浸沒(méi)在稀HF溶液中來(lái)除去。
[0037] 隨后，用純化層（409)和（410)分別涂覆正面和背面，如圖4H所示。該些層可W 為例如SiOx、Si化或SiOx/Si化疊層。
[003引最終步驟為施加棚發(fā)射極金屬觸點(diǎn)（411)和磯BSF觸點(diǎn)（412)，如圖41所示。金 屬觸點(diǎn)可直接接觸擴(kuò)散區(qū)，稱為線接觸，或可通過(guò)在純化中制成的開口局部接觸擴(kuò)散區(qū)，稱 為點(diǎn)接觸。
[0039] 用于結(jié)合通過(guò)氧化物滲雜方法來(lái)制造IBC太陽(yáng)能電池的另一個(gè)實(shí)施例示于圖 5A-I中。
[0040] 制造方法可由具有背面巧02)的紋理化n型娃晶片（501)開始，如圖5A所示。背 面（502)可W為平坦的或紋理化的。然后對(duì)晶片進(jìn)行氧化處理，所述氧化處理在晶片的表 面上生長(zhǎng)Si〇2層巧03)，如圖5B所示。可使用熱氧化處理，其通常利用帶有氧化環(huán)境的加 熱的石英管式爐。
[0041] 另選地，氧化物層（503)可由其它方法形成，諸如；（i)熱氧化，（ii)印刷并干燥包 含二氧化娃顆粒的組合物，（iii)化學(xué)氣相沉積，（iv)化學(xué)氧化，（V)蒸汽氧化，（Vi)印刷 并氧化包含娃顆粒的組合物W及（vii)生長(zhǎng)并氧化多孔娃層。在一個(gè)實(shí)施例中，Si〇2層的 厚度為lOnm至lOOnm。
[0042] 就下一步而言，如圖5C所示，將含磯漿料絲網(wǎng)印刷到氧化的背面上，之后進(jìn)行低 溫賠燒，W便從漿料中驅(qū)除溶劑，從而形成圖案化的含磯漿料區(qū)巧04)。然后，將含棚滲雜漿 料絲網(wǎng)印刷到氧化的背面上，之后進(jìn)行低溫賠燒，W便驅(qū)除溶劑，從而形成圖案化的含棚漿 料區(qū)巧05)。沉積滲雜漿料的順序是可互換的。在一個(gè)實(shí)施例中，同時(shí)印刷兩種漿料。其 它方法可代替絲網(wǎng)印刷用于沉積漿料。在一個(gè)實(shí)施例中，含磯漿料和含棚漿料可一起賠燒。 棚和磯印刷物將形成交叉圖案，其在熱驅(qū)入處理之后將形成棚發(fā)射極和磯BSF。
[0043] 在一個(gè)實(shí)施例中，氧化的背面不包含能夠使?jié){料與基板的背面（502)直接接觸的 任何通路或任何通孔。如圖5C所示，含棚漿料和含磯漿料沉積在Si化層上，并且棚和磯在 W下驅(qū)入處理中擴(kuò)散入娃晶片中。
[0044] 下一步為高溫驅(qū)入處理。在一個(gè)實(shí)施例中，所述處理在馬環(huán)境中，在石英管式爐 中進(jìn)行。在高溫步驟期間，棚漿料和磯漿料與氧化物層局部反應(yīng)，形成新的棚源層巧05') 和新的磯源層（504'），所述層到達(dá)下面的娃晶片并局部滲雜W形成棚發(fā)射極（507)和磯 BSF巧06)，如圖抓所示。
[0045] 在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)入處理的溫度為850°C至1000°C。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)入處理 的時(shí)間段為20分鐘至2小時(shí)。
[0046] 下一步是除去氧化層和殘余漿料層，使背面上的棚發(fā)射極（507)和磯BSF(506)暴 露，如圖祀所示。氧化物層可通過(guò)將晶片浸沒(méi)到稀HF溶液中來(lái)除去。
