緣膜。就形成絕緣膜的方法而言，可以使用公知的絲網(wǎng)印刷法、光刻膠(PR)曝光顯影法、噴涂法、浸潰法等。
[0091]絕緣膜的材料不受特別限制，只要能夠形成薄絕緣膜即可。例如，可以使用光刻膠(PR)、環(huán)氧基樹脂等來形成絕緣膜。
[0092]絕緣膜形可以成為具有I至3 μ m的厚度。在絕緣膜的厚度小于I μ m的情況下，由于絕緣膜損壞可能會產(chǎn)生漏電流，可能產(chǎn)生電感在高頻部分降低這樣的波形缺陷或線圈之間的短路缺陷，在厚度大于3μπ?的情況下，電感特性可能惡化。
[0093]接下來，可以通過在絕緣基底23的上部和下部上堆疊磁性層來形成磁體50，線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44形成在絕緣基底23上。
[0094]可以通過以下方式形成磁體50:在絕緣基底23的兩個表面上堆疊磁性層，并通過層壓法或等靜壓法對堆疊的磁性層進(jìn)行壓縮。在這種情況下，可以通過填充有磁性材料的空腔來形成核心部分。
[0095]此外，可以形成連接至暴露于磁體50的端面的線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的外部電極31和外部電極32。
[0096]可以使用含有導(dǎo)電率優(yōu)良的金屬的衆(zhòng)料來形成外部電極31和外部電極32,舉例來說，導(dǎo)電漿料可以單獨含有鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)或銀(Ag)，或含有它們的合金。外部電極31和外部電極32可以通過浸潰法等形成，以及通過根據(jù)外部電極31和外部電極32的形狀的印刷法形成。
[0097]在此省略那些與根據(jù)本發(fā)明的前述示例性實施方式的上述片式電子器件的特征重復(fù)的特征。
[0098]用于安裝片式電子器件的板
[0099]圖4為顯示了圖1中的片式電子器件安裝在印刷電路板上時的狀態(tài)的立體圖。
[0100]參考圖4，用于安裝根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的片式電子器件100的板200可以包括印刷電路板210、第一電極墊221和第二電極墊222，片式電子器件100水平地安裝在印刷電路板210上，第一電極墊221和第二電極墊222彼此隔開地設(shè)置在印刷電路板210上。
[0101]在這種情況下，片式電子器件100可以通過焊劑230以如下狀態(tài)電連接至印刷電路板210:第一外部電極31和第二外部電極32分別位于第一電極墊221和第二電極墊222上以互相接觸。
[0102]除了上面的描述，將省略對與根據(jù)本發(fā)明的前述示例性實施方式的上述片式電子器件的特征相重復(fù)的特征的描述
[0103]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，由于線圈導(dǎo)體圖案的電鍍層具有類似于梯形的橫截面形狀，與現(xiàn)有電鍍層的圓形橫截面相比，可以極大地減少短路缺陷的產(chǎn)生。
[0104]此外，由于電鍍層具有類似于梯形的橫截面形狀，與現(xiàn)有電鍍層的圓形橫截面相t匕，各向異性電鍍層從電鍍層的底部形成，由此可以增加線圈導(dǎo)體圖案的高寬比(A/R)，降低直流電阻(Rdc)。
[0105]此外，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的片式電子器件中，可以通過減小線圈導(dǎo)體圖案的尺寸而將各向異性電鍍穩(wěn)定地施加至小尺寸芯片。
[0106]盡管上面顯示并描述了示例性實施方式，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，很顯然，可以在不偏離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出修改和變形。
【主權(quán)項】
1.一種片式電子器件，其包括: 磁體，該磁體包括絕緣基底和線圈導(dǎo)體圖案，所述線圈導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述絕緣基底的至少一個表面上；以及 外部電極，所述外部電極設(shè)置在所述磁體的兩個端部上以連接至所述線圈導(dǎo)體圖案的端部， 其中，所述線圈導(dǎo)體圖案包括圖案鍍層、設(shè)置在所述圖案鍍層上的電鍍層以及設(shè)置在所述電鍍層上的各向異性電鍍層，在所述磁體的沿著長度-厚度方向的橫截面中，所述電鍍層的鄰近所述絕緣基底的下側(cè)比所述電鍍層的上側(cè)長。2.如權(quán)利要求1所述的片式電子器件，其中，所述電鍍層具有梯形的橫截面。3.如權(quán)利要求1所述的片式電子器件，其中，所述電鍍層具有平坦的上表面。4.如權(quán)利要求1所述的片式電子器件，其中，所述各向異性電鍍層由所述絕緣基底形成。5.如權(quán)利要求1所述的片式電子器件，其中，所述線圈導(dǎo)體圖案的高寬比A/R的范圍為1.5 至 5.5。6.如權(quán)利要求1所述的片式電子器件，其中，所述線圈導(dǎo)體圖案包括選自由以下物質(zhì)所組成的組中的一者或多者:銀、鈀、鋁、鎳、鈦、金、銅和鉬。7.一種用于安裝片式電子器件的板，所述板包括: 印刷電路板，所述印刷電路板具有設(shè)置在該印刷電路板上的第一電極墊和第二電極墊；以及 安裝在所述印刷電路板上的片式電子器件， 其中，所述片式電子器件包括:磁體，該磁體包括絕緣基底和線圈導(dǎo)體圖案，所述線圈導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述絕緣基底的至少一個表面上；以及外部電極，所述外部電極設(shè)置在所述磁體的兩個端部上以連接至所述線圈導(dǎo)體圖案的端部，所述線圈導(dǎo)體圖案包括圖案鍍層、設(shè)置在所述圖案鍍層上的電鍍層以及設(shè)置在所述電鍍層上的各向異性電鍍層，在所述磁體的沿著長度-厚度方向的橫截面中，所述電鍍層的鄰近所述絕緣基底的下側(cè)比所述電鍍層的上側(cè)長。8.如權(quán)利要求7所述的板，其中，所述電鍍層具有梯形的橫截面。9.如權(quán)利要求7所述的板，其中，所述電鍍層具有平坦的上表面。10.如權(quán)利要求7所述的板，其中，所述各向異性電鍍層由所述絕緣基底形成。11.如權(quán)利要求7所述的板，其中，所述線圈導(dǎo)體圖案的高寬比(A/R)的范圍為1.5至5.5ο12.如權(quán)利要求7所述的板，其中，所述線圈導(dǎo)體圖案包括選自以下物質(zhì)所組成的組中的一者或多者:銀、鈕、招、鎳、鈦、金、銅和鉬。
【專利摘要】一種片式電子器件，其包括：磁體，該磁體包括絕緣基底和線圈導(dǎo)體圖案，所述線圈導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述絕緣基底的至少一個表面上；以及外部電極，所述外部電極設(shè)置在所述磁體的兩個端部上以連接至所述線圈導(dǎo)體圖案的端部。所述線圈導(dǎo)體圖案包括圖案鍍層、設(shè)置在所述圖案鍍層上的電鍍層以及設(shè)置在所述電鍍層上的各向異性電鍍層，在所述磁體的沿著長度-厚度方向的橫截面中，所述電鍍層的鄰接所述絕緣基底的下側(cè)比所述電鍍層的上側(cè)長。
【IPC分類】H05K1/18, H01F27/28, H01F17/04, H01F27/30
【公開號】CN105185507
【申請?zhí)枴緾N201410465055
【發(fā)明人】鄭汀爀, 房惠民, 金珆暎, 車慧娫
【申請人】三星電機(jī)株式會社
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2014年9月12日