的離子束照射到晶片， 所述基準控制波形是，將表示晶片位置上的所述射束掃描方向的各射束位置的時間變化值的掃描速度分布設(shè)為第I掃描速度分布、并且將掃描周期設(shè)為第I掃描周期來往復(fù)掃描離子束的控制波形， 所述離子照射量分布表示以規(guī)定次數(shù)往復(fù)掃描離子束時，在所述晶片位置上的所述射束掃描方向的各射束位置上被累計照射的離子照射量的分布， 所述補正控制波形是，將所述掃描速度分布設(shè)為第2掃描速度分布、并且將掃描周期設(shè)為第2掃描周期來往復(fù)掃描離子束的控制波形， 所述第2掃描速度分布是用于往復(fù)掃描離子束以使所述離子照射量分布成為目標分布的掃描速度分布， 所述第2掃描周期是被調(diào)整為，被以所述第2掃描速度分布往復(fù)掃描的離子束照射的每單位時間的離子照射量分布成為目標值的掃描周期， 生成所述補正控制波形的工序包括: 利用所述第I掃描速度分布及所述測定出的離子照射量分布，計算所述第2掃描速度分布；及 利用所述計算出的第2掃描速度分布，計算所述第2掃描周期。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于， 所述目標分布為在所述射束掃描方向上比所述測定出的離子照射量分布更均勻的離子照射量分布。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于， 所述目標分布為具有任意不均勻形狀的離子照射量分布。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的離子注入方法，其特征在于， 生成所述補正控制波形的工序還包括: 生成中間控制波形，該中間控制波形構(gòu)成為，以所述計算出的第2掃描速度分布往復(fù)掃描尚子束； 將所述已生成的中間控制波形輸出到所述射束掃描器，并根據(jù)所述中間控制波形往復(fù)掃描離子束；及 對根據(jù)所述中間控制波形進行掃描的離子束，測定每單位時間的離子照射量分布，計算所述第2掃描周期的工序中，對根據(jù)所述中間控制波形進行掃描的離子束，利用測定出的每單位時間的離子照射量分布，計算所述第2掃描周期。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的離子注入方法，其特征在于， 所述射束掃描器構(gòu)成為能夠在如下范圍往復(fù)掃描離子束，所述范圍包含往復(fù)運動的晶片能夠存在的照射區(qū)域和位于所述照射區(qū)域外側(cè)的非照射區(qū)域， 生成所述補正控制波形的工序還包括: 計算以所述計算出的第2掃描速度分布往復(fù)掃描所述照射區(qū)域所需要的照射時間；及通過從所述第2掃描周期減去所述照射時間來計算使離子束位于所述非照射區(qū)域的非照射時間， 生成被構(gòu)成為如下的補正控制波形，即構(gòu)成為在所述照射區(qū)域以所述第2掃描速度分布往復(fù)掃描離子束，并且使離子束在所述非照射時間內(nèi)位于所述非照射區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子注入方法，其特征在于， 所述基準控制波形是構(gòu)成為如下的控制波形，即構(gòu)成為在所述照射區(qū)域以所述第I掃描速度分布往復(fù)掃描離子束，并且使離子束在規(guī)定時間位于所述非照射區(qū)域， 計算所述第2掃描周期的工序還包括:當以所述第I掃描速度分布往復(fù)掃描所述照射區(qū)域所需要的時間與所述照射時間不同時，通過將所述非照射時間設(shè)定成與所述規(guī)定時間不同的時間，來使所述第2掃描周期與所述第I掃描周期一致， 生成所述補正控制波形的工序中，生成被構(gòu)成為掃描周期與所述第I掃描周期一致的補正控制波形。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的離子注入方法，其特征在于， 生成所述補正控制波形的工序中，生成被構(gòu)成為在所述非照射區(qū)域以恒定的掃描速度往復(fù)掃描離子束的補正控制波形。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子注入方法，其特征在于， 生成所述補正控制波形的工序中，通過在所述非照射區(qū)域調(diào)整掃描離子束的范圍來生成調(diào)整了所述非照射時間的所述補正控制波形。