0054]如圖4C中所示，可通過(guò)歧管460將公共等離子體源458耦接至每個(gè)處理腔室452A、452B。在所描述的實(shí)施方式中，通道傳遞通過(guò)設(shè)備424包括公共遠(yuǎn)程等離子體源458，該公共遠(yuǎn)程等離子體源458被耦接至每個(gè)通道處理腔室452A、452B。等離子體源458被稱為是公共的，這是因?yàn)樵摰入x子體源458產(chǎn)生每個(gè)通道處理腔室452A、452B中的等離子體。分配通道461A、46IB分別將每個(gè)通道處理腔室452A、452B耦接至公共遠(yuǎn)程等離子體源458?？稍诠仓黧w442下面提供適宜的真空栗455，及該真空栗可被用以產(chǎn)生各個(gè)處理腔室452A、452B內(nèi)的真空。
[0055]如圖4D中最佳圖示的通道傳遞通過(guò)設(shè)備424的代表性橫截面，該橫截面圖示處理腔室452A、452B及裝載鎖定腔室444A、444B及其他部件。關(guān)于處理腔室452B，圖示提升組件472安置在上部位置中以便交換基板102。應(yīng)注意，將圍阻環(huán)475提升于狹縫閥開(kāi)口 454B上方，以免妨礙腔室452B中的基板交換。處理腔室452A圖示了定位于下部位置中的提升組件472，由指狀凹部464來(lái)收納指狀物471。亦圖示了下提升組件467A、467B包括波紋管466、下提升致動(dòng)器243、支撐件250及冷卻平臺(tái)444C。圖4D中亦圖示了公共遠(yuǎn)程等離子體源458，通過(guò)歧管460將該公共遠(yuǎn)程等離子體源458耦接至通道處理腔室452A及通道處理腔室452B。歧管460中的通道461A、461B將等離子體輸送至氣體盒462且穿過(guò)噴頭247及面板259。在進(jìn)口 257處可引入一種或更多種氣體?？稍跉怏w盒462中提供輔助氣體進(jìn)口(未圖示進(jìn)口)。
[0056]現(xiàn)在參看圖4E及圖4F，詳細(xì)圖示基座253?；?53包括頂板468，該頂板可以是適合于接觸基板102的鋁材料?；?53可包括在頂板468下面的支撐件476 (亦可為鋁)，且該支撐件可包括內(nèi)部電阻加熱器，該加熱器具有置于支撐件476中的凹槽中的電阻元件。加熱器可將基板102加熱至適宜的處理溫度，該處理溫度諸如介于約O攝氏度與約300攝氏度之間或更高。至加熱器的電力輸入電纜可在通道477中水平延伸，及隨后可豎直向下延伸通過(guò)形成在公共主體442中的加熱器口。加熱器口偏離頂板468的中心。適宜的密封電氣(electrical)傳遞通過(guò)部480可氣封(hermetically seal)加熱器口。圖示多個(gè)指狀凹部464在頂板468中，這些指狀凹部被配置成及適合于收納指狀物471 (例如三個(gè)指狀物)于頂板表面下。提升組件472的指狀物471 (圖4A至圖4B)適合于在用機(jī)械手116進(jìn)行基板交換期間接觸及提升基板102。舉例而言，指狀物471可有三個(gè)或更多個(gè)。指狀物可從諸如提升框架473之類的連接部分延伸，通過(guò)連接凸緣467將該提升框架連接至升降器部分470。指狀物可在基板102下面水平延伸?？梢砸院线m的徑向間隔將指狀物471隔開(kāi)，以支撐基板102而又不妨礙終端受動(dòng)器140A接取基板102。
[0057]如圖5中所示，提供處理基板(例如基板102)的方法500。方法500包括:在502中，提供第一主機(jī)區(qū)段(例如第一主機(jī)區(qū)段103)，該第一主機(jī)區(qū)段包括第一機(jī)械手(例如第一機(jī)械手114);以及在504中，提供第二主機(jī)區(qū)段(例如第二主機(jī)區(qū)段104)，該第二主機(jī)區(qū)段鄰接第一主機(jī)區(qū)段且包括第二機(jī)械手(例如第二機(jī)械手116)。方法500進(jìn)一步包括:在506中，提供通道傳遞通過(guò)設(shè)備(例如通道傳遞通過(guò)設(shè)備124、324、424)，該通道傳遞通過(guò)設(shè)備耦接第一主機(jī)與第二主機(jī)；及在508中，在通道傳遞通過(guò)設(shè)備的一個(gè)或更多個(gè)通道處理腔室(例如通道處理腔室252、352、452A、452B)內(nèi)對(duì)一個(gè)或更多個(gè)基板實(shí)施處理。
[0058]前述描述僅公開(kāi)了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。落入本發(fā)明范圍內(nèi)的上文所公開(kāi)的系統(tǒng)、設(shè)備及方法的變型對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的。因此，盡管已結(jié)合本發(fā)明的示例性實(shí)施方式公開(kāi)了本發(fā)明，但應(yīng)理解，其他實(shí)施方式可落入如以下權(quán)利要求書(shū)所確定的本發(fā)明范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種通道傳遞通過(guò)設(shè)備，所述設(shè)備包括: 傳遞通過(guò)腔室，所述傳遞通過(guò)腔室適合于耦接在第一主機(jī)區(qū)段與第二主機(jī)區(qū)段之間，所述傳遞通過(guò)腔室包括入口及出口，所述入口及所述出口每一個(gè)都具有狹縫閥；以及 通道處理腔室，所述通道處理腔室定位于與所述傳遞通過(guò)腔室不同的水平處，其中所述通道處理腔室適合于對(duì)基板實(shí)施處理。2.如權(quán)利要求1所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，其中所述處理包括選自沉積處理、氧化處理、氧化物去除處理、硝化處理、蝕刻處理及退火處理、消除處理及清潔處理中的至少一種。3.如權(quán)利要求1所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，包括排列在所述傳遞通過(guò)腔室正上方的所述通道處理腔室。