室252。通道處理腔室252適合于對放置在內(nèi)部的基板102實(shí)施處理。以此方式，在通道位置處提供用于基板處理系統(tǒng)100的額外處理能力。在所描述的實(shí)施方式中，腔室244、252的至少一部分形成在公共主體242中。在所描述的實(shí)施方式中，可在機(jī)械手114、116上提供Z軸能力，以便服務(wù)于定位在兩個(gè)豎直水平處的傳遞通過腔室244及通道處理腔室252。Z軸能力可至多達(dá)約200mm。可通過將基板102降低至冷卻件244C上而在傳遞通過腔室244內(nèi)發(fā)生冷卻?？山柚鷮Ｓ谜婵绽?未圖示)來提供對通道傳遞通過腔室244所提供的真空。
[0041]在所描述的實(shí)施方式中，在傳遞通過腔室244豎直上方(例如正上方)排列及安置通道處理腔室252ο在所描述的實(shí)施方式中，進(jìn)入處理腔室252的入口通道經(jīng)過開口 254，該開口 254與第二主機(jī)區(qū)段104的第二傳送腔室112連通?？稍陂_口 254處提供狹縫閥234。在一些實(shí)施方式中，通道傳遞通過設(shè)備124可具有進(jìn)入通道處理腔室252的單個(gè)開口254。
[0042]圖3的實(shí)施方式提供了通道傳遞通過設(shè)備324的替代實(shí)施方式，該通道傳遞通過設(shè)備具有傳遞通過腔室344及通道處理腔室352，該通道處理腔室定位及安置于傳遞通過腔室344豎直上方，但提供了進(jìn)入通道處理腔室352的多個(gè)開口 354A、354B。可在每個(gè)開口 354A、354B及入口 246及出口 248處提供狹縫閥132、234、334。因此，開口 354A及354B及入口 246及出口 248每一個(gè)都可能被用以將基板102傳遞或傳送通過傳送腔室110、112之間。因此，在此實(shí)施方式中，借助通道處理腔室352來提供傳遞通過能力。通道處理腔室352具有:第一開口 354A，該第一開口適合于耦接至第一主機(jī)區(qū)段103的第一傳送腔室110且從該第一傳送腔室110可進(jìn)出該第一開口 354A ;及第二開口 354B，該第二開口適合于耦接至第二主機(jī)區(qū)段104的第二傳送腔室112且從該第二傳送腔室112可進(jìn)出該第二開口354B。
[0043]現(xiàn)在參看圖2及圖3兩者，通道處理腔室252、352可每個(gè)都包括基座253，在處理期間可在該基座上支撐待處理的基板102。基座253可以是固定的(例如不可移動(dòng)的)基座，且在一些實(shí)施方式中，可諸如通過在基座中包括傳統(tǒng)電阻加熱器來加熱該基座?？刹僮骷訜崞?，以將基板102加熱至預(yù)先確定的溫度，該溫度諸如介于約O攝氏度與300攝氏度之間，且在一些實(shí)施方式中在約250攝氏度以上，且在進(jìn)一步實(shí)施方式中介于約280攝氏度與約300攝氏度之間。傳遞通過設(shè)備124、324可對該通道傳遞通過設(shè)備124、324的通道處理腔室252、352中的基板102實(shí)施處理。詳言之，在通道處理腔室252、352中所實(shí)施的處理可以是選自由以下處理所組成的處理群組中的至少一種:沉積處理、氧化處理、硝化處理、退火處理、蝕刻處理、清潔處理或消除處理。在一個(gè)實(shí)施方式中，舉例而言，該處理可以是適合于去除氧化銅(CuO)的氧化物去除或氧化物蝕刻處理。在一些實(shí)施方式中，該處理可為等離子體輔助處理。
[0044]在其他實(shí)施方式中，在通道處理腔室252、352中所實(shí)施的處理可以是適合于從基板102去除鹵素成分的消除處理。舉例而言，在通道處理腔室252、352內(nèi)可發(fā)生用于去除含鹵素殘留物的消除處理?？蓪?shí)施消除以去除溴化氫(HBr)、氯(Cl2)或四氟化碳(CF4)中的一種或更多種。舉例而言，在美國專利8，293，016中教導(dǎo)了用于去除含鹵素殘留物的適宜消除處理。可在通道處理腔室252、352內(nèi)去除其他的處理后(post-processing)殘留物。舉例而言，基板102可經(jīng)歷在處理腔室(例如117-121)之一中所進(jìn)行的處理，及隨后被各機(jī)械手114、116傳輸至通道處理腔室252、352，以用于進(jìn)行殘留物去除處理或其他氣體消除處理。
[0045]可借助耦接的真空栗255將通道處理腔室252、352內(nèi)的真空壓力控制至適合于在那里實(shí)施所期望的處理的適宜真空范圍。真空栗255可為渦輪栗或其他適宜栗，及可借助公共主體242、342內(nèi)部的一個(gè)或更多個(gè)通道256被耦接至每個(gè)腔室252、352?？刹僮骼?55，從而為每個(gè)處理腔室252、352提供真空。
