一種led制程中的背劃方法及其形成結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體制備領域，特別涉及一種LED制程中的背劃方法及其形成結構。
【背景技術】
[0002]發(fā)光二極管的切割技術由金剛石刀切割逐漸發(fā)展為普通激光切割，一般來說，激光的波長為355nm或者266nm，其特點在于它既能劃開藍寶石襯底，也能劃開各種膜層，比如氮化鎵層，布拉格反射層、金屬層等。
[0003]參看附圖1，近年來出現(xiàn)并得到快速發(fā)展的發(fā)光二極管切割技術為隱形激光切割，其特點在于它能穿透藍寶石襯底10，在藍寶石襯底10內形成具有能量的爆點11，爆點11爆開而達到切割的目的。相較于普通激光切割或金剛石切割，它減少了晶片側面的激光灼傷面積或晶片表面的損傷面積，從而減少晶片的出光損失；但因為爆點11是在襯底10內部形成，其形成過程中爆點11區(qū)域的材質被激光燒蝕后附著于該爆點11側壁，從而阻擋光的出射，影響發(fā)光二極管的外量子效率。

【發(fā)明內容】

[0004]針對上述問題，本發(fā)明提出了一種LED制程中的背劃方法及其形成結構，首先利用激光聚焦在襯底背面表面形成多個雜質釋放孔，然后沿著雜質釋放孔位置進一步利用激光隱形切割技術形成多個隱形切割爆點，使隱形切割過程中產生的雜質通過雜質釋放孔排出襯底內部，減少燒蝕雜質附著于隱形切割爆點側壁而對亮度產生的不良影響，提升發(fā)光二極管的外量子效率。
[0005]本發(fā)明解決上述問題的技術方案為:一種LED制程中的背劃方法，包括如下步驟: O提供一襯底，在所述襯底上表面生長外延層并制作多個LED單元；
2)利用激光聚焦在所述襯底的背面表面，形成多個雜質釋放孔；
3)在與所述雜質釋放孔對應位置，利用激光聚焦在所述襯底內部，形成隱形切割爆點，使所述雜質釋放孔和所述隱形切割爆點連通，以將隱形切割爆點形成過程中產生的雜質通過雜質釋放孔排出襯底內部，避免雜質附著于隱形切割爆點側壁而降低LED單元的外量子效率。
[0006]優(yōu)選的，所述步驟2)中形成的雜質釋放孔朝向外延層面的豎直延伸線位于相鄰的LED單元之間。
[0007]優(yōu)選的，所述步驟3)中雜質釋放孔與隱形切割爆點在同一軸線上。
[0008]優(yōu)選的，所述襯底為藍寶石平片襯底、圖形化藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、玻璃襯底中的任意一種。
[0009]優(yōu)選的，所述襯底背面還具有反射層，所述反射層為金屬反射層、分布布拉格反射層或金屬反射層和分布布拉格反射層組成的多層結構。
[0010]優(yōu)選的，所述金屬反射層為Al層、Ag層、Au層。
[0011]利用本發(fā)明的切割方法而形成的結構，包括襯底，所述結構包括多個位于所述襯底背面表面的雜質釋放孔和位于其內部的隱形切割爆點，所述雜質釋放孔和隱形切割爆點位于同一軸線上，并且相互連通，隱形切割爆點形成過程中釋放的雜質通過雜質釋放孔排出襯底內部。
[0012]優(yōu)選的，所述襯底為藍寶石平片襯底、藍寶石圖形化襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、玻璃襯底中的任意一種。
[0013]優(yōu)選的，所述雜質釋放孔朝向外延層面的豎直延伸線位于相鄰的LED單元之間。
