超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜及其制備工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及同軸電纜的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種超低損耗耐高溫 低互調(diào)電纜及其制備工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 高溫電纜是一種特殊材料制成的高性能電纜，應(yīng)用于通信領(lǐng)域、特別是廣泛應(yīng)用 于4G天線中，但PTFE材料的特性和加工工藝（實芯推擠、不發(fā)泡）導致該類產(chǎn)品損耗整體 較大。為此，在現(xiàn)有技術(shù)中，為達到較高的屏蔽性能，編織密度達到了 99. 5%以上，而且需要 浸錫以保證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，但仍然存在小孔導致信號的泄漏；另外，錫的導電率比裸銅比的導電 率差，導致電纜損耗大大增加；因電纜精細，常規(guī)的縱包模具無法實現(xiàn)平整且緊密的包覆， 打折、翻帶等質(zhì)量問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種超低損耗耐高 溫低互調(diào)電纜。
[0004] 為了實現(xiàn)本發(fā)明的上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了以下技術(shù)方案：
[0005] -種超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，為同軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電纜由內(nèi)至外依 次為內(nèi)導體、絕緣層、銅箔縱包層、銅編織層、鍍錫層，和護套層。
[0006] 其中，所述銅箔縱包層的厚度為0. 03~0. 15_。當所述銅箔縱包層的厚度達到 0. 03mm以上時即可達到屏蔽要求，而且出于經(jīng)濟性的考慮將所述銅箔縱包層的厚度限定為 0. 15mm以上。
[0007] 其中，所述絕緣層為聚烯烴發(fā)泡絕緣層。
[0008] 其中，所述銅箔經(jīng)過鈍化處理形成有鈍化層；作為優(yōu)選地所述鈍化層的厚度為 30~100埃。
[0009] 其中，所述鈍化處理的鈍化液由0. 05~0. 30wt%的苯并三氮唑、0. 05~0. 15wt% 的羥基琥珀酰亞胺、0. 10~0. 20wt%的乙二酸，和余量的水組成。
[0010] 其中，鈍化處理的溫度為60~80°C，處理時間為4~20秒，優(yōu)選為5~10秒。
[0011] 其中，所述鍍錫層在氮氣氣氛下進行，熱浸鍍溫度為270~300°C，優(yōu)選為280~ 285°C;熱浸鍍的鍍液為：0? 05~0? 50wt%的Ge、0. 15~0? 50wt%的Ni，和余量的Sn。該 鍍錫層與常規(guī)的純錫鍍層相比，不僅可以提高鍍層的表面均勻性，而且能夠防止鍍錫層在 高溫下氧化，也能夠防止其在低溫下發(fā)生粉化現(xiàn)象。
[0012] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：
[0013]本發(fā)明的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜使用裸銅帶縱包、不僅耐蝕性好，而且提高 了屏蔽性；能夠保持完好的裸銅較好的導電率，從而大大降低了電纜的損耗。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜的橫截面示意圖。
【具體實施方式】
