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一種質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的制造方法_3

文檔序號(hào):9377700閱讀:來源:國知局
是用于獲得撞擊于檢測器的離子信號(hào)或在質(zhì)量分析器中運(yùn)動(dòng)的離子流信號(hào)的裝置。
[0070]在本實(shí)施例中,為了降低污染,所述第一離子源I及第二離子源2各自連接的所述真空接口裝置4設(shè)置成:使各真空接口裝置4的出口處的中軸線夾角為O?90度(即如圖所示的夾角α ),如此可以減少質(zhì)量校準(zhǔn)物離子對(duì)分析物離子化和引入過程的干擾。
[0071]實(shí)施例2
[0072]如圖2所示,所述真空接口裝置可以有多種形式,所述真空接口裝置4a可以是采樣錐、圓孔、直毛細(xì)管或者彎毛細(xì)管,例如在圖中所示,由于離子導(dǎo)引區(qū)域51a的進(jìn)口是橫向的直毛細(xì)管,因此豎直方向上的預(yù)設(shè)腔室3a的真空接口裝置4a是彎毛細(xì)管,而類似于實(shí)施例I中離子源間保持的夾角,在本實(shí)施例中,所述彎毛細(xì)管出口段即彎折段的中心線與所述直毛細(xì)管的中心線夾角,大小在O?90度之間,既可以對(duì)準(zhǔn)所述離子導(dǎo)引區(qū)域51a的進(jìn)口,又能滿足分析物與質(zhì)量校準(zhǔn)物相互不影響效率的要求;在其他實(shí)施例中,所述第二離子源2a亦可采用彎毛細(xì)管作為真空接口裝置。
[0073]如圖3所示,優(yōu)選的,所述預(yù)設(shè)腔室3a設(shè)有用于啟動(dòng)或停止所述質(zhì)量校準(zhǔn)物離子向所述離子導(dǎo)引區(qū)域51a運(yùn)送的控制閥32a,所述控制閥可以利用電子信號(hào)控制,從而實(shí)現(xiàn)控制質(zhì)量校準(zhǔn)物進(jìn)入質(zhì)譜儀的數(shù)量及時(shí)間,從而可以實(shí)現(xiàn)在線的實(shí)時(shí)的質(zhì)量校準(zhǔn)。
[0074]如上所述,若所述質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與弓I入裝置包括:設(shè)置有所述離子導(dǎo)弓I區(qū)域51a及質(zhì)量檢測分析區(qū)域52a的裝置主體5a,第一離子源Ia在所述預(yù)設(shè)腔室3a中,離子源與離子導(dǎo)引區(qū)域51a由真空接口裝置4a連接。
[0075]實(shí)施例3
[0076]如圖4所示,與上述實(shí)施例的主要差異在于,在本實(shí)施例中,所述預(yù)設(shè)腔室3b包括通向所述離子導(dǎo)引區(qū)域51b的離子導(dǎo)引器件33b,若如前所述預(yù)設(shè)腔室3b內(nèi)設(shè)有的是第一離子源lb,則質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化產(chǎn)生的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子通過所述離子導(dǎo)引器件進(jìn)入至離子導(dǎo)引區(qū)域51b內(nèi)。
[0077]優(yōu)選的,所述離子導(dǎo)引器件33b包括:離子漏斗、多極桿離子導(dǎo)引裝置、Q-陣列導(dǎo)引器及行波導(dǎo)引裝置中的一種或者組合。
[0078]低壓環(huán)境下的離子源配合離子導(dǎo)引裝置51b使用,提高質(zhì)量校準(zhǔn)物的離子傳輸效率,減少質(zhì)量校準(zhǔn)物的使用量及對(duì)質(zhì)譜儀后級(jí)的污染。
[0079]實(shí)施例4:
[0080]如圖5所示,在本實(shí)施例中,與上述實(shí)施例的主要差異在于,所述質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置還連接有質(zhì)量校準(zhǔn)物處理裝置,所述質(zhì)量校準(zhǔn)物處理裝置包括:裝載所述質(zhì)量校準(zhǔn)物的樣本臺(tái)6c,以供將所述質(zhì)量校準(zhǔn)物處理為氣態(tài)分子送入預(yù)設(shè)腔室3c,所述處理,例如為:所述質(zhì)量校準(zhǔn)物可以在大氣壓下在所述樣本臺(tái)通過解吸附源61c方式(解吸附的方式可以有激光、加熱、電噴霧、或者聲波)變?yōu)闅鈶B(tài)分子、氣態(tài)離子、或者氣溶膠體形式,然后再通過例如導(dǎo)管62c等送入預(yù)設(shè)腔室3c內(nèi)進(jìn)行離子化,所述第一離子源Ic設(shè)于所述預(yù)設(shè)腔室3c內(nèi),用于將所述氣溶膠形式的質(zhì)量校準(zhǔn)物進(jìn)行離子化,然后再送入離子導(dǎo)引區(qū)域51c,如此,氣態(tài)分子、氣態(tài)離子、或者氣溶膠體形式的質(zhì)量校準(zhǔn)物可以更容易地進(jìn)行離子化,從而提高離子化效率,減少質(zhì)量校準(zhǔn)物對(duì)質(zhì)譜后級(jí)的污染。