一種晶圓版圖的cdsem測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種晶圓版圖的CDSEM測量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路制造技術(shù)是一個復(fù)雜的工藝，技術(shù)更新很快。表征集成電路制造技術(shù)的一個關(guān)鍵參數(shù)為最小特征尺寸，即關(guān)鍵尺寸(critical dimens1n,⑶)，關(guān)鍵尺寸的大小從最初的125微米發(fā)展到現(xiàn)在的0.13微米，甚至更小，正是由于關(guān)鍵尺寸的減小才使得每個芯片上設(shè)置百萬個器件成為可能。
[0003]隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小，所述器件的邏輯區(qū)故障排除(Logic areadebug)變得更加困難，因為故障區(qū)域或者具有缺陷的地方很難找到，現(xiàn)有技術(shù)中尋找缺陷點(weak point)的方法通常為先將所述設(shè)計后的版圖輸入,查找關(guān)鍵層(critical layer)的缺陷點(weak point)，包括有源區(qū)(AA)、接觸孔(CT)、通孔(VIA)等，現(xiàn)有技術(shù)中大都通過測量關(guān)鍵尺寸的掃描電子顯微鏡(CDSEM)對圖案的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行測量，以便查找到所述圖案中的存在的缺陷點。
[0004]在該過程中，由于版圖中的圖案都非常相近，在進(jìn)行缺陷點的檢查時通常需要將其中的一個被測圖案A作為另一個被測圖案B的定位圖案(addressing pattern),將A作為參照，對圖案B進(jìn)行測量，特別是在缺陷點相鄰很近的時候，所述方法具有較高的效率。但是所述方法仍存在很多不足，其中被測圖案A作為另一個被測圖案B的定位圖案在進(jìn)行CDSEM測量時受到電子的轟擊，而在對被測圖案A進(jìn)行測量時，需要再次對所述被測圖案A進(jìn)行電子轟擊，所以被測圖案A在整個測量過程中將受到兩次電子的轟擊，使得被測圖案A的測量結(jié)果不夠產(chǎn)生偏差，不夠準(zhǔn)確。
[0005]因此，現(xiàn)有技術(shù)中對于缺陷點檢測時，其中某些被測圖案成為定位圖案被電子轟擊，在測量時會被再次轟擊導(dǎo)致測量結(jié)果不夠準(zhǔn)確，而現(xiàn)有技術(shù)中并沒有方法能夠確保測試圖案不被作為定位圖案，所以需要對現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以便消除上述難題，提高測量的準(zhǔn)確度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種晶圓版圖的CDSHM測量方法，包括:
[0008]步驟(a)選擇測量圖案，并檢查所述測量圖案是否已經(jīng)用作定位圖案；
[0009]步驟(b)選擇所述測量圖案的定位圖案，并檢測所述定位圖案是否為所有測量圖案中的一個，以防止所述測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案在CDSEM測量中被電子放射多次。
[0010]作為優(yōu)選，在所述步驟(a)中，若所述測量圖案已經(jīng)用作定位圖案，則發(fā)出警告，并查找到選用所述測量圖案作為定位圖案的點，對所述點重新選擇定位圖案，選用測量圖案以外的圖案作為所述定位圖案；
[0011]若所述測量圖案沒有用作定位圖案，執(zhí)行步驟(b)。
[0012]作為優(yōu)選，在所述步驟(b)中，若所述定位圖案為所有測量圖案中的一個，則發(fā)出警告，并對所述定位圖案進(jìn)行重新選擇，選用測量圖案以外的圖案作為所述定位圖案。
[0013]作為優(yōu)選，若所述定位圖案沒有用作測量圖案，則對所述定位圖案進(jìn)行編輯。
[0014]作為優(yōu)選，所述方法還包括對所述測量圖案進(jìn)行編輯測量的步驟。
[0015]在本發(fā)明中通過兩個步驟對測量圖案進(jìn)行檢查，所述兩個步驟分別為檢查所述版圖中測量圖案是否已經(jīng)用作定位圖案，同時檢測所述定位圖案是否已經(jīng)作為測量圖案，以防止測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案，在CDSEM測量中被電子放射多次，以確保所述測量圖案測量的準(zhǔn)確性。
【附圖說明】
[0016]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0017]圖1為本發(fā)明一【具體實施方式】中晶圓版圖的CDSHM測量方法的框架圖。
【具體實施方式】
[0018]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0019]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0020]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。
[0021]本發(fā)明中為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所述測量圖案通常作為另一測量圖案的定位圖案，被轟擊兩次甚至多次，導(dǎo)致測量結(jié)果不夠準(zhǔn)確的問題，提供了一種新的檢測方法，所述通過兩個步驟來檢查，以確保所述測量圖案不會被用作定位圖案，所述兩個步驟包括:
[0022]步驟(a)選擇測量圖案，并檢查所述測量圖案是否已經(jīng)用作定位圖案；
[0023]步驟(b)選擇所述測量圖案的定位圖案，并檢測所述定位圖案是否為所述晶圓版圖的所有測量圖案中的一個，以防止所述測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案，在CDSEM測量中被電子放射多次。
[0024]其中所述多次為兩次或者兩次以上，若所述測量圖案作為另外一個測量圖案的定位圖案，則該測量圖案會被放射兩次，若再次用作其他測量圖案的定位圖案時，則可能被放射3次或者更多，因此本申請通過上述方法可以避免該測量圖案被放射多次。
[0025]具體