[0014]本發(fā)明至少具有以下有益效果:1、本發(fā)明提出的一種LED制程中的背劃方法，SP先在具有多個LED單元的襯底背面形成雜質釋放孔，再在與雜質釋放孔對應位置，利用激光聚焦在所述襯底內部，形成隱形切割爆點，使所述雜質釋放孔和所述隱形切割爆點連通，以將隱形切割爆點形成過程中產生的雜質通過雜質釋放孔排出襯底內部，避免雜質附著于隱形切割爆點側壁而降低LED單元的外量子效率；2、與現(xiàn)有技術中僅僅在襯底內部形成隱形切割爆點相比，本發(fā)明利用連通隱形切割爆點與襯底背面的雜質釋放孔，進一步減小襯底非切割爆點區(qū)域在隨后的裂片制程中產生的斜裂等異?，F(xiàn)象，提升產品良率。
【附圖說明】
[0015]附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據是描述概要，不是按比例繪制。
[0016]圖1為現(xiàn)有技術之隱形切割爆點形成后的LED晶圓側視圖。
[0017]圖2 ~3為本發(fā)明實施例一之背劃方法的流程示意圖。
[0018]圖4為本發(fā)明實施例一之襯底背視圖。
[0019]圖5~7為本發(fā)明實施例二之背劃方法的流程示意圖。
[0020]圖中:10.襯底；11.隱形切割爆點；12.雜質釋放孔；20.外延層；30.反射層；31.雜質釋放孔二。
【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。
[0022]實施例1
參看附圖2~4，本發(fā)明中的一種LED制程的背劃方法，具體包括以下步驟，首先提供一襯底10，于襯底10上表面生長外延層并制作多個LED單元20。該襯底10可為藍寶石平片襯底、藍寶石圖形化襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、玻璃襯底中的任意一種，在LED的量產過程中，優(yōu)選圖形化藍寶石襯底；然后利用激光聚焦在襯底10的背面表面，形成多個雜質釋放孔12，所述雜質釋放孔12孔徑范圍優(yōu)選為I?6 μ m，雜質釋放孔12朝向外延層面的豎直延伸線位于相鄰的LED單元20之間；隨后在與雜質釋放孔12的對應位置，利用激光聚焦在襯底10內部，形成隱形切割爆點11，使雜質釋放孔12和隱形切割爆點11連通，以將隱形切割爆點11形成過程中產生的雜質通過雜質釋放孔12排出襯底內部，避免雜質附著于隱形切割爆點11側壁而降低LED單元的外量子效率；并且隱形切割爆點11與雜質釋放孔12位于同一軸線上，在隨后的LED的正面裂片的制程中，可沿雜質釋放孔12和隱形切割爆點11所在的豎直直線位置分離得到相互獨立的多個LED單元。
[0023]現(xiàn)有技術中，部分技術人員通過刀片或其他工具去除側壁附著的燒蝕雜質，在去除過程中不僅需要大量的人力，同時操作工具易損傷LED外延層表面，降低發(fā)光二極管質量，且不適用于大規(guī)模生產需要。而本發(fā)明在隱形切割爆點11形成前先形成貫穿于襯底10背面與隱形切割爆點11之間的雜質釋放孔12，利用此雜質釋放孔12直接釋放隱形切割爆點11形成過程中產生的雜質，此法僅在背劃制程中增加形成雜質釋放孔12步驟，降低對LED表面的損壞幾率，節(jié)省人力成本；同時，與現(xiàn)有技術中僅僅在襯底10內部形成隱形切割爆點11相比，本發(fā)明利用連通隱形切割爆點11與襯底背面的雜質釋放孔12，進一步減小襯底10非切割爆點區(qū)域在隨后的裂片制程中產生的斜裂等異?，F(xiàn)象，提升產品良率。
[0024]實施例2
參看附圖5~7，本實施例與實施例1的區(qū)別在于:先于襯底10背面沉積一反射層30，然后去除對應于各LED單元20間隙位置處的反射層30，形成反射層30內雜質釋放孔二 31，反射層30為金屬反射層、分布布拉格反射層或金屬反射層和分布布拉格反射層組成的多層結構，其中，金屬反射層為Al層、Ag層或Au層，本實施例優(yōu)選反射率高的分布布拉格反射層；隨后再沿雜質釋放孔二 31對應位置分別利用激光聚焦在襯底10表面制作雜質釋放孔12和利用隱形切割制作隱形切割爆點11。在隨后的LED的正面裂片的制程中，可沿雜質釋放孔二 31、雜質釋放孔12和隱形切割爆點11所在的豎直直線位置分離得到相互獨立的多個LED單元20。