同時(shí)這種二次離子化的方式也可以減少質(zhì)量校準(zhǔn)物的前期制備,節(jié)省質(zhì)量校準(zhǔn)物的準(zhǔn)備時(shí)間,并且可以同時(shí)在樣品臺(tái)上放置多個(gè)對(duì)應(yīng)不同質(zhì)量范圍的質(zhì)量校準(zhǔn)物,可以快捷地更換不同的質(zhì)量校準(zhǔn)物,實(shí)現(xiàn)多個(gè)質(zhì)量范圍的快速校準(zhǔn)。
[0081]實(shí)施例5:
[0082]如圖6所示,與上述實(shí)施例的主要差異在于,所述離子導(dǎo)引區(qū)域51d為多個(gè),所述第一離子源Id(用于質(zhì)量校準(zhǔn)物)及第二離子源2d(用于分析物)分別連接不同的所述離子導(dǎo)引區(qū)域51d,質(zhì)量校準(zhǔn)物和分析物離子通過不同的離子導(dǎo)引裝置進(jìn)入質(zhì)量分析和檢測取悅。
[0083]在本實(shí)施例中,所述離子導(dǎo)引區(qū)域51d有2個(gè),分設(shè)于所述質(zhì)量檢測分析區(qū)域52d的左右兩側(cè),分別對(duì)應(yīng)所述第一離子源Id和第二離子源2d ;所述質(zhì)量檢測分析區(qū)域52d對(duì)應(yīng)在左右兩側(cè)分別設(shè)置連通兩個(gè)離子導(dǎo)引區(qū)域51d的真空接口裝置,如此可以最大程度地隔離第一離子源Id和第二離子源2d,如此,可有效消除分析物離子與質(zhì)量校準(zhǔn)物離子之間的相互干擾,并且避免質(zhì)量校準(zhǔn)物對(duì)于分析物真空接口裝置以及離子導(dǎo)引裝置的污染,提高分析物的檢測靈敏度與穩(wěn)定性。
[0084]為了進(jìn)一步適應(yīng)多種類質(zhì)量校準(zhǔn)物或者分析物的應(yīng)用,以下還提供了兩個(gè)實(shí)施例:
[0085]實(shí)施例6:
[0086]如圖7所示,與上述實(shí)施例的主要差異在于,所述第一離子源Ie有至少兩個(gè),對(duì)應(yīng)不同質(zhì)量范圍的質(zhì)量校準(zhǔn)物;均處于低于大氣壓的環(huán)境下且各自的內(nèi)部氣壓可相同亦可不同,例如分別處于相互獨(dú)立的多個(gè)預(yù)設(shè)腔室3e內(nèi);在本實(shí)施例中,所述第一離子源Ie為2個(gè),則分別設(shè)于2個(gè)不同的預(yù)設(shè)腔室3e內(nèi),對(duì)應(yīng)不同質(zhì)量范圍的質(zhì)量校準(zhǔn)物,也可以在不同的低于大氣壓的環(huán)境下分別離子化,以滿足不同質(zhì)量范圍的校準(zhǔn)要求,也可同時(shí)進(jìn)行不同質(zhì)量范圍的校準(zhǔn)而無需更換樣品和制備混合樣品,亦減少了不同質(zhì)量的質(zhì)量校準(zhǔn)物在同一混合溶液中產(chǎn)生的相互離子化抑制和干擾。
[0087]實(shí)施例7:
[0088]如圖8所示,與上述實(shí)施例的主要差異在于,所述預(yù)設(shè)腔室3f內(nèi)的第一離子源If或第二離子源2f包括:多個(gè)納升電噴霧裝置;在本實(shí)施例中,所述預(yù)設(shè)腔室3f內(nèi)的為第一離子源lf,其包括多個(gè)納升電噴霧裝置,用于離子化質(zhì)量校準(zhǔn)物并將其輸送至離子導(dǎo)引區(qū)域 51f。
[0089]一方面,所述多個(gè)納升電噴霧裝置可對(duì)應(yīng)地應(yīng)用于多種不同質(zhì)量范圍的質(zhì)量校準(zhǔn)物的離子化;一方面,所述預(yù)設(shè)腔室3f內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)真空接口裝置4f,亦可如圖所示所述真空接口裝置4f是至少一個(gè)真空接口裝置;所述多個(gè)納升電噴霧裝置可在不同時(shí)間選擇性地開啟以滿足選擇性質(zhì)量校準(zhǔn)的需求,也可同時(shí)啟動(dòng)進(jìn)行不同質(zhì)量范圍的校準(zhǔn);所述至少一個(gè)真空接口裝置連通至所述離子導(dǎo)引區(qū)域51f,在本實(shí)施例中,所述真空接口裝置也可以和上述真空接口裝置4f 一樣為采樣錐、圓孔、直毛細(xì)管或者彎毛細(xì)管。