[0015] 如圖1所示，本【具體實施方式】所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，包括為同軸結(jié) 構(gòu)，所述電纜由內(nèi)至外依次為內(nèi)導體1、絕緣層2、銅箔縱包層3、銅編織層4、鍍錫層5,和護 套層6。在本實施例中，所述內(nèi)導體為純銅，作為優(yōu)選地可以選擇鍍銀銅，所述銅的直徑根據(jù) 實際需要可以為〇. 8~I. 5mm不等；所述絕緣層為聚烯烴發(fā)泡絕緣層；所述銅箔縱包層采 用"6"字型縱包模具將銅箔完全包裹在絕緣層的外表面形成銅箔縱包層，所述銅箔縱包層 的厚度為〇. 03~0. 15mm。然后，在銅箔縱包層外形成銅編織層，然后在浸錫爐中，在惰性氣 氛或者還原性氣氛下進行浸錫處理形成鍍錫層，最后在鍍錫層的外表面形成護套層，所述 護套層優(yōu)選為低煙無鹵聚乙烯護套。本實施例的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜使用裸銅帶縱 包、實現(xiàn)全覆蓋，增加屏蔽性能；能夠保持完好的裸銅較好的導電率，從而大大降低了對電 纜的損耗，而且精準地縱包工藝實現(xiàn)了裸銅帶表面的完整、平滑、緊密覆蓋；特別適用于4G 通信天線電纜。
[0016] 實施例1關(guān)于銅箔縱包層
[0017] 在本實施例中，所述銅箔縱包層使用的銅箔經(jīng)過鈍化處理，其不僅提供了優(yōu)異的 耐蝕性，而且具有良好的防變色效果，能保持銅的金屬光澤，而且不影響其后的熱浸錫工 -H- 〇
[0018] 在本實施例中，使用的鈍化液由0. 05~0. 30wt%的苯并三氮唑、0. 05~0. 15wt% 的羥基琥珀酰亞胺、0. 10~0. 20wt%的乙二酸，和余量的水組成。鈍化處理的溫度為60~ 80°C，處理時間為4~20秒。表1給出了幾個非限定性的具體實例和對比例。
[0019]表1
[0020]
[0021] 在表1中，鈍化處理的溫度均為65°C，處理時間為10秒。其中，"/"表示不添加該 組分，EDTA代表乙二胺四乙酸。
[0022] 將經(jīng)過表1處理的銅箔放置于溫度為80°C的恒溫箱中，測量其經(jīng)過10d、20d和 30d的增重量，并觀察其表面情況，其結(jié)果如表2所示。
[0023]表 2 單位為mg/dm2
[0025] 實施例2關(guān)于熱浸鍍錫
[0026] 常規(guī)的浸鍍錫通常采用純錫、或錫鉛合金。然而純錫浸鍍層在高溫下耐蝕性較差， 而在零度以下的低溫環(huán)境下其與銅的粘結(jié)性變差，容易發(fā)生脫落，甚至會發(fā)生粉化現(xiàn)象。而 出于環(huán)保因素，鉛的使用受到限制甚至禁止。在本實施例中，通過在錫中同時添加少量的Ge 和Ni不僅可以防止低溫下的粉化或涂層脫落現(xiàn)象，而且還能提高鍍層的均勻性，另外也提 高了其耐高溫性能。具體來說，熱浸錫在浸錫爐中操作，為了防止氧化，在氮氣條件下進行， 熱浸鍍溫度控制在280~285°C;熱浸鍍的鍍液為：0. 05~0. 50wt%的Ge、0. 15~0. 50wt% 的Ni，和余量的Sn;鍍錫層的厚度為10ym。
[0027] 實施例3
[0028] 在本發(fā)明中，使用無鹵的絕緣護套，為了保證其在高溫和低溫條件下的穩(wěn)定性和 耐久性。本發(fā)明采用了ABS樹脂改性的聚乙烯護套。在本實施例中所述護套的原料組成為： 8. 0~10.Owt%的ABS樹脂、3. 0~5.Owt%的Et-MAH-丙烯酸樹脂、2. 5~3. 5wt%的苯乙 烯-丁二烯-馬來酸酐共聚物、12~15wt%的碳酸鈣、2. 0~2. 5wt%的三氧化二銻、I. 0~ I. 5wt%的氧化鎂、0. 5~I.Owt%的乙酰氧基硅烷、0. 5~I.Owt%的三稀丙基異氰脲酸醋、 1. 5~2.Owt%的潤滑劑、0. 10~0. 30wt%的抗氧劑，和余量的高密度聚乙烯。在本實施例 中通過添加少量的三烯丙基異氰脲酸酯和乙酰氧基硅烷，保證了聚乙烯和ABS的相容賦予 了其良好的機械性能，以及耐高低溫性能。將上述組分按照配比加入混料機中攪拌混合均 勻，然后將混合均勻后的物料送入帶有強制喂料系統(tǒng)的雙螺桿擠出機中塑化擠出，進行造 粒，其中螺桿各區(qū)溫度為120~150°C。作為非限制性的例子，所述乙酰氧基硅烷可以選擇 甲基三乙酰氧基硅烷。
[0029] 表3給出了幾個非限定性的具體實例和對比例。
[0030] 表3 (單位為wt% )
[0031]

[0033] 在表3中所述ABS樹脂牌號為奇美PA709S。高密度聚乙烯的牌號為中國石油化工 股份有限公司的1600J。
[0034] 表3各實例以及比較例制備的絕緣護套料的性能檢測數(shù)據(jù)如表4所示。
