45]可以使用導(dǎo)電性能優(yōu)良的金屬來(lái)形成線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44以及通路電極46。例如，可以使用銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)、鉬(Pt)以及它們的混合物等形成線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44以及通路電極46。
[0046]可以在線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的表面上形成絕緣膜。
[0047]可以通過(guò)公知的方法來(lái)形成絕緣膜，例如絲網(wǎng)印刷法、光刻膠(PR)曝光顯影法、噴灑法、浸潰法等。
[0048]絕緣膜的材料不受特別限制，只要能夠形成薄絕緣膜即可。例如，可以使用光刻膠(PR)、環(huán)氧基樹脂等來(lái)形成絕緣膜。
[0049]形成于絕緣基底23的一個(gè)表面上的線圈導(dǎo)體圖案42的一個(gè)端部可以暴露于磁體50的長(zhǎng)度方向上的一個(gè)端面，形成于絕緣基底23的另一個(gè)表面上的線圈導(dǎo)體圖案44的一個(gè)端部可以暴露于磁體50的長(zhǎng)度方向上的另一個(gè)端面。
[0050]外部電極31和外部電極32可以形成在磁體50的長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端面上，以連接至線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44，線圈導(dǎo)體圖案42和44暴露給磁體50的長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端面。
[0051]外部電極31和外部電極32可以延伸至磁體50的厚度方向上的上表面和下表面和/或?qū)挾确较蛏系膬蓚€(gè)側(cè)表面。
[0052]可以使用導(dǎo)電性能優(yōu)良的金屬來(lái)形成外部電極31和外部電極32。例如，可以單獨(dú)使用鎳(Ni)，銅(Cu)，錫(Sn)，銀(Ag)等，或使用它們的合金等形成外部電極31和外部電極32。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44可以包括圖案鍍層42a和圖案鍍層44a，形成在圖案鍍層42a和圖案鍍層44a上的電鍍層42b和電鍍層44b，以及形成在電鍍層42b和電鍍層44b上的各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c，并且，在磁體50的沿著長(zhǎng)度-厚度方向的橫截面中，電鍍層42b和電鍍層44b的鄰接絕緣基底23的下側(cè)可以比電鍍層42b和電鍍層44b的上側(cè)長(zhǎng)。
[0054]一般而言，對(duì)改善薄膜式電感器的直流電阻(Rdc)特性的技術(shù)進(jìn)行了研究，該技術(shù)應(yīng)用各向異性電鍍法來(lái)作為增加線圈面積的方法。
[0055]各向異性電鍍法設(shè)計(jì)為使得電鍍部分僅僅向線圈的上方生長(zhǎng)，這要?dú)w功于高電流山/又O
[0056]但是，由于在這種情況下是以相對(duì)較高的電流密度執(zhí)行電鍍方法，取決于速度的銅(Cu)離子的供應(yīng)短缺造成在線圈圖案的遠(yuǎn)端上形成燃燒沉積，并且線圈圖案之間的厚度偏差相對(duì)較大，所以可能產(chǎn)生短路缺陷。
[0057]同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，由于電鍍層42b和電鍍層44b的鄰接絕緣基底23的下側(cè)比電鍍層42b和電鍍層44b的上側(cè)長(zhǎng)，可以解決由于線圈導(dǎo)體圖案之間的厚度偏差大而造成的短路缺陷。
[0058]例如，由于電鍍層42b和電鍍層44b的靠近絕緣基底23的下側(cè)比電鍍層42b和44b的上側(cè)長(zhǎng)，所以各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c從電鍍層42b和電鍍層44b的底部生長(zhǎng)，從而可以降低線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44之間的厚度偏差，由此防止在相鄰的線圈導(dǎo)體圖案之間發(fā)生短路。
[0059]此外，由于可以通過(guò)降低線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44之間的厚度偏差來(lái)防止在相鄰的線圈導(dǎo)體圖案之間發(fā)生短路，各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c可以生長(zhǎng)得相對(duì)較高，使得線圈導(dǎo)體圖案的高寬比(A/R)可以改善，由此降低直流電阻(Rdc) ο
[0060]此外，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的片式電子器件中，可以通過(guò)減小線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的尺寸而將各向異性電鍍穩(wěn)定地施加至小尺寸芯片。
[0061]電鍍層42b和電鍍層44b的橫截面形狀不受特別限制，但是可以為-例如-梯形。
[0062]由于線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的電鍛層42b和電鍛層44b具有梯形橫截面，與現(xiàn)有電鍍層的圓形橫截面相比，可以極大地減少短路缺陷。
