技術(shù)編號(hào):9305539
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體制造工序中,出于改變導(dǎo)電性的目的、以及改變半導(dǎo)體晶片的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的目的等,規(guī)范地實(shí)施著向半導(dǎo)體晶片注入離子的工序(以下,有時(shí)稱(chēng)為“離子注入工序”)。在離子注入工序中所使用的裝置被稱(chēng)為離子注入裝置,該裝置具有形成通過(guò)離子源被離子化之后被加速的離子束的功能、及將該離子束傳輸?shù)阶⑷胩幚硎也⑾蛱幚硎覂?nèi)的晶片照射離子束的功能。為了將離子注入到作為處理對(duì)象的晶片的整個(gè)面,離子束通過(guò)射束掃描器進(jìn)行往復(fù)掃描,晶片沿著與射束掃描方向正交的方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。此時(shí),通過(guò)與晶片...
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