在于圖8中的第一凸塊370及第四凸塊510b皆形成于第一裝置基底100內(nèi)的第一接合墊130上，而非皆形成于第二裝置基底200內(nèi)的第二接合墊230上。如此一來(lái)，同樣可通過(guò)同一制程，同時(shí)形成第一凸塊370及第四凸塊510b上方的開(kāi)口 420，且亦可通過(guò)同一制程，形成重布線層440 及 560。
[0091]可以理解的是，圖4F及5至8中的第一凸塊370、第二凸塊500、第三凸塊510a及第四凸塊510b的位置取決于設(shè)計(jì)需求而不限定于此。
[0092]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一第一裝置基底，貼附于一第二裝置基底的一第一表面上； 一第三裝置基底，貼附于該第二裝置基底相對(duì)于該第一表面的一第二表面上； 一絕緣層，覆蓋該第一裝置基底、該第二裝置基底及該第三裝置基底，其中該絕緣層內(nèi)具有至少一開(kāi)口； 至少一第一凸塊，設(shè)置于該至少一開(kāi)口的底部下方；以及 一重布線層，設(shè)置于該絕緣層上，且經(jīng)由該至少一開(kāi)口電性連接至該至少一第一凸塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二裝置基底的尺寸大于該第三裝置基底的尺寸且小于該第一裝置基底的尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一第一凸塊設(shè)置于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一第一凸塊設(shè)置于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，包括多個(gè)第一凸塊，且該絕緣層內(nèi)具有多個(gè)開(kāi)口，其中所述第一凸塊對(duì)應(yīng)設(shè)置于所述開(kāi)口的底部下方，所述第一凸塊中的一個(gè)設(shè)置于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊，且所述第一凸塊中的另一個(gè)設(shè)置于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于該絕緣層內(nèi)，且分別將該第二裝置基底內(nèi)的一第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的一第三導(dǎo)電墊電性連接至該第一裝置基底內(nèi)對(duì)應(yīng)的一第一導(dǎo)電墊。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于該絕緣層內(nèi)，且分別將該第一裝置基底內(nèi)的多個(gè)第一導(dǎo)電墊、該第二裝置基底內(nèi)的多個(gè)第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的多個(gè)第三導(dǎo)電墊中的兩者彼此電性連接。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二凸塊，該第二凸塊設(shè)置于該絕緣層上的該重布線層上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二凸塊的材料不同于該至少一第一凸塊的材料。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一第一凸塊及該第二凸塊為接合球，且該第二凸塊的尺寸大于該至少一第一凸塊的尺寸。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第三凸塊，該第三凸塊設(shè)置于該第三裝置基底上，并電性連接至該第三裝置基底內(nèi)的一第三接合墊，其中該絕緣層上的該重布線層覆蓋且電性連接該第三凸塊。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，該第三凸塊為接合球，且該第三凸塊具有平坦的上表面。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括: 一第四凸塊，設(shè)置于該第一裝置基底與該重布線層之間；以及 一另一重布線層，設(shè)置于該絕緣層上，且電性連接至該第四凸塊。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二凸塊，該第二凸塊設(shè)置于該另一重布線層上，其中該第二凸塊的材料不同于該第三凸塊的材料、該第四凸塊的材料以及該至少一第一凸塊的材料。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二凸塊，該第二凸塊設(shè)置于該另一重布線層上，其中該第二凸塊、該第三凸塊及該第四凸塊為接合球，且該第二凸塊的尺寸大于該第三凸塊的尺寸及該第四凸塊的尺寸。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該第四凸塊設(shè)置于該第三裝置基底上，且電性連接至該第三裝置基底內(nèi)的一另一第三接合墊，其中該晶片封裝體還包括一另一絕緣層，該另一絕緣層覆蓋該絕緣層及該重布線層，且具有一開(kāi)口，以暴露出該第四凸塊，該另一重布線層經(jīng)由該另一絕緣層內(nèi)的該開(kāi)口電性連接至該第四凸塊。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體，其特征在于，該第三凸塊及該第四凸塊為接合球，且該第三凸塊及該第四凸塊具有平坦的上表面。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該第四凸塊電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊或該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊，其中該絕緣層具有多個(gè)開(kāi)口，所述開(kāi)口中的一個(gè)暴露出該第四凸塊，且該另一重布線層經(jīng)由暴露出該第四凸塊的開(kāi)口電性連接至該第四凸塊。19.