[0035]表 4
[0036]
[0037] 實施例4
[0038] 本實施例示例性地給出了一種采用本發(fā)明的方案制備的非限定性的電纜實例。 在本實施例中，內(nèi)導體采用直徑為I. 05mm的裸銅線；絕緣層采用聚乙烯發(fā)泡層，其外徑為 3. 15mm;銅箔縱包層的厚度為0? 05mm，并且銅箔經(jīng)過了實施例1所述的鈍化處理；銅編織 層，編織密度為99.0%，然后采用實施例2的方法進行熱浸錫，整體鍍錫銅編織的外徑為 3. 55mm;護套為實施例3制備的無鹵護套，外徑為4. 50mm。當信號頻率為0? 01~3.OGHz 時，該電纜的衰減在0. 05~0. 20dB/m之間，傳輸延時小于I. 20ns/m。
[0039] 對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，應(yīng)當理解可以在不脫離本發(fā)明公開的范圍以 內(nèi)，可以采用等同替換或等效變換形式實施上述實施例。本發(fā)明的保護范圍并不限于具體 實施方式部分的具體實施例，只要沒有脫離發(fā)明實質(zhì)的實施方式，均應(yīng)理解為落在了本發(fā) 明要求的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，為同軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電纜由內(nèi)至外依 次為內(nèi)導體、絕緣層、銅箔縱包層、銅編織層、鍍錫層，和護套層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，其特征在于：所述絕緣層為聚 烯烴發(fā)泡絕緣層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，其特征在于：所述銅箔縱包層 的厚度為0.03~0? 15mm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，其特征在于：所述銅箔經(jīng)過鈍 化處理形成有鈍化層；作為優(yōu)選地所述鈍化層的厚度為30~100埃。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，其特征在于：所述鈍化處理的 鈍化液由〇? 05~0? 30wt%的苯并三氮唑、0? 05~0? 15wt%的羥基琥珀酰亞胺、0? 10~ 0. 20wt%的乙二酸，和余量的水組成。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，其特征在于：鈍化處理的溫度 為60~80°C，處理時間為4~20秒。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，其特征在于：所述鍍錫層在氮 氣氣氛下進行，熱浸鍍溫度為270~300 °C。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，其特征在于：熱浸鍍的鍍液為： 0? 05 ~0? 50wt% 的 Ge、0. 15 ~0? 50wt% 的 Ni，和余量的 Sn。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，屬于同軸電纜的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜，為同軸結(jié)構(gòu)；所述電纜由內(nèi)至外依次為內(nèi)導體、絕緣層、銅箔縱包層、銅編織層、鍍錫層，和護套層。本發(fā)明的超低損耗耐高溫低互調(diào)電纜使用裸銅帶縱包、不僅耐蝕性好，而且提高了屏蔽性；能夠保持完好的裸銅較好的導電率，從而大大降低了電纜的損耗。
【IPC分類】H01B7/17, H01B13/00, H01B7/29, H01B13/26, H01B7/28
【公開號】CN104966563
【申請?zhí)枴緾N201510443313
【發(fā)明人】陳永健, 沈江華, 劉中華, 潘照紅, 范偉聰
【申請人】江蘇亨鑫科技有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年7月24日