4.如權(quán)利要求3所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，進(jìn)一步包括借助所述通道處理腔室的傳遞通過(guò)能力。5.如權(quán)利要求1所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，其中所述通道處理腔室包括:第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口適合于耦接至所述第一主機(jī)區(qū)段的第一傳送腔室，及第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口適合于耦接至所述第二主機(jī)區(qū)段的第二傳送腔室。6.如權(quán)利要求1所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，其中所述通道處理腔室包括開(kāi)口，所述開(kāi)口適合于耦接至所述第一傳送腔室或所述第二傳送腔室中的一個(gè)。7.如權(quán)利要求1所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，包括公共遠(yuǎn)程等離子體源，所述公共遠(yuǎn)程等離子體源耦接至所述通道處理腔室及第二通道處理腔室。8.如權(quán)利要求1所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，其中所述通道處理腔室包括固定的受熱基座。9.如權(quán)利要求1所述的通道傳遞通過(guò)設(shè)備，包括第二通道處理腔室，所述第二通道處理腔室與所述通道處理腔室以并行排列方式排列。10.一種電子器件處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 第一主機(jī)區(qū)段，所述第一主機(jī)區(qū)段包括被配置成移動(dòng)基板的第一機(jī)械手； 第二主機(jī)區(qū)段，所述第二主機(jī)區(qū)段包括被配置成移動(dòng)基板的第二機(jī)械手；以及通道傳遞通過(guò)設(shè)備，所述通道傳遞通過(guò)設(shè)備耦接于所述第一主機(jī)與所述第二主機(jī)之間，所述通道傳遞通過(guò)設(shè)備包括: 第一傳遞通過(guò)腔室，所述第一傳遞通過(guò)腔室耦接于所述第一主機(jī)與所述第二主機(jī)之間，其中借助所述第一機(jī)械手及所述第二機(jī)械手兩者可進(jìn)出所述第一傳遞通過(guò)腔室；以及通道處理腔室，所述通道處理腔室適合于對(duì)基板實(shí)施處理，所述通道處理腔室定位于與所述第一傳遞通過(guò)腔室不同的水平處。11.如權(quán)利要求10所述的電子器件處理系統(tǒng)，其中所述通道傳遞通過(guò)設(shè)備包括第一通道處理腔室，所述第一通道處理腔室與第二通道處理腔室以并行排列方式排列。12.如權(quán)利要求10所述的電子器件處理系統(tǒng)，其中所述通道傳遞通過(guò)設(shè)備包括進(jìn)入所述通道處理腔室內(nèi)的單個(gè)入口。13.如權(quán)利要求10所述的電子器件處理系統(tǒng)，其中所述通道傳遞通過(guò)設(shè)備包括: 第一入口，從所述第一主機(jī)經(jīng)由所述第一入口進(jìn)入所述通道處理腔室內(nèi)；以及 第二入口，從所述第二主機(jī)經(jīng)由所述第二入口進(jìn)入所述通道處理腔室內(nèi)。14.一種處理基板的方法，所述方法包括: 提供第一主機(jī)區(qū)段，所述第一主機(jī)區(qū)段包括第一機(jī)械手； 提供第二主機(jī)區(qū)段，所述第二主機(jī)區(qū)段鄰接所述第一主機(jī)區(qū)段且包括第二機(jī)械手； 提供通道傳遞通過(guò)設(shè)備，所述通道傳遞通過(guò)設(shè)備耦接所述第一主機(jī)及所述第二主機(jī)；以及 在所述通道傳遞通過(guò)設(shè)備的一個(gè)或更多個(gè)通道處理腔室內(nèi)對(duì)一個(gè)或更多個(gè)基板實(shí)施處理。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述處理包括選自沉積處理、氧化處理、氧化物去除處理、硝化處理、蝕刻處理、消除處理及清潔處理中的至少一種。
【專利摘要】公開(kāi)了一種通道傳遞通過(guò)設(shè)備。該通道傳遞通過(guò)設(shè)備包括：傳遞通過(guò)腔室，該傳遞通過(guò)腔室適合于耦接在基板處理系統(tǒng)的第一主機(jī)區(qū)段與第二主機(jī)區(qū)段之間，該傳遞通過(guò)腔室包括入口及出口，該入口及出口每個(gè)都具有狹縫閥；以及通道處理腔室，該通道處理腔室定位于與傳遞通過(guò)腔室不同的水平處，其中通道處理腔室適合于在通道位置處對(duì)基板實(shí)施處理。提供了系統(tǒng)及操作該系統(tǒng)的方法，以及提供了許多其他方面。
【IPC分類】H01L21/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105051861
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480016045
【發(fā)明人】史蒂夫·S·洪坎, 保羅·B·路透, 埃里克·A·恩格爾哈特, 加內(nèi)什·巴拉薩布拉曼尼恩, 陳興隆, 胡安·卡洛斯·羅奇-阿爾維斯
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司
【公開(kāi)日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2014年3月10日
【公告號(hào)】US20140263165, WO2014150234A1