[0046]可經(jīng)由進(jìn)入公共遠(yuǎn)程等離子體源258內(nèi)的氣體進(jìn)口 257供應(yīng)一種或更多種氣體至通道處理腔室252、352。257、357實(shí)施所期望的處理。舉例而言，可借助傳統(tǒng)氣體供應(yīng)系統(tǒng)(未圖示)把諸如氮(N2)、氬(Ar)、氦(He)、氫(H2)、氧(O2)、臭氧(O3)及類似氣體的氣體供應(yīng)至通道處理腔室252、352。舉例而言，此類氣體供應(yīng)系統(tǒng)可包括氣體供應(yīng)容器、質(zhì)量流量控制器及閥。
[0047]在另一個(gè)實(shí)施方式中，可在通道處理腔室252、352內(nèi)發(fā)生氧化銅去除處理。舉例而言，在美國專利6，734，102及6，946，401中描述了適宜的氧化銅去除處理。可使用其他氧化銅去除處理。在一些處理中，可提供諸如圖示的公共遠(yuǎn)程等離子體源之類的等離子體源258，及將該等離子體源耦接至通道處理腔室252、352。
[0048]此外，可提供提升組件272，以提升在處理腔室252、352內(nèi)的基板102。如圖4A中最佳地圖示，提升組件272包括提升框架473，該提升框架可為鋁材料的環(huán)箍形(hoop-shaped)框架。可將指狀物471耦接至提升框架473，及可借助適宜的諸如螺釘或螺栓之類的緊固件來附接這些指狀物或?qū)⑦@些指狀物與提升框架473制成整體。指狀物471支撐基板102，并且當(dāng)借助升降器部分470將提升致動(dòng)器482致動(dòng)到上部位置時(shí)，這對基板102進(jìn)行定位，以使機(jī)械手112的終端受動(dòng)器140A得以從處理腔室252中提取基板102。
[0049]在框架473內(nèi)安裝圍阻環(huán)(containment ring)475，該圍阻環(huán)可為石英或氧化招(alumina)環(huán)。圍阻環(huán)475可用以減小狹縫閥開口 254、354A、354B、454A、454B對發(fā)生在處理腔室252、352、452A、452B內(nèi)的等離子體處理的影響。圍阻環(huán)475在基座253與面板259之間延伸，及填充兩者之間的豎直間隙。在基座253的外圍與圍阻環(huán)475的內(nèi)部直徑之間可提供約3_的徑向間隙?？墒褂闷渌g隙。圍阻環(huán)475可為環(huán)形，及可放置在提升框架473中所形成的凹穴(pocket)中。
[0050]從圖4D中可看出，當(dāng)腔室452A內(nèi)發(fā)生等離子體輔助處理時(shí)，圍阻環(huán)475實(shí)質(zhì)上圍繞處理腔室452A。在處理腔室452B內(nèi)可提供相同圍阻環(huán)475。當(dāng)借助提升致動(dòng)器482所致動(dòng)的升降器部分470的動(dòng)作來提升該提升框架473時(shí)，環(huán)475移動(dòng)，且從噴頭247向外徑向被收納在環(huán)形上凹穴478內(nèi)。因此，環(huán)475包括可移動(dòng)圍阻環(huán)。
[0051]圖4D圖示通道傳遞通過設(shè)備424的代表性橫截面，該橫截面圖示處理腔室452A、452B及裝載鎖定腔室444A、444B及其他部件。關(guān)于腔室452B，圖示提升組件272安置在上部位置中以便交換。應(yīng)注意，將圍阻環(huán)475提升于狹縫閥開口 454B上方，以免妨礙來自處理腔室452B中的基板102的交換。左側(cè)腔室452A圖示了在下位置中的提升組件272，由指狀凹部464來收納指狀物471。亦圖示了下提升組件467包括波紋管466、下提升致動(dòng)器243、支撐件450及冷卻平臺(tái)444C。
[0052]圖1的電子器件處理系統(tǒng)100包括通道傳遞通過設(shè)備124，該通道傳遞通過設(shè)備具有以并行(side-by-side)排列方式排列的傳遞通過腔室122、123。通道傳遞通過設(shè)備124的傳遞通過腔室122、123可實(shí)質(zhì)相同，及可由通道傳遞通過設(shè)備124、324的配置來取代及替換。在一些實(shí)施方式中，可在一個(gè)通道位置處提供圖2中所示的通道傳遞通過設(shè)備124類型的組合，且可在水平偏離的另一通道位置處提供圖3中所示的通道傳遞通過設(shè)備324類型。
[0053]現(xiàn)在參看圖4C及圖4D，圖示了傳遞通過設(shè)備424的實(shí)施方式的等角及橫截面視圖。通道傳遞通過設(shè)備424包括公共主體442，該公共主體442具有耦接至傳遞通過腔室444A、444B的入口 446A、446B，入口 446A、446B耦接至第一傳送腔室110，及從該第一傳送腔室110可進(jìn)出入口 446A、446B。可在另一側(cè)提供出口，及將這些出口耦接至第二傳送腔室112。如上文所討論，在傳遞通過腔室444A、444B上方定位通道處理腔室452A、452B。
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