g、Rh、Au、Ir、Pt、W或者Au中的至少一種或者多種混合物材料，但是實施方案不限于所述材料。絕緣層130可包括Si02、Si3N4、Al2O3或者T12，但是實施方案不限于此。
[0028]在第一電極180的一部分上形成第一墊182?？商峁┮粋€第一墊或者多個墊。
[0029]在第二電極層150和絕緣層130上形成第二電極160。在第二電極160和絕緣層130上形成第一電極層170。
[0030]第一電極層170與第一電極180在絕緣層130上垂直交疊。第二電極160與第一電極180在絕緣層130上垂直交疊。絕緣層130、第二電極160和第一電極層170的一部分在第一電極180上彼此垂直交疊。
[0031]第二電極層150可在第二電極160和有源層140之間局部地形成或者可在有源層140的整個上表面上形成。
[0032]第一電極層170可包括透射性電極材料和/或反射性電極材料。電極材料可包括透射性電極層、反射性電極層和電極結(jié)構(gòu)中的至少一種。透射性電極層可包括絕緣材料或者導(dǎo)電材料，選擇性地包括氧化物和氮化物之一。透射性電極層可包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、氮化IZO(IZON)、ZnO, IrOx,Ru0x、Ni0、Ti0x和Sn02中的至少一種，但是實施方案不限于此。第一電極層170以包括金屬例如Au或者Al的薄膜形式提供，從而可透過光。反射性電極材料可包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 或者其組合。
[0033]第二電極層150和第一電極層170中的至少一個可包括具有Al、Ag、Pd、Rh或者Pt的反射層。在這種情況下，當(dāng)通過倒裝方案安裝芯片時，可改善反射效率。
[0034]第二電極160的一部分具有臂形或者分支結(jié)構(gòu)，并且在第二電極層150和絕緣層130上形成。第二電極160可通過第二電極層150與有源層140連接。
[0035]第一墊182可通過第一電極層170的開口 192在第一電極180上形成。第二墊162可在第二電極160上形成，第二墊162的一部分在第一電極層170上形成，并且與第二電極160垂直交疊。
[0036]第二墊162和第二電極160可包括至少一層，所述層包括Ag、Ag合金、N1、Al、Al合金、Rh、Pd、Ir,Ru,Mg, Zn、Pt、Au和Hf中的至少一種或者其混合物，但是實施方案不限于此。
[0037]在第二電極160上提供第一電極層170，由此防止第二電極160剝離。此外，提供第一電極180/絕緣層130/第二電極160/第一電極層170的堆疊結(jié)構(gòu)，使得第一電極180和第二電極160的一部分可彼此垂直交疊。發(fā)光器件100防止發(fā)光面積減小，由此改善外部量子效率。
[0038]反射性電極層120有效提高了第一電極180與導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間的電流擴(kuò)散，并且反射性電極層120具有的反射特性，能改善反射效率，有效提高了發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
[0039]雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括: 襯底(110)； 反射性電極層(120)，設(shè)置在所述襯底(110)上； 導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(130)，設(shè)置在所述反射性電極層(120)上； 第一電極(180)，設(shè)置在所述反射性電極層(120)上且與所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(130)不接觸； 覆蓋所述第一電極(180)的絕緣層(190); 設(shè)置在所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(130)上的有源層(140)和設(shè)置在所述有源層(140)上的第二電極層(150)； 設(shè)置在所述第二電極層(150)和所述絕緣層(190)上的第二電極(160)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括在所述第二電極(160)上的第一電極層(170)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極層(170)形成在所述絕緣層(190)和所述第二電極層(150)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極(160)的一部分與設(shè)置于所述絕緣層(190)下的所述第一電極(180)交疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括與所述第二電極(160)連接并設(shè)置于所述第二電極層(150)上的至少一個第二墊(162)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極層(170)的一部分設(shè)置于所述第二電極(160)和所述第二墊(162)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述絕緣層(190)包括開口(192)以暴露出所述第一電極(180)的一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括在所述開口(192)中暴露出的所述第一電極(180)上的第一墊(182)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述開口(192)形成于所述絕緣層(190)和所述第一電極層(170)中。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第二墊(162)與所述第二電極(160)、所述第一電極層(170)直接接觸。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光器件，包括：襯底(110)；反射性電極層(120)，設(shè)置在所述襯底(110)上；導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(130)，設(shè)置在所述反射性電極層(120)上；第一電極(180)，設(shè)置在所述反射性電極層(120)上且與所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(130)不接觸；覆蓋所述第一電極(180)的絕緣層(190)；設(shè)置在所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(130)上的有源層(140)和設(shè)置在所述有源層(140)上的第二電極層(150)；設(shè)置在所述第二電極層(150)和所述絕緣層(190)上的第二電極(160)。本發(fā)明利用反射性電極層有效提高了第一電極與導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的電流擴(kuò)散，并且反射性電極層具有的反射特性，能改善反射效率，有效提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【IPC分類】H01L33-38, H01L33-40
【公開號】CN104868031
【申請?zhí)枴緾N201510167357
【發(fā)明人】周革革
【申請人】武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月9日