電纜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種用于傳輸高頻交流電功率的電纜。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)地，作為用于傳輸高頻交流電功率的電纜，提出一種包括磁屏蔽部的電纜(例如，參見專利文獻(xiàn)I)。在專利文獻(xiàn)I中描述的電纜中，具有互不相同的相位的一對(duì)電線的外部由磁屏蔽部覆蓋以減少磁泄露，在傳輸高頻交流電功率時(shí)磁泄露是特別突出的問題。
[0003]引用列表
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)I:JP 10-116519 A

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]技術(shù)問題
[0007]然而，在專利文獻(xiàn)I中描述的電纜中，如圖4A所示，設(shè)置磁屏蔽部104使得磁通B在電線102與電線103之間聚集，這引起了如下問題:由于鄰近效應(yīng)，與圖4B所示的不設(shè)置磁屏蔽部的構(gòu)造相比，易于載流的區(qū)域V的截面面積更小，并且高頻阻抗增加。
[0008]本發(fā)明的目的是提供一種能夠減少泄露磁通并且限制高頻阻抗增加的電纜。
[0009]解決問題的方案
[0010]根據(jù)本發(fā)明的電纜是一種電纜，其設(shè)置有磁屏蔽部，并且具有傳輸交流電功率的一對(duì)電線，所述電纜包括:第一電線，該第一電線作為所述一對(duì)電線的第一側(cè)，具有多個(gè)第一導(dǎo)線；以及第二電線，該第二電線作為所述一對(duì)電線的第二側(cè)，具有多個(gè)第二導(dǎo)線。所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線在所述電纜的周向上交替地布置并且環(huán)狀地安置。
[0011]根據(jù)上述本發(fā)明，通過設(shè)置磁屏蔽部，減少了泄露磁通。并且，通過交替地布置具有互不相同的相位的第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，每個(gè)導(dǎo)線都與具有另一相位的兩個(gè)導(dǎo)線相鄰。因此，與其中每個(gè)導(dǎo)線都與具有另一相位的一個(gè)導(dǎo)線相鄰的構(gòu)造相比，進(jìn)一步防止了磁通聚集，并且進(jìn)一步限制了鄰近效應(yīng)。
[0012]此時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明的電纜中，所述第一導(dǎo)線的數(shù)量和所述第二導(dǎo)線的數(shù)量優(yōu)選地分別為兩個(gè)。
[0013]根據(jù)該構(gòu)造，由于由環(huán)狀地安置的導(dǎo)線所包圍的空間的截面面積最小化，所以電線在整體電纜的截面面積中的占空比較高，并且在確保電線的截面面積的同時(shí)能夠縮短電纜的外徑。并且，能夠最大程度簡化其中每個(gè)導(dǎo)線都與具有另一相位的兩個(gè)導(dǎo)線相鄰的構(gòu)造。
[0014]并且，在根據(jù)本發(fā)明的電纜中，所述第一電線的端部優(yōu)選地設(shè)置有第一端子，該第一端子具有與所述第一導(dǎo)線的對(duì)置方向和所述電纜的軸向平行的第一端子表面，所述第二電線的端部優(yōu)選地設(shè)置有第二端子，該第二端子具有與所述第一端子表面平行的第二端子表面，其中所述兩個(gè)第一導(dǎo)線優(yōu)選地在軸向上延伸，并且共同地連接到所述第一端子，并且所述兩個(gè)第二導(dǎo)線優(yōu)選地在與所述第二端子表面平行的平面內(nèi)彎曲，在所述軸向上延伸以避免與所述第一端子干涉，并且共同地連接到所述第二端子。
[0015]根據(jù)該構(gòu)造，由于第一端子表面與第二端子表面互相平行，所以能夠簡化到外部的連接結(jié)構(gòu)。并且，由于第一導(dǎo)線在軸向上直線地延伸，并且連接到第一端子，所以兩個(gè)第一導(dǎo)線能夠具有相等長度尺寸。并且，由于第二導(dǎo)線在平行于第二端子表面的平面內(nèi)彎曲，并且在軸向上延伸，所以兩個(gè)第二導(dǎo)線能夠具有相等長度尺寸。防止了分別在第一電線和第二電線中產(chǎn)生循環(huán)電流。此時(shí)，各個(gè)第一導(dǎo)線和各個(gè)第二導(dǎo)線之間的長度尺寸的差異不導(dǎo)致循環(huán)電流。
