存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及布局結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明有關(guān)于一種存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)，尤指一種閃存存儲(chǔ)器元 件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件普遍地使用于各種電子裝置中，舉例而言，非揮發(fā)性半導(dǎo)體存 儲(chǔ)器（non-volatilesemiconductormemory)常用于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、移 動(dòng)計(jì)算裝置、非移動(dòng)計(jì)算裝置及其他裝置中。在非揮發(fā)性（non-volatile)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 中，電可擦除可編程式只讀存儲(chǔ)器巧lectricallyE；ras油leProgramm油leReadOnly Memory,EEPROM)及閃存存儲(chǔ)器（flashmemory)即為最廣泛使用的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ) 器。
[0003] 而隨著半導(dǎo)體制作工藝的進(jìn)步W及元件的縮小，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件面臨到更多的 挑戰(zhàn)。舉例來說，現(xiàn)有閃存存儲(chǔ)器單元胞包含一存儲(chǔ)柵極（memorygate),W及一與該存儲(chǔ) 柵極她鄰的選擇柵極（selectgate)。隨著元件與制作工藝容忍度（processwindow)的縮 小，選擇柵極與接觸插塞之間的不對準(zhǔn)（misalignment)問題益發(fā)影響元件的表現(xiàn)，甚至導(dǎo) 致閃存存儲(chǔ)器元件的失效。另外，當(dāng)選擇柵極為一間隙壁型態(tài)的選擇柵極時(shí)，其具有一傾斜 且不平坦的表面，因此設(shè)置于選擇柵極上且必須與選擇柵極實(shí)體接觸的接觸插塞不易與此 一表面確實(shí)地接觸，而更引發(fā)了可靠度（reli油ility)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 因此，本發(fā)明之一目的在于提供一種存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)W及布局結(jié)構(gòu)，W 克服接觸插塞與選擇柵極之間的對準(zhǔn)與可靠度等問題。
[0005] 根據(jù)本發(fā)明，提供一種存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，該存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)包含有 多個(gè)第一柵極圖案、多個(gè)第一接觸墊（landingpad)圖案、多個(gè)虛置圖案、多個(gè)第二接觸墊 圖案、W及多個(gè)第二柵極圖案。該等第一接觸墊圖案彼此平行且與該等第一柵極圖案電性 連接。該等虛置圖案與該等第一接觸墊圖案交錯(cuò)排列，而該等第二接觸墊圖案則分別設(shè)置 于一該第一接觸墊圖案與一該虛置圖案之間。另外，該等第二柵極圖案電性連接至該等第 二接觸墊圖案。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明，另提供一種存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含有一基底、 多個(gè)設(shè)置于該基底上的存儲(chǔ)器元件、多個(gè)設(shè)置于該基底上的存儲(chǔ)柵極接觸墊、多個(gè)設(shè)置于 該基底上的虛置柵極、多個(gè)設(shè)置于該基底上的選擇柵極接觸墊、W及多個(gè)分別形成于該等 選擇柵極接觸墊上的選擇柵極接觸插塞。該等存儲(chǔ)器元件分別包含一存儲(chǔ)柵極與一選擇柵 極，該等存儲(chǔ)柵極接觸墊電性連接至該等存儲(chǔ)柵極，該等選擇柵極接觸墊則電性連接至該 等選擇柵極。該等虛置柵極與該等存儲(chǔ)柵極接觸墊為交錯(cuò)設(shè)置，而該等選擇柵極接觸墊則 設(shè)置于一該存儲(chǔ)柵極接觸墊與一該虛置柵極之間。另外，該等選擇柵極接觸墊包含一凹陷 部，該凹陷部的底部具有一平坦表面，而該等選擇柵極接觸插塞是接觸該平坦表面。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明所提供的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)，利用虛置柵極的設(shè) 置，增加選擇柵極接觸墊的制作工藝容忍度，并且使得選擇柵極接觸墊包含一具有平坦表 面的凹陷部，故選擇柵極接觸插塞可接觸該平坦表面而改善存儲(chǔ)器元件的可靠性。
【附圖說明】
[0008] 圖1為本發(fā)明所提供的一存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)的一較佳實(shí)施例的示意圖。
[0009] 圖2為沿圖1中A-A'切線所獲得的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0010] 圖3為沿圖1中B-B'切線所獲得的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0011] 主要元件符號(hào)說明
