Led承載座及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種承載座，且特別是有關(guān)于一種LED承載座及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有LED承載座是通常具有基板、介電層和金屬層。介電層設(shè)置在基板上，金屬層設(shè)置在介電層上。金屬層的側(cè)壁裸露，使得金屬層的側(cè)壁容易受到氧化影響，且基板制程過程中，會采用到蝕刻藥水，蝕刻藥水容易殘留在基板內(nèi)而導(dǎo)致LED封裝結(jié)構(gòu)的光衰問題。
[0003]于是，本發(fā)明人有感上述缺失之可改善，乃特潛心研究并配合學(xué)理之運用，終于提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺失之本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種LED承載座及其制造方法，用以有效解決現(xiàn)有的“金屬側(cè)壁裸露”所易產(chǎn)生的缺失。
[0005]本發(fā)明實施例提供一種LED承載座，用以承載至少一 LED晶片，該LED承載座包括:一基板；一金屬層，設(shè)于該基板上且具有分離的一固晶區(qū)塊與一環(huán)形線路區(qū)塊，該固晶區(qū)塊與該環(huán)形區(qū)塊相距一距離，以形成一環(huán)形溝槽；一絕緣層，至少設(shè)置在該環(huán)形溝槽內(nèi)；以及一反射層，設(shè)置在該固晶區(qū)塊的上方且部分覆蓋該環(huán)形溝槽，該至少一 LED晶片設(shè)置在該反射層上且位于該固晶區(qū)塊內(nèi)，該至少一 LED晶片電性連接該環(huán)形線路區(qū)塊。
[0006]本發(fā)明實施例另提供一種LED承載座，用以承載至少一 LED晶片，該LED承載座包括:一基板；一金屬層，具有一第一圖案且設(shè)于該基板上；以及一絕緣層，具有一第二圖案且設(shè)于該基板上，該第一圖案與該第二圖案互補(bǔ)，使得該絕緣層的設(shè)置區(qū)域與該金屬層的設(shè)置區(qū)域為彼此互補(bǔ)。
[0007]本發(fā)明實施例又提供一種LED承載座的制造方法，包括步驟:提供一基板；于該基板上形成具有一第一圖案的一金屬層；以及于該基板上形成具有一第二圖案的一絕緣層，該第一圖案與該第二圖案互補(bǔ)。
[0008]綜上所述，本發(fā)明實施例所提供的LED承載座及其制造方法，透過絕緣區(qū)設(shè)置絕緣層，使得金屬層的側(cè)壁不裸露，即透過絕緣層完整包覆金屬層固晶區(qū)塊和環(huán)形線路區(qū)塊的側(cè)壁，使金屬層固晶區(qū)塊側(cè)壁不再發(fā)生裸露的情況，進(jìn)而避免金屬層固晶區(qū)塊側(cè)壁氧化及蝕刻藥水殘留所造成光衰問題。
[0009]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的權(quán)利范圍作任何的限制。
【附圖說明】
[0010]圖1A為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的立體示意圖。
[0011]圖1B為圖1A省略封裝體時的俯視圖。
[0012]圖2A為圖1的分解示意圖。
[0013]圖2B為圖2A的LED承載座省略防焊層時的俯視圖。
[0014]圖3為圖2A的LED承載座的分解示意圖。
[0015]圖4A為圖1沿4A-4A剖線的剖視示意圖。
[0016]圖4B為圖4A中的4B區(qū)域的放大示意圖。
[0017]圖5A為本發(fā)明第一實施例的步驟SllO的剖視示意圖。
[0018]圖5B為本發(fā)明第一實施例的步驟S130的剖視示意圖。
[0019]圖5C為本發(fā)明第一實施例的步驟S150的剖視示意圖。
[0020]圖6為本發(fā)明第一實施例的變化態(tài)樣的剖視示意圖。
[0021]圖7為本發(fā)明第一實施例的另一變化態(tài)樣的剖視示意圖。
[0022]圖8為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的立體示意圖。
[0023]圖9為圖8的分解示意圖。
[0024]圖10為圖9的LED承載座的分解示意圖。
[0025]圖1lA為圖8沿11A-11A剖線的剖視示意圖。
[0026]圖1lB為圖1lA中的IlB區(qū)域的放大示意圖。
[0027]圖12A為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的立體示意圖。
[0028]圖12B為圖12A中的LED承載座的立體示意圖。
[0029]圖13A為本發(fā)明第三實施例另一實施態(tài)樣的立體示意圖。
[0030]圖13B為圖13A中的LED承載座的立體示意圖。
[0031]圖14為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的第四實施例的立體示意圖。
[0032]圖15為圖14的分解示意圖。
[0033]圖16為圖15的承載座分解示意圖。
[0034]圖17A為圖14沿17A-17A剖線的剖視示意圖。
[0035]圖17B為圖17A中的17B區(qū)域之放大示意圖。
[0036]圖18為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的第五實施例的立體示意圖。
[0037]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0038]100LED 承載座
[0039]I 基板
[0040]11 貫孔