[0090]如此,便可以選擇性地進(jìn)行質(zhì)量校準(zhǔn),滿足不同質(zhì)量范圍的校準(zhǔn)要求;也可同時(shí)進(jìn)不同質(zhì)量的質(zhì)量校準(zhǔn)物溶液,可以一次性進(jìn)行較大質(zhì)量范圍的校準(zhǔn),無需更換樣品或者制備混合樣品;減少了不同質(zhì)量的質(zhì)量校準(zhǔn)物在同一混合溶液中產(chǎn)生的相互離子化抑制和干擾。
[0091]需說明的是,上述實(shí)施例4、6及7中的特征可組合使用,即針對(duì)多種不同質(zhì)量范圍的質(zhì)量校準(zhǔn)物同時(shí)或者不同時(shí)離子化和引入的設(shè)計(jì),僅需多設(shè)計(jì)預(yù)設(shè)腔室及相關(guān)器件即可,本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過上述敘述可輕易獲得各種組合的技術(shù)方案。
[0092]另一方面,所述第二離子源(2?2f)亦可以設(shè)于低于大氣壓環(huán)境下,而第一離子源(I?If)設(shè)于大氣壓環(huán)境下,見下一實(shí)施例;并且需說明的是:上述的實(shí)施例中,第二離子源(2?2f)與第一離子源(I?If)皆可互換,意即所述分析物亦可在低于大氣壓環(huán)境下離子化形成離子,提升分析物的離子化和離子傳輸效率,適合于痕量分析物或者離子化效率較低的分析物的檢測。
[0093]實(shí)施例8:
[0094]如圖9所示,與上述實(shí)施例的主要差異在于,所述第二離子源2g設(shè)于所述預(yù)設(shè)腔室3g內(nèi),而第一離子源Ig則置于大氣壓環(huán)境下,如此,利用低壓環(huán)境可以提高分析物的離子傳輸效率與離子化效率,可用于痕量分析物或者離子化效率較低的分析物檢測,提升了分析物檢測的靈敏度。
[0095]優(yōu)選的,所述低于大氣壓的環(huán)境為內(nèi)部氣壓低于大氣壓的預(yù)設(shè)腔室3g,可以帶有抽氣口 31g。
[0096]優(yōu)選的,所述質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置可以包括連通于所述預(yù)設(shè)腔室3g及離子導(dǎo)引區(qū)域51g的作為所述真空接口裝置的離子導(dǎo)引器件(未圖示);進(jìn)一步優(yōu)選的,所述離子導(dǎo)引器件(未圖示)可以包括:離子漏斗、多極桿離子導(dǎo)引裝置、Q-陣列導(dǎo)引器及行波導(dǎo)引裝置中的一種或者組合。
[0097]優(yōu)選的,所述離子導(dǎo)引區(qū)域51g可以包括至少一離子導(dǎo)引裝置511g,所述離子導(dǎo)引裝置511g包括:離子漏斗、多極桿離子導(dǎo)引裝置、Q-陣列導(dǎo)引器及行波導(dǎo)引裝置中的一種或者組合。
[0098]優(yōu)選的,所述第一離子源Ig與第二離子源2g各自連接的所述真空接口裝置4g設(shè)置成:使各真空接口裝置4g的出口處的中軸線夾角為O?90度(即如圖9中角β所示)。
[0099]優(yōu)選的,所述低于大氣壓環(huán)境的氣壓范圍是0.0001?ITorrU?50Torr、50?300Torr 及 300 ?700Tor;r。
[0100]綜上所述,本發(fā)明提供的一種用于質(zhì)譜儀的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置,包括:用于質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化的至少一第一離子源;用于分析物離子化的至少一第二離子源;以及至少一離子導(dǎo)引區(qū)域,離子導(dǎo)引區(qū)域用于導(dǎo)引質(zhì)量校準(zhǔn)物離子及分析物離子進(jìn)入與離子導(dǎo)引區(qū)域連接的質(zhì)量檢測分析區(qū)域;其中,第一離子源處于低于大氣壓的環(huán)境,第二離子源處于大氣壓環(huán)境各個(gè)離子源與離子導(dǎo)引裝置之間均有獨(dú)立真空接口裝置;低壓環(huán)境相比大氣壓環(huán)境減少了質(zhì)譜儀的真空泵負(fù)載,可以使得其相應(yīng)的真空接口裝置截面積大于在大氣壓環(huán)境下
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