[0012]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種存儲(chǔ)器兀件的布局結(jié)構(gòu)，包含有： 多個(gè)第一柵極圖案； 多個(gè)第一接觸墊（landing pad)圖案，該多個(gè)第一接觸墊圖案彼此平行且與該多個(gè)第 一柵極圖案電性連接； 多個(gè)虛置圖案，該多個(gè)虛置圖案與該多個(gè)第一接觸墊圖案交錯(cuò)排列； 多個(gè)第二接觸墊圖案，分別設(shè)置于一該第一柵極圖案與一該虛置圖案之間；以及 多個(gè)第二柵極圖案，電性連接至該多個(gè)第二接觸墊圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)虛置圖案與該多個(gè)第一接 觸墊圖案、該多個(gè)第一柵極圖案、該多個(gè)第二接觸墊圖案與該多個(gè)第二柵極圖案電性分離。
3. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)第一柵極圖案為兩兩成 對。
4. 如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器兀件的布局結(jié)構(gòu)，其中一該第一接觸墊圖案與一該成對 的第一柵極圖案電性連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，其中該第一接觸墊圖案的寬度小于該 成對的第一柵極圖案之間的距離。
6. 如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)虛置圖案與該多個(gè)第二接 觸墊圖案分別與一該第一接觸墊圖案對應(yīng)。
7. 如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，還包含多個(gè)第一摻雜區(qū)圖案，分別設(shè) 置于該成對的第一柵極圖案之間。
8. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，還包含多個(gè)第二摻雜區(qū)圖案，分別設(shè) 置于該多個(gè)第二柵極圖案之間。
9. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)第二接觸墊圖案的寬度大 于該多個(gè)第二柵極圖案的寬度。
10. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)虛置圖案的長度小于該 多個(gè)第一接觸墊圖案的長度與該多個(gè)第二接觸墊圖案的長度。
11. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件的布局結(jié)構(gòu)，還包含多個(gè)第一接觸插塞圖案與多 個(gè)第二接觸插塞，分別形成于該多個(gè)第一接觸墊圖案與該多個(gè)第二接觸墊圖案上。
12. -種存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含有： 基底； 多個(gè)存儲(chǔ)器元件，設(shè)置于該基底上，該多個(gè)存儲(chǔ)器元件分別包含有存儲(chǔ)柵極與選擇柵 極； 多個(gè)存儲(chǔ)柵極接觸墊，設(shè)置于該基底上，且電性連接至該多個(gè)存儲(chǔ)柵極； 多個(gè)虛置柵極，設(shè)置于該基底上，該多個(gè)虛置柵極與該多個(gè)存儲(chǔ)柵極接觸墊交錯(cuò)設(shè) 置； 多個(gè)選擇柵極接觸墊，設(shè)置于一該存儲(chǔ)柵極接觸墊與一該虛置柵極之間，且電性連接 至該多個(gè)選擇柵極；以及 多個(gè)選擇柵極接觸插塞，分別形成于該多個(gè)選擇柵極接觸墊上，其中 該多個(gè)選擇柵極接觸墊包含凹陷部，該凹陷部的底部包含一平坦表面，且該多個(gè)選擇 柵極接觸插塞接觸該平坦表面。
13. 如權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)選擇柵極分別與該多個(gè)存 儲(chǔ)柵極相鄰，且相鄰的該多個(gè)選擇柵極與該多個(gè)存儲(chǔ)柵極彼此電性隔離。
14. 如權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)選擇柵極包含一間隙壁型 選擇柵極，且分別包含一斜面。
15. 如權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)存儲(chǔ)器元件分別還包含一 源極區(qū)域與一漏極區(qū)域，該源極區(qū)域與該選擇柵極分別設(shè)置于該存儲(chǔ)柵極的相對兩側(cè)，該 漏極區(qū)域與該存儲(chǔ)柵極分別設(shè)置于該選擇柵極的相對兩側(cè)。
16. 如權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)存儲(chǔ)柵極接觸墊、該多個(gè) 選擇柵極接觸墊、該多個(gè)虛置柵極、該多個(gè)存儲(chǔ)柵極與該多個(gè)選擇柵極包含相同的材料。
17. 如權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包含多個(gè)絕緣層，電性隔離該多個(gè) 存儲(chǔ)柵極接觸墊、該多個(gè)選擇柵極接觸墊以及該多個(gè)虛置柵極。
18. 如權(quán)利要求12的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包含多個(gè)存儲(chǔ)柵極接觸插塞，分別 與該多個(gè)存儲(chǔ)柵極接觸墊電性連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及布局結(jié)構(gòu)，其布局結(jié)構(gòu)包含有多個(gè)第一柵極圖案、多個(gè)第一接觸墊圖案、多個(gè)虛置圖案、多個(gè)第二接觸墊圖案、以及多個(gè)第二柵極圖案。該等第一接觸墊圖案彼此平行且與該等第一柵極圖案電性連接。該等虛置圖案與該等第一接觸墊圖案交錯(cuò)排列，而該等第二接觸墊圖案則分別設(shè)置于一該第一接觸墊圖案與一該虛置圖案之間。另外，該等第二柵極圖案是電性連接至該等第二接觸墊圖案。
【IPC分類】H01L27-115, H01L29-423
【公開號(hào)】CN104810369
【申請?zhí)枴緾N201410031716
【發(fā)明人】陳震, 王獻(xiàn)德, 邱意珊, 程偉
【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2014年1月23日