利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板及其制造方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板及其制造方法，特別是涉及一種在金屬薄板上粘貼膜而制造初級薄板，并對初級薄板進行蝕刻、層疊后垂直切割而制造的利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，制造半導體時通過檢查半導體電氣性能來確認半導體的制造有無異常。進行檢查時，將為了能夠與半導體元件的端子電接觸而形成的半導體測試插座插在半導體元件與檢測電路板之間。另外，半導體測試插座除了應用于半導體元件的檢測，還應用于半導體元件制造過程中的老化(Burn-1n )試驗。
隨著半導體元件集成化技術(shù)的發(fā)展及趨于小型化，半導體元件的端子，即引線的大小及間隔也呈現(xiàn)微型化趨勢，從而需要有一種測試插座的導電圖形之間形成微小間距的方法。但是，以現(xiàn)有彈針式(Pogo)半導體測試插座測試集成化半導體元件則存在很大的局限性。
特別是，半導體測試插座上用于電連接的端子或探頭因直接與半導體接觸，從而會使變小、變薄的半導體發(fā)生物理損壞。到目前為止所使用的電極間最小間隔是250 um,需要進一步縮小間隔。
為了解決上述問題，提出了在用彈性材質(zhì)硅材料制造的硅本體上以垂直方向形成沖孔圖形后，在沖孔圖形的內(nèi)部填充導電粉末，從而形成導電圖形的技術(shù)，并廣為使用。
但是，填充導電粉末的方法由于半導體檢測板的耐久性低劣，形成導電體的粉末脫離，致使反復使用的次數(shù)降低。
另外，為了制作半導體檢測板的微小間距，研制出了相間層疊導電薄板與絕緣薄板后，以數(shù)十微米的微小厚度垂直切割，再次層疊后垂直切割的方法。但是，當以微小的厚度進行垂直切割時，由于厚度單薄而易使導電體脫離原有位置，因此難以進行切割。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是彌補現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種不使用導電粉末而可提高耐久性的利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板。
本發(fā)明的另一目的是提供一種各導電體之間的距離為數(shù)十微米的利用粘合劑層疊合金屬薄板的半導體檢測板。
本發(fā)明的又一目的是提供一種與采用現(xiàn)有層疊方法的制造方法相比工藝更加簡單的利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法。
為了達到上述目的本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板的制造方法包括薄板制造階段Si，在絕緣性膜的一面粘貼導電性金屬薄板而制造初級薄板；蝕刻階段S2，對所述初級薄板的金屬薄板進行蝕刻，以形成至少兩個線條，從而制造各線條狀導電體相隔所定距離的二級薄板；層疊階段S3，層疊至少兩個二級薄板，制造成一個堆疊；以及切割階段S4，以所定厚度垂直切割層疊的堆疊。
所述膜包括硅、聚氨酯、P1、PET、PEN、PE、PP、PT、橡膠中的至少一個。
在所述層疊階段向形成有線條狀導電體的二級薄板上面涂覆粘合劑，利用由所述粘合劑構(gòu)成的粘合層層疊至少兩個二級薄板。
所述粘合層包括硅、聚氨酯、P1、PET、PEN、PE、PP、PT、橡膠中的至少一個。
所述切割階段之后還包括對檢測板表面進行化學鍍層以防止導電體氧化的鍍敷階段。 所述金屬薄板包括 Cu、Au、Ag、Pt、Fe、Al、N1、Mg、Pb、Zn、Sn、Co、Cr、Mn、C 中的至少一個。
本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板包括由截面呈四角形、沿Y軸方向具有所定長度的絕緣體構(gòu)成的第一層和Z軸方向高度和Y軸方向長度分別與所述第一層的高度和長度相同、并由至少兩個四角形導電體構(gòu)成的第二層，所述四角形導電體每隔所定間隔便沿Z軸方向貫通有截面呈四角形的絕緣體；所述第一層和第二層沿X軸方向以相間排列方式層疊，以在整體上形成四角形的板，所述板的X軸向兩個端部設有第一層。
所述四角形導電體的上面和下面還包括有用于防止腐蝕的鍍層。
本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板由于采用層疊設置的金屬薄板，而使導電體具有高耐久性。
而且，本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板由于導電體之間的距離能夠具有數(shù)十微米的微小間距，可適用于更為集成化的半導體。
另外，本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法與采用現(xiàn)有層疊方法的制造方法相比其工藝更加簡單，因此，可提高生產(chǎn)效率及質(zhì)量。
【附圖說明】
[0004]圖1是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法流程圖。
圖2是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中薄板制造階段示意圖。
圖3是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中蝕刻階段示意圖。圖4是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中層疊階段涂覆粘合劑過程示意圖。