[0016]此外，在根據(jù)本發(fā)明的電纜中，所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線的各自的外周均優(yōu)選地設(shè)置有絕緣被覆。
[0017]根據(jù)該構(gòu)造，由于絕緣被覆確保各個(gè)第一導(dǎo)線與各個(gè)第二導(dǎo)線的之間的距離，所以能夠確保導(dǎo)線之間的絕緣，并且能夠進(jìn)一步限制磁通的聚集。
[0018]發(fā)明的有益效果
[0019]利用根據(jù)本發(fā)明的上述電纜，提供了一種磁屏蔽部，其能夠降低磁通泄漏，并且磁通被分散，并且限制了鄰近效應(yīng)，以能夠防止高頻阻抗的增加。
【附圖說明】
[0020]圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電纜的截面圖，并且圖1B是示出其磁通的截面圖。
[0021 ]圖2A是示出電纜的端子結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，并且圖2B是截面圖。
[0022]圖3是示出電纜和傳統(tǒng)電纜的高頻阻抗的頻率依賴性的曲線圖。
[0023]圖4A和4B是示出傳統(tǒng)電纜的截面圖。
[0024]參考標(biāo)記列表
[0025]I 電纜
[0026]2 第一電線
[0027]3 第二電線
[0028]4 絕緣被覆
[0029]6 磁屏蔽部
[0030]21 第一導(dǎo)線
[0031]22 第一端子
[0032]22b 第一端子表面
[0033]31 第二導(dǎo)線
[0034]32 第二端子
[0035]32b 第二端子表面
【具體實(shí)施方式】
[0036]下文中，將基于附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0037]圖1A和IB是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電纜I的截面圖。圖2A和2B示出電纜I的端子結(jié)構(gòu)。圖2A是側(cè)視圖，而圖2B是I1-1I截面圖。圖3是示出電纜I和傳統(tǒng)電纜的高頻阻抗的頻率依賴性的曲線圖。圖4A和4B是示出傳統(tǒng)電纜的截面圖。雖然在圖1A、1B、4A和4B各圖中示出某一瞬間的電流和磁通的方向，但是在本實(shí)施例中由于電流是交流的所以方向和大小每秒都是變化的。
[0038]在圖1A至2B中，電纜I是將諸如電源裝置和匹配裝置這樣的器件連接到用于無線供電的線圈以傳輸高頻交流電功率的電纜，并且該電纜I被構(gòu)造成包括:第一電線2，其作為將器件的一側(cè)連接到線圈的一側(cè)的電線；第二電線3，其作為將器件的另一側(cè)連接到線圈的另一側(cè)的電線；絕緣被覆4，其覆蓋分別構(gòu)成第一電線2和第二電線3的第一導(dǎo)線21和第二導(dǎo)線31 ;內(nèi)護(hù)套5，其捆束第一電線2和第二電線3 ;磁屏蔽部6，其設(shè)置在內(nèi)護(hù)套5的外側(cè)；以及外屏蔽部7，其設(shè)置在磁屏蔽部6的外側(cè)。
[0039]此處，在本實(shí)施例中，圖1A和IB中的左右方向稱為X方向，圖1A和IB中的上下方向稱為Y方向，并且圖2A中的左右方向(電纜的軸向)稱為Z方向。同樣，圖2A中的左側(cè)(連接到器件的一側(cè))稱為Z方向器件側(cè)，而右側(cè)(連接到線圈的一側(cè))稱為Z方向線圈側(cè)。
[0040]第一電線2構(gòu)造成包括:兩個(gè)第一導(dǎo)線21 ;以及第一端子22，兩個(gè)第一導(dǎo)線21在Z方向器件側(cè)上的端部處連接到該第一端子22。每個(gè)第一導(dǎo)線21都是例如用于減小高頻阻抗的利茲線(litz wire)。
[0041]第二電線3構(gòu)造成包括:兩個(gè)第二導(dǎo)線31 ;以及第二端子32，第二導(dǎo)線31在Z方向器件側(cè)上的端部處連接到第二端子32。每個(gè)第二導(dǎo)線31都是例如用于減小高頻阻抗的利茲線。
[0042]對(duì)于絕緣被覆4，徑向上的厚度被設(shè)定成能夠承受電線間的電壓，并且覆蓋相鄰導(dǎo)線的各被覆互相緊靠。
[0043]內(nèi)護(hù)套5由樹脂制成，形成為使電纜I具有圓形截面以保持由絕緣被覆4覆蓋的第一導(dǎo)線21與第二導(dǎo)線31之間的位置關(guān)系，并且該內(nèi)護(hù)套5被設(shè)置成確保每個(gè)導(dǎo)線21和31與磁屏蔽部6之間的預(yù)定的分隔尺寸。
[0044]磁屏蔽部6由具有高導(dǎo)磁率的材料制成，并且覆