9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項所述的離子注入方法，其特征在于， 生成所述補正控制波形的工序中，生成在包含于所述非照射區(qū)域的任意位置暫停離子束的掃描的所述補正控制波形。10.根據(jù)權(quán)利要求5至9中任一項所述的離子注入方法，其特征在于， 生成所述補正控制波形的工序包括: 利用所述計算出的第2掃描速度分布及第2掃描周期，計算第3掃描速度分布及第3掃描周期；及 生成被構(gòu)成為如下的補正控制波形，即構(gòu)成為往復(fù)掃描離子束，并且離子束的掃描速度分布為所述第3掃描速度分布且掃描周期為所述第3掃描周期， 所述第3掃描周期為將規(guī)定的常數(shù)與所述第2掃描周期相乘的掃描周期， 所述第3掃描速度分布是與所述第2掃描速度分布成比例的掃描速度分布，并且是以該第3掃描速度分布往復(fù)掃描所述照射區(qū)域所需要的時間成為將所述規(guī)定的常數(shù)與所述照射時間相乘的時間的掃描速度分布， 將所述已生成的補正控制波形輸出到射束掃描器，并將以所述第3掃描速度分布及所述第3掃描周期往復(fù)掃描的離子束照射到晶片。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的離子注入方法，其特征在于， 計算所述第2掃描速度分布的工序中計算出所述第2掃描速度分布，以使將以所述第I掃描速度分布往復(fù)掃描離子束時的所述離子照射量分布在所述射束掃描方向上進行積分的第I離子照射量，與將以所述第2掃描速度分布往復(fù)掃描離子束時的所述離子照射量分布在所述射束掃描方向上進行積分的第2離子照射量一致。12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的離子注入方法，其特征在于， 所述離子注入方法還具備如下工序，即在所述射束掃描器的上游側(cè)調(diào)整離子束的射束電流量，以設(shè)定離子注入條件， 調(diào)整所述射束電流量的工序包括進行粗調(diào)，以便通過調(diào)整所述射束電流量，使每單位時間的尚子照射量分布接近目標值， 生成所述補正控制波形的工序中進行精調(diào)，以便通過對所述被粗調(diào)過的離子束利用測定出的離子照射量分布計算所述第2掃描速度分布及所述第2掃描周期，使每單位時間的尚子照射量分布成為目標值。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子注入方法，其特征在于， 所述粗調(diào)工序包括改變可變孔徑的開口率，所述可變孔徑設(shè)置于所述射束掃描器的上游側(cè)，并供離子束通過。14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的離子注入方法，其特征在于， 所述粗調(diào)工序中，將所述射束電流量調(diào)整為，使根據(jù)所述基準控制波形掃描離子束時所測定的每單位時間的離子照射量分布超過目標值。15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的離子注入方法，其特征在于， 所述射束掃描器構(gòu)成為能夠在如下范圍內(nèi)往復(fù)掃描離子束，所述范圍包含往復(fù)運動的晶片能夠存在的照射區(qū)域和位于所述照射區(qū)域外側(cè)的非照射區(qū)域， 所述基準控制波形構(gòu)成為，在包含所述照射區(qū)域和所述非照射區(qū)域這二者的范圍內(nèi)往復(fù)掃描尚子束， 所述粗調(diào)工序中，根據(jù)所述基準控制波形在包含所述照射區(qū)域和所述非照射區(qū)域這二者的范圍內(nèi)往復(fù)掃描離子束時，將所述射束電流量調(diào)整為，使每單位時間的離子照射量分布成為接近目標值的值。16.