[0041]2絕緣區(qū)
[0042]3金屬層
[0043]31固晶區(qū)塊
[0044]311主要部位
[0045]312 頂面
[0046]313 側(cè)面
[0047]314溫度感測部
[0048]315延伸部
[0049]316正極固晶區(qū)
[0050]317負(fù)極固晶區(qū)
[0051]32環(huán)形線路區(qū)塊
[0052]32P正極線路
[0053]32N負(fù)極線路
[0054]32a內(nèi)部弧狀線路
[0055]32b外部弧狀線路
[0056]321 槽孔
[0057]321a 第一槽孔
[0058]321b 第二槽孔
[0059]321c第三槽孔
[0060]321d第四槽孔
[0061]321IV 形尖點
[0062]3211a 第一 V 形尖點
[0063]3211b 第二 V 形尖點
[0064]3211c第三V形尖點
[0065]3211d第四V形尖點
[0066]322 頂面
[0067]323 側(cè)面
[0068]324 焊墊
[0069]325 缺口
[0070]33串接部
[0071]34固晶區(qū)域
[0072]4絕緣層
[0073]41 頂面
[0074]5反射層
[0075]51 平面
[0076]52 曲面
[0077]53 開孔
[0078]6防焊層
[0079]61 開孔
[0080]62 開孔
[0081]63 開孔
[0082]7吃錫焊墊
[0083]8導(dǎo)電柱
[0084]200LED 晶片
[0085]300反射框
[0086]400封裝體
【具體實施方式】
[0087]第一實施例
[0088]請參閱圖1A至圖7，其為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例，需先說明的是，本實施例對應(yīng)附圖所提及的相關(guān)數(shù)量，僅用以具體地說明本實施例的實施方式，以便于了解其內(nèi)容，而非用以局限本發(fā)明的權(quán)利范圍。
[0089]請參閱圖2A所示,本實施例提供一種發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)，包括:一 LED承載座100、裝設(shè)于LED承載座100的數(shù)個LED晶片200、一反射框300、及一封裝體400。其中，封裝體400內(nèi)可添加螢光粉，但不受限于此。以下將先就LED承載座100作一舉例說明，而后再介紹LED承載座100與其他構(gòu)件之間的連接關(guān)系。
[0090]請參閱圖2A和圖3所不,本實施態(tài)樣的LED承載座100包括一基板1、一金屬層3、一絕緣層4、一防焊層6、及一反射層5。其中，金屬層3、絕緣層4、防焊層6、及反射層5大致依序設(shè)于基板I上。再者，基板I可為金屬基板和絕緣基板，當(dāng)采用金屬基板時，更包含一介電層(圖略)設(shè)置于金屬基板和金屬層3之間，介電層覆蓋于金屬基板的板面上，且介電層邊緣大致與金屬基板邊緣切齊。金屬基板可為鋁基板或銅基板，不以此為限。絕緣基板可為陶瓷基板或樹脂板。
[0091]所述金屬層3 (如銅箔)設(shè)于基板I上且具有一第一圖案，該第一圖案包含分離的一固晶區(qū)塊31與一環(huán)形線路區(qū)塊32。其中，固晶區(qū)塊31具有一位在基板I中央?yún)^(qū)域呈大圓形狀的主要部位311、一呈小圓形狀的溫度感測部314、及連接上述主要部位311與溫度感測部314的一延伸部315，上述環(huán)形線路區(qū)塊32大致圍繞固晶區(qū)塊31的主要部位311而呈大致環(huán)狀。并且環(huán)形線路區(qū)塊32分別被定義為一正極線路32P與一負(fù)極線路32N。再者，上述主要部位311位于兩環(huán)形線路區(qū)塊32內(nèi)側(cè)，而溫度感測部314則自一環(huán)形線路區(qū)塊32相鄰的端緣之間穿出。所述兩環(huán)形線路區(qū)塊32則于對應(yīng)基板I兩個對向角落處各形成有一焊墊324。
[0092]進(jìn)一步地說，每個環(huán)形線路區(qū)塊32形成有兩個弧形槽孔321，且所述兩個環(huán)形線路區(qū)塊32的四個弧形槽孔321 (即第一槽孔321a、第二槽孔321b、第三槽孔321c、第四槽孔321d)大致圍繞固晶區(qū)塊31的主要部位311而排列成大致環(huán)狀。其中，每個弧形槽孔321可形成有V形尖點3211之設(shè)計，亦即，第一槽孔321a、第二槽孔321b、第三槽孔321c、及第四槽孔321d分別形成有第一 V形尖點3211a、第二 V形尖點3211b、第三V形尖點3211c、及第四V形尖點3211d，并且每個弧形槽孔321的V形尖點3211的開口方向皆背對固晶區(qū)塊31的主要部位311。而每個弧形槽孔321的V形開口角度大致呈直角，并且所述兩環(huán)形線路區(qū)塊32的弧形槽孔321分別座落在四個象限，兩兩以通過主要部位311的圓心點的方式而呈對稱性設(shè)置，借以提供LED晶片200置放位置的指標(biāo)。值得注意的是，弧形槽孔321并不以上述條件為限，例如:每個環(huán)形線路區(qū)塊32的弧形槽孔321數(shù)量可以是一個，并通過主要部位311的圓心點的方式對稱設(shè)置。
[0093]所述絕緣層4具有一第二圖案，也就是說所述絕緣層4設(shè)于基板I未被金屬層3所覆蓋的部位上，絕緣層4的設(shè)置區(qū)域和金屬層3的線路圖案恰好為互補(bǔ)設(shè)置，且絕緣層4與金屬層3的頂面共平面，絕緣層4邊緣大致與基板I邊緣切齊。其中，絕緣層4的材質(zhì)較佳為防焊油墨、硅膠、陶瓷油墨、及熱硬化型樹脂的其中之一，但不受限于此。