5H, 11H-10_(2-苯并噻唑基）-喹嗪并 [9,9八，16扣香豆素（0545!')、4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0卩￥81)或4,4'-雙 [4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi).。
[0033] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為10~30nm。
[0034] 優(yōu)選地，所述陰極層的厚度為70~200nm。
[0035] 優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極的方塊電阻為5~100Q/ 口。
[0036] 更優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極為IT0導(dǎo)電玻璃。
[0037] 優(yōu)選地，在制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極層表面上覆蓋玻璃封裝蓋板，所 述玻璃封裝蓋板的覆蓋方法為現(xiàn)有技術(shù)。
[0038] 傳統(tǒng)的0LED發(fā)光裝置中，一般采用無機(jī)金屬鋰化合物如Li2C03作為電子傳輸層的 摻雜劑，用于提高傳輸層的電導(dǎo)率。但是采用無機(jī)金屬鋰化合物作為摻雜劑時，其容易在有 機(jī)材料中產(chǎn)生游離的堿金屬離子，如Li+，在電場作用下會擴(kuò)散到發(fā)光層中，經(jīng)過長時間的 擴(kuò)散作用，容易引起激子的淬滅，因而影響發(fā)光效率和使用壽命。
[0039] 本發(fā)明采用有機(jī)鋰作為摻雜劑，摻雜在電子傳輸材料中，由于有機(jī)鋰分子體積比 Li2C03等大的多，其不易產(chǎn)生游離的金屬Li+，因而Li+擴(kuò)散現(xiàn)象得以減緩。
[0040] 本發(fā)明將金屬單質(zhì)和有機(jī)鋰共同摻雜在有機(jī)電子傳輸材料中，采用金屬單質(zhì)摻雜 在有機(jī)電子傳輸材料中，能夠提高電子傳輸層的導(dǎo)電性，從而減少電子在電子傳輸過程中 的淬滅現(xiàn)象，提高電子傳輸效率；本發(fā)明金屬單質(zhì)和陰極層的材質(zhì)相同，金屬單質(zhì)摻雜在電 子傳輸層中，使陰極層與電子傳輸層容易形成歐姆接觸，從而降低啟動電壓；同時，金屬單 質(zhì)不容易產(chǎn)生游離的離子，因此不會擴(kuò)散至發(fā)光層，對有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命無影 響。
[0041] 本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法工藝簡單，成本低。
[0042] 實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有以下有益效果：
[0043] (1)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件使用壽命較長，發(fā)光效率較高；
[0044] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法簡單，制備成本較低。
【附圖說明】
[0045] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0046] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清 楚、完整地描述。
[0048] 實(shí)施例1
[0049] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0050] (1)提供IT0導(dǎo)電玻璃作為導(dǎo)電陽極1，并清洗干凈，IT0導(dǎo)電玻璃方塊電阻為 5Q/ □;在真空度為1Xl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在IT0導(dǎo)電玻璃表面采用真空蒸鍍的方 法制備空穴傳輸層2 ;空穴傳輸層的材質(zhì)為F4-TCNQ和NPB按質(zhì)量比為1:100的比例形成 的混合材料，空穴傳輸層的厚度為20nm，其中F4-TCNQ的蒸鍍速度為0. 01nm/s，NPB的蒸鍍 速度為lnm/s;
[0051] 在真空度為IXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在空穴傳輸層表面采用真空蒸鍍的方 法制備發(fā)光層3,發(fā)光層的材質(zhì)為DMQA，發(fā)光層的厚度為10nm，蒸鍍速度為0.lnm/s;
[0052] (2)在真空度為IXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在發(fā)光層表面采用真空蒸鍍的方法 制備電子傳輸層4,電子傳輸層的材質(zhì)為Liph、金屬A1和Bphen形成的混合材料，Liph和 Bphen的質(zhì)量比為5:100,Liph和金屬A1的質(zhì)量比為5:5,Liph的蒸鍍速度為0.Olnm/s， Bphen的蒸鍍速度為0. 2nm/s，A1的蒸鍍速度為0.Olnm/s，電子傳輸層厚度為20nm;
[0053] (3)在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層4表面采用真空蒸鍍 的方法制備陰極層5,陰極層的材質(zhì)為A1，陰極層的厚度為70nm，蒸鍍速度為0.lnm/s，制備 得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0054] 在制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件后，在陰極層表面覆蓋玻璃封裝蓋板6，其所用的工 藝是本行業(yè)內(nèi)常用的封裝技術(shù)。