一種離子注入裝置，其特征在于，具備: 射束掃描器； 往復(fù)運動裝置，設(shè)置于所述射束掃描器的下游，并沿著與射束掃描方向正交的方向使晶片往復(fù)運動； 射束測量部，能夠測定晶片位置上的所述射束掃描方向的離子照射量分布；及 控制部，將用于往復(fù)掃描離子束的控制波形輸出到所述射束掃描器， 所述控制部包括: 輸出部，將基準控制波形輸出到所述射束掃描器； 獲取部，從所述射束測量部獲取對根據(jù)所述基準控制波形進行往復(fù)掃描的離子束而測定出的離子照射量分布；及 生成部，利用所述已獲取的離子照射量分布生成補正控制波形， 所述基準控制波形是，將表示晶片位置上的所述射束掃描方向的各射束位置的時間變化值的掃描速度分布設(shè)為第I掃描速度分布、并且將掃描周期設(shè)為第I掃描周期來往復(fù)掃描離子束的控制波形， 所述離子照射量分布是表示以規(guī)定次數(shù)往復(fù)掃描離子束時，在所述晶片位置上的所述射束掃描方向的各射束位置上被累計照射的離子照射量的分布， 所述補正控制波形是將所述掃描速度分布設(shè)為第2掃描速度分布，并且將掃描周期設(shè)為第2掃描周期來往復(fù)掃描離子束的控制波形， 所述第2掃描速度分布是用于往復(fù)掃描離子束以使所述離子照射量分布成為目標分布的掃描速度分布， 所述第2掃描周期是被調(diào)整為，被以所述第2掃描速度分布往復(fù)掃描的離子束照射的每單位時間的離子照射量分布成為目標值的掃描周期， 所述生成部具有:第I計算部，利用所述第I掃描速度分布及所述已獲取的離子照射量分布來計算所述第2掃描速度分布；及第2計算部，利用所述計算出的第2掃描速度分布來計算所述第2掃描周期， 將所述已生成的補正控制波形輸出到射束掃描器，并將根據(jù)所述補正控制波形進行往復(fù)掃描的離子束照射到晶片。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的離子注入裝置，其特征在于， 所述離子注入裝置還具備射束電流調(diào)整機構(gòu)，其設(shè)置于所述射束掃描器的上游，并調(diào)整離子束的射束電流量， 所述控制部還包括調(diào)整部，其對所述射束電流調(diào)整機構(gòu)進行控制，以設(shè)定離子注入條件， 所述調(diào)整部進行粗調(diào)，以便通過對所述射束電流調(diào)整機構(gòu)進行控制來調(diào)整所述射束電流量，從而使每單位時間的尚子照射量分布接近目標值， 所述生成部進行精調(diào)，以便利用對所述被粗調(diào)后的離子束所獲取的離子照射量分布，計算所述第2掃描速度分布及所述第2掃描周期，由此使每單位時間的離子照射量分布成為目標值。18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的離子注入裝置，其特征在于， 所述離子注入裝置還具備防護板，其設(shè)置于所述射束掃描器的下游，并切斷往復(fù)掃描的離子束的一部分， 所述射束掃描器構(gòu)成為能夠在如下范圍內(nèi)往復(fù)掃描離子束，所述范圍包含往復(fù)運動的晶片能夠存在的照射區(qū)域和位于所述照射區(qū)域外側(cè)的非照射區(qū)域， 所述防護板被配置成，切斷朝向所述非照射區(qū)域的離子束的至少一部分。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的離子注入裝置，其特征在于， 所述射束測量部具有:中心杯，能夠在晶片位置測定所述照射區(qū)域的離子照射量分布；及側(cè)杯，能夠測定向晶片注入離子時朝向所述非照射區(qū)域的離子束的離子照射量， 所述防護板配置于不切斷朝向所述側(cè)杯的離子束的位置。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種控制離子照射量分布及每單位時間的離子照射量這二者的技術(shù)。離子注入裝置(10)具備：射束掃描器(26)；射束測量部，能夠測定晶片位置上的射束掃描方向的離子照射量分布；及控制部(60)，將用于往復(fù)掃描離子束的控制波形輸出到射束掃描器(26)?？刂撇?60)包括：輸出部，將基準控制波形輸出到射束掃描器(26)；獲取部，從射束測量部(50)獲取對根據(jù)基準控制波形進行往復(fù)掃描的離子束而測定出的離子照射量分布；及生成部，利用所獲取的離子照射量分布生成補正控制波形?？刂撇?60)輸出被調(diào)整為離子照射量分布為目標分布且每單位時間的離子照射量分布為目標值的補正控制波形。
【IPC分類】H01L21/265, H01J37/317
【公開號】CN105023822
【申請?zhí)枴緾N201510148755
【發(fā)明人】黑瀨猛, 井門德安, 狩谷宏行
【申請人】斯伊恩股份有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年3月31日
【公告號】US20150311077