[0025]應當理解的是，上述具體實施方案為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明的范圍不限于該實施例，凡依本發(fā)明所做的任何變更，皆屬本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種LED制程中的背劃方法，其特征在于:包括如下步驟: O提供一襯底，在所述襯底上表面生長外延層并制作多個LED單元； 2)利用激光聚焦在所述襯底的背面表面，形成多個雜質釋放孔； 3)在與所述多個雜質釋放孔對應位置，利用激光聚焦在所述襯底內部，形成多個隱形切割爆點，使所述雜質釋放孔和所述隱形切割爆點連通，以將隱形切割爆點形成過程中產生的雜質通過雜質釋放孔排出襯底內部，避免雜質附著于隱形切割爆點側壁而降低LED單兀的外量子效率。2.根據權利要求1所述的一種LED制程中的背劃方法，其特征在于:所述步驟2)中形成的雜質釋放孔朝向外延層面的豎直延伸線位于相鄰的LED單元之間。3.根據權利要求1所述的一種LED制程中的背劃方法，其特征在于:所述步驟3)中雜質釋放孔與隱形切割爆點位于同一軸線上。4.根據權利要求1所述的一種LED制程中的背劃方法，其特征在于:所述襯底為藍寶石平片襯底、圖形化藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、玻璃襯底中的任意一種。5.根據權利要求1所述的一種LED制程中的背劃方法，其特征在于:所述襯底背面還具有反射層，所述反射層為金屬反射層、分布布拉格反射層或金屬反射層和分布布拉格反射層組成的多層結構。6.根據權利要求5所述的一種LED制程中的背劃方法，其特征在于:所述金屬反射層為Al層、Ag層或Au層。7.—種LED制程中的背劃方法形成結構，包括襯底，其特征在于:所述結構利用權利要求1~6所述的方法制備。8.根據權利要求7所述的一種LED制程中的背劃方法形成結構，其特征在于:所述結構包括多個位于所述襯底背面表面的雜質釋放孔和位于襯底內部的隱形切割爆點，所述雜質釋放孔和隱形切割爆點位于同一軸線上，并且相互連通，隱形切割爆點形成過程中釋放的雜質通過雜質釋放孔排出襯底內部。9.根據權利要求7所述的一種LED制程中的背劃方法形成結構，其特征在于:所述襯底為藍寶石平片襯底、藍寶石圖形化襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、玻璃襯底中的任意一種。10.根據權利要求7所述的一種LED制程中的背劃方法形成結構，其特征在于:所述雜質釋放孔朝向外延層面的豎直延伸線位于相鄰的LED單元之間。
【專利摘要】本發(fā)明提出的一種LED制程中的背劃方法及其形成結構，即先利用激光聚焦在具有多個LED單元的襯底背面形成多個雜質釋放孔，再在與多個雜質釋放孔對應位置，利用激光聚焦在所述襯底內部，形成多個隱形切割爆點，使所述雜質釋放孔和所述隱形切割爆點連通，以將隱形切割爆點形成過程中產生的雜質通過雜質釋放孔排出襯底內部，避免雜質附著于隱形切割爆點側壁而降低LED單元的外量子效率。
【IPC分類】H01L33/12, H01L33/00, H01L21/78, H01L21/268
【公開號】CN105023977
【申請?zhí)枴緾N201510335543
【發(fā)明人】張家宏, 陳功, 周瑜, 韋靜靜, 黃靜
【申請人】安徽三安光電有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年6月17日