[0055] 圖1為本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件100的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本實(shí)施 例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極1、空穴傳輸層2、發(fā)光層3、電子傳 輸層4、陰極層5和玻璃蓋板6,具體結(jié)構(gòu)表不為：
[0056] IT0/F4-TCNQ:NPB/DMQA/Liph:Bphen:A1/A1/ 玻璃蓋板，其中，斜杠 "/" 表示依次 層疊，F(xiàn)4-TCNQ:NPB和Liph:Bphen:Al中的冒號"："表示混合，后面實(shí)施例中各個符號表 示的意義相同。
[0057] 對比例1
[0058] 對比例1和實(shí)施例1的區(qū)別在于：對比例1電子傳輸層的材質(zhì)為Liph和Bphen形 成的混合材料，不加入金屬Al，Liph與Bphen的質(zhì)量比為5:100,其他均同實(shí)施例1。
[0059] 實(shí)施例2
[0060] (1)提供IT0導(dǎo)電玻璃作為陽極，并清洗干凈，IT0導(dǎo)電玻璃方塊電阻為lOOQ/口 ； 在真空度為1Xl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在IT0導(dǎo)電玻璃表面采用真空蒸鍍的方法制備空 穴傳輸層；空穴傳輸層的材質(zhì)為F6-TNAP和MeO-TH)按質(zhì)量比為10:100的比例形成的混合 材料，空穴傳輸層的厚度為60nm，其中F6-TNAP的蒸鍍速度為0. 05nm/s，Me0-Tro的蒸鍍速 度為 0. 5nm/s。
[0061] 在真空度為IXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在空穴傳輸層表面采用真空蒸鍍的方 法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質(zhì)為C545T，發(fā)光層的厚度為30nm，蒸鍍速度為0. 5nm/s;
[0062] (2)在真空度為IXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在發(fā)光層表面采用真空蒸鍍的方法 制備電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為LiOXD、金屬Ag和TPBi形成的混合材料，LiOXD和 TPBi的質(zhì)量比為30:100,LiOXD和金屬Ag的質(zhì)量比為5:1，LiOXD的蒸鍍速度為0. 05nm/s， TPBi的蒸鍍速度為0. 16nm/s;Ag的蒸鍍速度為0. 01nm/s，電子傳輸層厚度為60nm;
[0063] (3)在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層表面采用真空蒸鍍的 方法制備陰極層，陰極層的材質(zhì)為Ag，陰極層的厚度為200nm，蒸鍍速度為lnm/s。
[0064] 在器件制備完畢后，在陰極層表面還覆蓋有玻璃封裝蓋板，其所用的工藝是本行 業(yè)內(nèi)常用的封裝技術(shù)。
[0065] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層、陰極層和玻璃蓋板，具體結(jié)構(gòu)表不為：
[0066] IT0/F6-TNAP:Me0-TPD/C545T/Li0XD:TPBi:Ag/Ag/ 玻璃蓋板。
[0067] 對比例2
[0068] 對比例2和實(shí)施例2的區(qū)別在于：對比例2電子傳輸層的材質(zhì)為LiOXD和TPBi形 成的混合材料，不加入Ag，LiOXD與TPBi的質(zhì)量比為30:100,其他均同實(shí)施例2。
[0069] 實(shí)施例3
[0070] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0071] (1)提供IT0導(dǎo)電玻璃作為陽極，并清洗干凈，IT0導(dǎo)電玻璃方塊電阻為50Q/□; 在真空度為IXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在IT0導(dǎo)電玻璃表面采用真空蒸鍍的方法制備 空穴傳輸層；空穴傳輸層的材質(zhì)為F2-HCNQ和TH)按質(zhì)量比為5:100的比例形成的混合材 料，空穴傳輸層的厚度為40nm，其中F2-HCNQ的蒸鍍速度為0.Olnm/s，TH)的蒸鍍速度為 0?2nm/s。
[0072] 在真空度為IXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在空穴傳輸層表面采用真空蒸鍍的方 法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質(zhì)為Rubrene，發(fā)光層的厚度為15nm，蒸鍍速度為0. 2nm/s;
[0073] (2)在真空度為IXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在發(fā)光層表面采用真空蒸鍍的方法 制備電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為LiDPQX、金屬Ag和Alq3形成的混合材料，LiDPQX和 Alq3的質(zhì)量比為10:100，LiDPQX和金屬Ag的質(zhì)量比為5:5，LiDPQX的蒸鍍速度為0. 05nm/ s，Alq3的蒸鍍速度為0. 5nm/s，Ag的蒸鍍速度為0. 05nm/s;電子傳輸層厚度為40nm;
[0074] (3)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層表面采用真空蒸鍍的 方法制備陰極層，陰極層的材質(zhì)為Ag，陰極層的厚度為100nm，蒸鍍速度為0. 5nm/s。
[0075] 在器件制備完畢后，在陰極層表面還覆蓋有玻璃封裝蓋板，其所用的工藝是本行 業(yè)內(nèi)常用的封裝技術(shù)。
[0076] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層、陰極層和玻璃蓋板，具體結(jié)構(gòu)表不為：
[0077] IT0/F2_HCNQ:TPD/Rubrene/LiDP