一種發(fā)光器件的制作方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。
【背景技術】
[0002]LED (發(fā)光二極管)是將電流轉化成光的半導體器件。發(fā)射光的波長基于所用的半導體材料而變化，更具體是基于半導體材料的帶隙而變化。II1-V族氮化物半導體已經廣泛地用于光學器件例如藍色/綠色LED(發(fā)光二極管)、高速開關器件例如MOSFET(金屬半導體場效應晶體管)和HEMT(異質結場效應晶體管)、照明或者顯示裝置的光源等。
[0003]氮化物半導體主要用于LED (發(fā)光二極管)或者LD (激光二極管)，已經持續(xù)進行研宄來改善氮化物半導體的制造工藝或者光效率，包括LED的設計、性能和制造方法的改進。

【發(fā)明內容】

[0004]為了解決上述現有技術存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光器件，包括:襯底；反射性電極層，設置在所述襯底上；導電型半導體層，設置在所述反射性電極層上；第一電極，設置在所述反射性電極層上且與所述導電型半導體層不接觸；覆蓋所述第一電極的絕緣層；設置在所述導電型半導體層上的有源層和設置在所述有源層上的第二電極層；設置在所述第二電極層和所述絕緣層上的第二電極。
[0005]進一步地，所述發(fā)光器件還包括在所述第二電極上的第一電極層。
[0006]進一步地，所述第一電極層形成在所述絕緣層和所述第二電極層上。
[0007]進一步地，所述第二電極的一部分與設置于所述絕緣層下的所述第一電極交疊。
[0008]進一步地，所述發(fā)光器件還包括與所述第二電極連接并設置于所述第二電極層上的至少一個第二墊。
[0009]進一步地，所述第一電極層的一部分設置于所述第二電極和所述第二墊之間。
[0010]進一步地，所述絕緣層包括開口以暴露出所述第一電極的一部分。
[0011 ] 進一步地，所述發(fā)光器件還包括在所述開口中暴露出的所述第一電極上的第一墊。
[0012]進一步地，所述開口形成于所述絕緣層和所述第一電極層中。
[0013]進一步地，所述第二墊與所述第二電極、所述第一電極層直接接觸。
[0014]本發(fā)明利用反射性電極層有效提高了第一電極與導電型半導體層之間的電流擴散，并且反射性電極層具有的反射特性，能改善反射效率，有效提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0015]通過結合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中:
[0016]圖1是根據本發(fā)明的實施例的發(fā)光器件的截面圖。
【具體實施方式】
[0017]以下，將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應用，從而使本領域的其他技術人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預期應用的各種修改。在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度，相同的標號在整個說明書和附圖中可用來表示相同的元件。
[0018]圖1是根據本發(fā)明的實施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0019]參考圖1，根據本發(fā)明的實施例的發(fā)光器件100包括:襯底110、反射性電極層120、導電型半導體層130、有源層140、第二電極層150、第二電極160、第一電極層170、第一電極180、絕緣層190、第一墊182和第二墊162。
[0020]襯底110 可包括 Al203、SiC、S1、GaAs、GaN、Zn0、GaP、InP 和 Ge 中的至少一種。襯底110可用作導電襯底。
[0021]在襯底110上形成反射性電極層120。反射性電極層120由反射性電極材料形成，反射性電極材料例如可包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf或者其組合。
[0022]在反射性電極層120上形成導電型半導體層130。導電型半導體層130包括摻雜有導電摻雜劑的至少一個半導體層，并且包括電極接觸層。當導電型半導體層130是N型半導體層時，導電型半導體層 130 可包括 GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP中的至少一種。導電型半導體層130可包括單層或者多層。當導電摻雜劑是N型摻雜劑時，導電型半導體層130可包括S1、Ge、Sn、Se或者Te。
[0023]在導電型半導體層130上形成有源層140。有源層140可包括II1-V族化合物半導體。有源層140可包括單量子阱結構、多量子阱結構、量子線結構或者量子點結構中的至少一種。有源層140的阱層/勢皇層可包括InGaN/GaN、GaN/AlGaN、或者InGaN/InGaN中的配對結構，但是實施方案不限于此。阱層可包括帶隙低于勢皇層帶隙的材料。
[0024]有源層140由具有取決于發(fā)出的光的波長的帶隙的材料制成。例如，在波長為460?470nm的藍色光的情況下，有源層140具有包括InGaN阱層/GaN勢皇層的單量子阱結構或者多量子阱結構。有源層140可選擇性地包括能夠提供可見射線頻帶的光例如藍色光、紅色光和綠色光的材料，所述材料可在實施方案技術范圍內進行改變。
[0025]在有源層140上形成第二電極層150。第二電極層150可包括透射性電極材料和/或反射性電極材料。電極材料可包括透射性電極層、反射性電極層和電極結構中的至少一種。透射性電極層可包括絕緣材料或者導電材料，選擇性地包括氧化物和氮化物之一。透射性電極層可包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、氮化IZO (IZON)、ZnO, IrOx, RuOx, N1, T1j^P SnO 2中的至少一種，但是實施方案不限于此。反射性電極材料可包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf或者其組合。
[0026]在反射性電極層120上形成第一電極180，在第一電極180上形成絕緣層190。絕緣層190覆蓋第一電極180，以使第一電極180不與導電型半導體層130、有源層140接觸。在絕緣層190的一部分處形成開口 192。在開口 192中，暴露出第一電極180，并且可形成第一墊182。第一墊182可不形成。在這種情況下，第一電極用作第一墊。
[0027]第一電極180和第一墊182可包括至少一層，所述層包括T1、Al、In、Ta、Pd、Co、N1、S1、Ge、A