r>[0023] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024] 圖1~圖3為本發(fā)明的第一實施方式的、包括不同形狀透鏡的LED器件的結(jié)構(gòu)示 意圖；
[0025] 圖4~圖9分別為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式至第六實施方式的LED器件的結(jié)構(gòu)示 意圖。
【具體實施方式】
[0026] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下參照附圖并舉實施例，對 本發(fā)明進一步詳細說明。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種LED器件，包括：基板；位于基板上的芯片；位 于基板上并與芯片隔開設(shè)置的第一透鏡；和可選的設(shè)置在所述基板和所述芯片之間的反光 層。其中，該第一透鏡包括光擴散粒子和反光粒子中的至少一種及發(fā)光粉，且光擴散粒子、 反光粒子及發(fā)光粉各自獨立地設(shè)置在所述第一透鏡的內(nèi)表面、外表面或內(nèi)部。反光層上方 可部分或全部覆蓋有發(fā)光粉層。
[0028] 上述基板可為LED常用的任何基板，沒有特別要求，例如硅基板、鋁基板等。
[0029] 上述第一透鏡可由任何對發(fā)光粉和芯片發(fā)出的光透明的材料制成，例如可為玻 璃、樹脂、光學(xué)塑料或陶瓷等，并可為曲面（如圖1所示）、方形（如圖2所示）或平板狀（如 圖3所示）。所述曲面優(yōu)選為弧形。當(dāng)光擴散粒子、反光粒子及發(fā)光粉設(shè)置在透鏡內(nèi)表面或 外表面時，第一透鏡可為上述材料中的任意一種；當(dāng)光擴散粒子、反光粒子及發(fā)光粉設(shè)置在 透鏡內(nèi)部時，第一透鏡優(yōu)選為玻璃、樹脂或光學(xué)塑料。
[0030] 在上述LED中，第一透鏡可為包圍芯片的半球形或方形，或與芯片平行相對設(shè)置， 其與芯片間的距離為0. l-200mm。
[0031] 上述芯片可為LED中常用的任何芯片，沒有特別要求，例如發(fā)藍光的芯片。
[0032] 上述發(fā)光粉沒有特別限制，其可為LED中可用的任何發(fā)光粉，例如為黃色發(fā)光粉， 例如 Y3Al5Ol2 = Ce3+(YAG)。
[0033] 優(yōu)選的，在本發(fā)明的LED器件中，透鏡中的光擴散粒子的折射率在1.20~2.40 之間。在上述LED器件中，基于第一透鏡的總重量，上述反光粒子、光擴散粒子和發(fā)光粉 的含量各自獨立地為〇· Olwt %~80wt %、0· 05wt %~80wt %和Iwt %~99wt %，優(yōu)選為 0· Olwt % ~70wt %、0· 05wt % ~70wt % 和 Iwt % ~90wt %。
[0034] 上述光擴散粒子為本領(lǐng)域常用的能夠擴散芯片和發(fā)光粉發(fā)出的光，并能透光的材 料。上述光擴散粒子優(yōu)選具有I. 20~2. 40的折射率。例如玻璃微珠和樹脂微珠，樹脂微 珠具體為環(huán)氧樹脂微珠。為了使芯片發(fā)出的光線在各個方向有效擴散，光擴散粒子的中心 粒徑為〇· 5至lOOOum。若中心粒徑小于0· 5um，則不能有效擴散芯片發(fā)出的光；若中心粒徑 大于lOOOum，則會降低光射出效率。
[0035] 上述反光粒子可為任意能反射光的粒子，優(yōu)選包括A1203、Y 203、Ti02、ZnO、BaS04、 CaCO3和由TiO 2與CaSO 4組成的復(fù)合材料中的一種或多種。所述TiO 2是金紅石型TiO 2或銳 鈦型TiO2。反光粒子的中心粒徑為0.05至lOOOum。具有該中心粒徑的反光粒子能反射芯 片發(fā)出的特定波長的光，并透射其它波長的光。不同的反光粒子反射某一特定波長光所對 應(yīng)的最佳粒徑不同，具體可參見表一。
[0036] 表一
【主權(quán)項】
1. 一種用于提高LED器件光效的反光基板，其特征在于，所述反光基板包括基板；和 設(shè)置在所述基板上且能夠反射由LED器件所反射和/或散射而來的光的反光層； 并且，在所述反光層上布置有發(fā)光粉層，所述發(fā)光粉層能夠被由LED器件所反射和/或 散射而來的光所激發(fā)而發(fā)光。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高LED器件光效的反光基板，其特征在于， 所述反光層設(shè)置在所述基板上的未被芯片覆蓋的部分上；或者 所述反光層形成于所述基板上，使得芯片位于所述反光層上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高LED器件光效的反光基板，其特征在于，所述發(fā)光粉 層部分或全部覆蓋在所述反光層上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的用于提高LED器件光效的反光基板，其特征在于，所 述反光層為氧化鋁層或氧化鈦層，其厚度為0. 5mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的用于提高LED器件光效的反光基板，其特征在于，所 述基板為硅基板或鋁基板，設(shè)置于所述基板上的所述發(fā)光粉層的厚度為〇. 1~3000um。
6. -種LED器件，其特征在于，所述LED器件具有如權(quán)利要求1至7之一所述的用于提 高LED器件光效的反光基板。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED器件，其特征在于，所述LED器件中的芯片設(shè)置于所述反 光基板上，并且在所述反光基板上設(shè)置有包括光擴散粒子和反光粒子中的至少之一以及發(fā) 光粉的、并與所述芯片隔開的第一透鏡。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED器件，其特征在于，所述LED器件還包括位于所述第一透 鏡遠離所述芯片的外側(cè)并與所述第一透鏡隔開設(shè)置的第二透鏡。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED器件，其特征在于，位于所述第二透鏡遠離所述第一透鏡 的外側(cè)并與所述第二透鏡隔開設(shè)置的多層透鏡，且所述多層透鏡彼此隔開設(shè)置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED器件，其特征在于，所述第二透鏡分別包括分別設(shè)置于 所述第二透鏡的外表面、內(nèi)表面或內(nèi)部的所述光擴散粒子和反光粒子中的至少一種以及發(fā) 光粉；所述多層透鏡各自包含設(shè)置于外表面、內(nèi)表面或內(nèi)部的光擴散粒子和反光粒子中的 至少一種和/或發(fā)光粉；其中，所述第一透鏡上的發(fā)光粉的成分可有別于所述發(fā)光粉層中 發(fā)光粉的成分。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于提高LED器件光效的反光基板及LED器件。所述反光基板包括基板；和設(shè)置在所述基板上且能夠反射由LED器件所反射和/或散射而來的光的反光層；并且，在所述反光層上布置有發(fā)光粉層，所述發(fā)光粉層能夠被由LED器件所反射和/或散射而來的光所激發(fā)而發(fā)光。
【IPC分類】H01L33-50, F21K99-00
【公開號】CN104779337
【申請?zhí)枴緾N201510149834
【發(fā)明人】王森, 趙昆, 張明
【申請人】四川新力光源股份有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2012年7月31日
【公告號】CN102437276A, CN102769096A, CN102769096B, EP2784830A1, EP2784830A4, US20140333199, WO2013075654A1