金屬氧化物薄膜晶體管及制備方法、顯示基板和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術領域，并且特別地涉及一種金屬氧化物薄膜晶體管及相應的 制備方法、顯示基板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 伴隨信息技術的不斷發(fā)展，顯示技術作為獲取信息的窗口也得到了飛速發(fā)展。目 前，薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-IXD)已經(jīng)超過陰極射線管（CRT)顯示器，成為全球第一大 顯示器市場。作為當前最為流行的平板顯示器的核心元件，薄膜晶體管（TFT)的性能直接 影響到顯示器的質量。隨著顯示領域中對高PPI (每英寸像素)、高刷新率的日益增加的需 求，對高迀移率材料的開發(fā)成為熱點。常規(guī)的多晶硅薄膜晶體管雖然具有較高的迀移率，但 是其制備工藝復雜、制備成本高，無法滿足大面積生產(chǎn)的要求。另一方面，氧化物薄膜晶體 管適于大面積生產(chǎn)，但是迀移率較低，目前僅為10-30cm 2/Vs，有待進一步提高。
[0003] 已知氧化物薄膜晶體管的迀移率#計算公式可以表述為：
【主權項】
1. 一種金屬氧化物薄膜晶體管，其中在有源層與源極之間、和/或在有源層與漏極之 間存在包含氧缺陷吸除材料的氧缺陷吸除層，所述氧缺陷吸除材料的氧化物的單位體積標 準生成吉布斯自由能大于有源層中的金屬氧化物。
2. 根據(jù)權利要求1的金屬氧化物薄膜晶體管，其中所述氧缺陷吸除層的厚度在100至 3000A的范圍中。
3. 根據(jù)權利要求1的金屬氧化物薄膜晶體管，其中所述氧缺陷吸除材料選自Hf、Ti、 Be、Al、Si和Ca。
4. 根據(jù)權利要求1的金屬氧化物薄膜晶體管，其中所述氧缺陷吸除材料與源極、漏極 材料相同。
5. 根據(jù)權利要求1的金屬氧化物薄膜晶體管，其中所述有源層中的金屬氧化物選自 Zn、In、Sn和Ga的氧化物。
6. 根據(jù)權利要求1的金屬氧化物薄膜晶體管，其中所述有源層中的金屬氧化物包括 金屬氮氧化物。
7. -種顯示基板，包括如權利要求1-6中任一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管。
8. -種顯示裝置，包括如權利要求7中所述的顯示基板。
9. 一種制備金屬氧化物薄膜晶體管的方法，包括以下步驟： 在基板上依次制作柵極層、柵極絕緣層和有源層，并且對每一層進行圖案化工藝處 理； 在有源層上制作包含氧缺陷吸除材料的氧缺陷吸除層； 制作源漏電極層； 對源漏電極層和氧缺陷吸除層進行圖案化工藝處理， 其中，氧缺陷吸除層在有源層與源極之間、和/或在有源層與漏極之間，所述氧缺陷吸 除材料的氧化物的單位體積標準生成吉布斯自由能大于有源層中的金屬氧化物。
10. 根據(jù)權利要求9的方法，還包括在制作源漏電極層之后的退火步驟。
11. 根據(jù)權利要求10的方法，其中所述退火步驟的退火溫度為l〇〇°C-350°C，退火時 間為30-90分鐘。
12. 根據(jù)權利要求9的方法，還包括在結果得到的金屬氧化物薄膜晶體管上方制作鈍 化層的步驟。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管，其中在有源層與源極之間、和/或在有源層與漏極之間存在包含氧缺陷吸除材料的氧缺陷吸除層，所述氧缺陷吸除材料的氧化物的單位體積標準生成吉布斯自由能大于有源層中的金屬氧化物。本發(fā)明還提供了包括所述金屬氧化物薄膜晶體管的顯示基板和包括所述顯示基板的顯示裝置。
【IPC分類】H01L29-786, H01L27-12
【公開號】CN104779299
【申請?zhí)枴緾N201510180005
【發(fā)明人】王美麗
【申請人】京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年4月16日