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括: 將一第一裝置基底貼附于一第二裝置基底的一第一表面上； 將一第三裝置基底貼附于該第二裝置基底相對(duì)于該第一表面的一第二表面上； 形成至少一第一凸塊及一絕緣層，其中該絕緣層覆蓋該第一裝置基底、該第二裝置基底及該第三裝置基底，且具有至少一開(kāi)口，使該至少一第一凸塊形成于該至少一開(kāi)口的底部下方；以及 在該絕緣層上形成一重布線層，該重布線層經(jīng)由該至少一開(kāi)口電性連接至該至少一第一凸塊。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二裝置基底的尺寸大于該第三裝置基底的尺寸且小于該第一裝置基底的尺寸。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一第一凸塊位于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一第一凸塊位于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括形成多個(gè)第一凸塊，且該絕緣層內(nèi)具有多個(gè)開(kāi)口，使所述第一凸塊對(duì)應(yīng)設(shè)置于所述開(kāi)口的底部下方，其中所述第一凸塊中的一個(gè)位于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊，且所述第一凸塊中的另一個(gè)位于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該絕緣層內(nèi)形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以分別將該第二裝置基底內(nèi)的一第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的一第三導(dǎo)電墊電性連接至該第一裝置基底內(nèi)對(duì)應(yīng)的一第一導(dǎo)電墊。25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該絕緣層內(nèi)形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以分別將該第一裝置基底內(nèi)的多個(gè)第一導(dǎo)電墊、該第二裝置基底內(nèi)的多個(gè)第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的多個(gè)第三導(dǎo)電墊中的兩者彼此電性連接。26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該絕緣層上的該重布線層上形成一第二凸塊。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二凸塊的材料不同于該至少一第一凸塊的材料。28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一第一凸塊及該第二凸塊為接合球，且該第二凸塊的尺寸大于該至少一第一凸塊的尺寸。29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二凸塊的形成方法不同于該至少一第一凸塊的形成方法。30.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該第三裝置基底上形成一第三凸塊，該第三凸塊電性連接至該第三裝置基底內(nèi)的一第三接合墊，其中該絕緣層上的該重布線層覆蓋且電性連接該第三凸塊。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括: 在該第一裝置基底與該重布線層之間形成一第四凸塊；以及 在該絕緣層上形成一另一重布線層，其電性連接至該第四凸塊。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該另一重布線層上形成一第二凸塊，其中該第二凸塊的形成方法不同于該第三凸塊及該第四凸塊的形成方法。33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第四凸塊位于該第三裝置基底上，且電性連接至該第三裝置基底內(nèi)的一另一第三接合墊，其中該晶片封裝體的制造方法還包括形成一另一絕緣層，以覆蓋該絕緣層及該重布線層，該另一絕緣層具有一開(kāi)口，暴露出該第四凸塊，且該另一重布線層經(jīng)由該另一絕緣層內(nèi)的該開(kāi)口電性連接至該第四凸塊。34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第四凸塊電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊或該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊，其中該絕緣層具有多個(gè)開(kāi)口，所述開(kāi)口中的一個(gè)暴露出該第四凸塊，且該另一重布線層經(jīng)由暴露出該第四凸塊的開(kāi)口電性連接至該第四凸塊。
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種晶片封裝體及其制造方法，該晶片封裝體包括：一第一裝置基底，貼附于一第二裝置基底的一第一表面上；一第三裝置基底，貼附于第二裝置基底相對(duì)于第一表面的一第二表面上；一絕緣層，覆蓋第一裝置基底、第二裝置基底及第三裝置基底，其中絕緣層內(nèi)具有至少一開(kāi)口；至少一凸塊，設(shè)置于開(kāi)口的底部下方；一重布線層，設(shè)置于絕緣層上，且經(jīng)由開(kāi)口電性連接至凸塊。本發(fā)明可縮小后續(xù)接合的電路板的尺寸，且能夠簡(jiǎn)化制程、降低成本。
【IPC分類】H01L23/488, H01L21/60
【公開(kāi)號(hào)】CN105097744
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410461293
【發(fā)明人】劉建宏
【申請(qǐng)人】精材科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2014年9月11日
【公告號(hào)】US20150325552