圖5是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中層疊階段示意圖。 圖6是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中切割階段示意圖。 圖7是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中，1:金屬薄板；2 旲；3:粘合層；5:半導體檢測板；10:粘合劑；11:導電體；30:乳車昆;50:激光；60:初級薄板；61:二級薄板；62:堆疊。
【具體實施方式】
[0005]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。
圖1是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法流程圖，圖2是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中薄板制造階段示意圖，圖3是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中蝕刻階段示意圖，圖4是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中層疊階段涂覆粘合劑過程示意圖，圖5是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中層疊階段示意圖，圖6是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中切割階段示意圖，圖7是本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖1所示，本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法包括薄板制造階段S1、蝕刻階段S2、層疊階段S3、切割階段S4。所述薄板制造階段SI，在絕緣性膜上粘貼導電性金屬薄板而制造初級薄板；所述蝕刻階段S2，對所述初級薄板的金屬薄板進行蝕刻以形成多個線條，以此制造各線條狀導電體相隔所定間距的二級薄板；所述層疊階段S3，層疊多個二級薄板而制造一個堆疊；切割階段S4，以所定的厚度切割所述層疊的堆疊。
另外，還可以包括切割階段S4之后對導電體的露出面進行鍍敷處理的鍍敷階段(未圖示)。
在所述薄板制造階段SI進行粘貼和在層疊階段S3進行層疊時是通過粘合劑或底漆來實現(xiàn)的，所述粘合劑或底漆只要硬化后呈現(xiàn)絕緣性即可，沒有特別的限制。
如圖2所示，本發(fā)明利用粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板的制造方法中，薄板制造階段SI在膜2的一面噴射粘合劑10或底漆(以下稱為粘合劑)后，通過所述粘合劑把金屬薄板I粘貼在膜2的一面。
涂布所述粘合劑10的優(yōu)選方法是涂覆、印刷、噴射中的任意一種方法，并且最好采用可形成I?50 _厚度的涂布量。
而且，所選用的所述粘合劑硬化后應呈現(xiàn)絕緣性。為了提高絕緣性，可在粘合劑內(nèi)增添硅、聚氨酯、P1、PET、PEN、PE、PP、PT、橡膠中的任意一種，或?qū)⒐?、聚氨酯、P1、PET、PEN、PE、PP、PT、橡膠中的任意一種作為粘合劑以液狀進行涂布。
并且，所述膜2可以使用包括硅、聚氨酯、P1、PET、PEN、PE、PP、PT、橡膠中的任意一種的膜，所述金屬薄板 I 可使用包括 Cu、Au、Ag、Pt、Fe、Al、N1、Mg、Pb、Zn、Sn、Co、Cr、Mn、C 中至少一種的金屬薄板。
所述膜2及金屬薄板I通過粘合劑制造成一個初級薄板60，為了調(diào)節(jié)所述初級薄板60的厚度或提高所述膜2與金屬薄板I之間的粘合力，可以利用乳輥30或壓力機(未圖示)對初級薄板60的上、下面施壓。
作為優(yōu)先實施例，為了使導電體之間的距離更小，最好使用厚度為I?ΙΟΟμιη的膜2，但也可以根據(jù)需要(使用用途及檢測端子間距)使用I?5000 um厚度的膜2。
為了獲得更微小的導電體，最好使用厚度為I?10iM的金屬薄板1，但也可以根據(jù)需要(使用用途及檢測端子厚度)使用厚度為I?5000 ?Μ的金屬薄板I。
作為另一實施例，除了用如上所述的粘合劑進行粘貼外，也能通過PVD (PhysicalVapor Deposit1n)和 CVD (Chemical Vapor Deposit1n)等沉積方法，在膜 2 的一面沉積粘合金屬薄板I。
如圖3所示，在本發(fā)明的利用粘合劑層疊粘合金屬薄板的半導體檢測板的制造方法中蝕刻階段S2，對構(gòu)成初級薄板60的膜2和金屬薄板I中的金屬薄板I進行蝕刻而加工成二級薄板。即，對位于初級薄板一面的金屬薄板I進行蝕刻，制造多個線條(Line)狀導電體11，而多條線條狀導電體11以所定間距相互間隔。 作為優(yōu)選實施例，對金屬薄板I進行蝕刻，使所述導電體11之間的間距與膜2的厚度I?50 μιη相同。S卩，所述導電體11之間的距離可隨膜2的厚度發(fā)生變化，以使其與膜2的厚度相一致。
并且，蝕刻的厚度要等于初期金屬薄板I的厚度，以使各導電體11間不發(fā)生接觸，位于絕緣體21末端的金屬薄板I如同Α，全部進行蝕刻，以使末端的導電體11與下部的絕緣體21末端相隔所定距離并位于內(nèi)側(cè)。
優(yōu)選實施例中雖以利用激光50的方法對蝕刻方法進行了說明，但也可以利用化學腐蝕方法(蝕刻)，在要形成導電體11的部分包覆光刻膠，去除形成導電體11部位以外的部分，以提高生產(chǎn)效率。如圖所示，也可以利用激光50去除形成導電體11之外的部分。
另外，可通過調(diào)節(jié)蝕刻間距來調(diào)節(jié)導電體11之間的間距(Pitch)。如果利用激光進行蝕刻，可根據(jù)激光的入射角度形成截面呈四角形的導電體11，導電體截面也可呈梯形、平行四邊形、三角形，并且可以利用多條激光50迅速蝕刻更寬的范圍。
如圖4或圖5所示，利用本發(fā)明的粘合劑層疊金屬薄板的半導體檢測板制造方法中層疊階段先通過涂覆粘合劑而形成粘合層，然后進行層疊。
具體而言，層疊階段S3的粘合劑涂布工序如圖4中的401所示，在位于二級薄板61 —面的導電體11的上面涂覆粘合劑10，形成粘合層3，進一步說明，如圖4