[0063]例如，由于電鍍層42b和電鍍層44b具有梯形橫截面，與現(xiàn)有電鍍層的圓形橫截面相比，各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c可以從電鍍層的底部生長(zhǎng)，并沿著豎直方向穩(wěn)定生長(zhǎng)。
[0064]因此，可以降低線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的厚度偏差，由此可以防止在相鄰線圈導(dǎo)體圖案之間產(chǎn)生短路。
[0065]此外，由于各向異性電鍛層42c和各向異性電鍛層44c可以沿著豎直方向穩(wěn)定生長(zhǎng)，可以增加線圈導(dǎo)體圖案的高寬比(A/R)，由此降低直流電阻(Rdc)。
[0066]電鍍層42b和電鍍層44b可以具有平坦的上表面，但是不局限于此。
[0067]由于電鍍層42b和電鍍層44b具有平坦的上表面，與現(xiàn)有電鍍層的圓形橫截面相t匕，各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c可以從電鍍層的底部沿著豎直方向穩(wěn)定地生長(zhǎng)。
[0068]因此，可以增加線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的高寬比(A/R)，由此降低直流電阻(Rdc)。
[0069]各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c可以由絕緣基底23形成。
[0070]如上所述，由于各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c可以由絕緣基底23形成，例如，從電鍍層的底部生長(zhǎng)，所以各向異性電鍍層42c和各向異性電鍍層44c可以沿豎直方向穩(wěn)定生長(zhǎng)。
[0071]以舉例的方式提供了形成線圈導(dǎo)體圖案的方法。因此，本發(fā)明不局限于此，可以使用各種方法。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的高寬比(A/R)可以為1.5至5.5。
[0073]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的片式電子器件中，為了極大地降低線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的直流電阻(Rdc)，可以增加線圈的橫截面面積。為此,可以應(yīng)用使線圈沿厚度方向生長(zhǎng)的各向異性電鍍法。
[0074]在應(yīng)用各向異性電鍍法使線圈導(dǎo)體圖案在厚度方向生長(zhǎng)得相對(duì)較厚的情況下，可以增加線圈的橫截面面積，由此降低直流電阻(Rdc)。
[0075]例如，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的高寬比(A/R)調(diào)整為1.5至5.5，由此可以增加線圈的橫截面面積，從而降低直流電阻(Rdc)。
[0076]在線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的高寬比(A/R)小于1.5的情況下，由于高寬比(A/R)接近1，在有限空間中增加線圈橫截面面積的效果可能不大，因此，降低直流電阻(Rdc)的效果可能不大。
[0077]另一方面，在線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的高寬比(A/R)大于5.5的情況下，由于線圈的橫截面面積增加，可以降低直流電阻(Rdc)，但是，由于電鍍部分的生長(zhǎng)不一致，可能產(chǎn)生短路缺陷，并且，直流電阻(Rdc)可能根據(jù)當(dāng)銅(Cu)離子的供應(yīng)速度較低時(shí)可能生成的厚度燃燒沉積而降低。
[0078]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，線圈導(dǎo)體圖案可以含有一種或多種選自以下組中的材料:銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)和鉬(Pt)，但是不局限于此。
[0079]在這里將會(huì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的片式電子器件的制造過(guò)程。
[0080]首先，可以在絕緣基底23上形成線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44。
[0081]可以通過(guò)電鍍等方法將線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44形成在薄的絕緣基底23上。在這種情況下，絕緣基底23不受特別限制。例如，可以使用PCB、鐵氧體基底、金屬基軟磁基底等，絕緣基底23的厚度可以為40至100 μ m。
[0082]舉例來(lái)說(shuō)，用于形成線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44的方法是電鍍法，但是本發(fā)明不局限于此?？梢允褂脤?dǎo)電性能優(yōu)良的金屬來(lái)形成線圈導(dǎo)體圖案42和線圈導(dǎo)體圖案44。例如，可以使用銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)或鉬(Pt)，或上述材料的混合物等。
[0083]通過(guò)在絕緣基底23的部分中形成空腔，并用導(dǎo)電材料填充該空腔，可以形成通路電極46