[0047] 然后，用掩膜層（508)覆蓋晶片的背面，如圖5F所示。掩膜層將用作擴(kuò)散阻隔層 并可由Si化制成。掩膜層可由W下方法形成，諸如化學(xué)氣相沉積、絲網(wǎng)印刷包含二氧化娃 的漿料或旋涂包含二氧化娃的液體。然后對(duì)娃晶片進(jìn)行磯擴(kuò)散處理，如在P〇Cl3、N2和02環(huán) 境中在加熱的石英管式爐中進(jìn)行的POCI3擴(kuò)散處理，從而在晶片表面形成n+層巧09)，如圖 5G所示。該n+層為FSF。掩膜層巧08)和來(lái)自磯擴(kuò)散的殘余表面磯娃酸鹽玻璃可通過(guò)將 晶片浸沒(méi)在稀HF溶液中除去，使FSF(509)、棚發(fā)射極（507)和磯BSF(506)暴露，如圖甜所 示。在將棚滲雜的基板用作基板巧01)的情況下，滲雜有與基板501的滲雜劑相同的滲雜 劑的滲雜層（圖5G中的509)可W為P+層。
[0048] 隨后，用純化層（510)和巧11)分別涂覆正面和背面。該些層可W例如為SWx、 SiP^Jx或SiOx/SiP'Jx疊層。
[0049] 最終步驟為施加棚發(fā)射極金屬觸點(diǎn)巧12)和磯BSF觸點(diǎn)巧13)，如圖51所示。金 屬觸點(diǎn)可直接接觸擴(kuò)散區(qū)，稱為線接觸，或可通過(guò)在純化層中制成的開口局部接觸擴(kuò)散區(qū)， 稱為點(diǎn)接觸。
[0化0] 存在沉積含棚漿料和含磯漿料的多種方法。具體地，由于絲網(wǎng)印刷通常在太陽(yáng)能 電池制造中用于正面和背面金屬漿料的沉積，因此其有益于漿料沉積。為了更好的印刷效 率和性能，漿料優(yōu)選為非牛頓流體或剪切致稀流體。
[0051] 非牛頓流體是指流動(dòng)性能不通過(guò)單一的粘度恒定值或流動(dòng)阻力進(jìn)行描述的流體。 剪切致稀是指粘度隨著剪切速率的增加而降低的流體。一般來(lái)講，剪切致稀行為在膠體懸 浮液中觀察到，其中顆粒與它們的表面基團(tuán)的弱流體靜力學(xué)和靜電相互作用趨于增加非動(dòng) 態(tài)力體制中的粘度。添加相對(duì)小的剪切力克服了流體靜力相互作用，并且因此趨于降低流 體的粘度。
[0化2] 因此，漿料的粘度優(yōu)選在高剪切速率下相對(duì)低，W便穿過(guò)絲網(wǎng)圖案，但優(yōu)選在沉積 之前和之后（在低剪切速率或零剪切速率下）相對(duì)高，使得漿液將分別不通過(guò)絲網(wǎng)運(yùn)行或 在基板表面上運(yùn)行。
[0053] 含棚漿料包含棚化合物；聚合物粘合劑；溶劑W及任選地陶瓷化合物。含磯漿料 包含磯化合物；聚合物粘合劑；溶劑；W及任選地陶瓷化合物。
[0054] 棚化合物包括但不限于棚做、氮化棚炬腳、氧化棚化〇3)、棚酸炬伽)3)、碳化棚 炬材、棚娃化物炬251、8351、8451、8651)、棚滲雜的第1￥族納米顆粒（諸如11(3-51:8)、棚化 侶（A1B2)、棚化領(lǐng)炬aBe)、棚化巧（CaBe)、棚化錦（CeBe)、棚化銘（CrB)、棚化鉆（C02B-C0曲、 棚化鋪值yB4、DyBe)、棚化巧巧巧4)、棚化館巧uBe)、棚化亂佑地e)、棚化給化巧2)、棚化狄 OIoBa)、棚化鐵（FesB)、棚化銅（LaBe)、棚化錯(cuò)江地4)、棚化儀（M濁2)、棚化鋪（MnB、MnB2)、棚 化鋼（MoB)、棚化欽（N地6)、棚化鑲（NiB)、棚化魄（NbBs)、棚化錯(cuò)（P^e)、棚化鍊巧曰化)、棚 化衫（SmBe)、棚化軌（ScBs)、棚化鎖（S巧6)、棚化粗燈aBs)、棚化鋪燈bBe)、棚化鎊（TmB4)、棚 化鐵燈iBs)、棚化鶴（WB、W2B、W2B5)、棚化饑（VB2)、棚化鏡州Be)、W及棚化錯(cuò)狂邱、2巧。）。 [0化5] 基于所述漿料的總重量計(jì)，在一個(gè)實(shí)施例中棚化合物介于0. 5和50重量％之間， 并且在另一個(gè)實(shí)施例中，介于1和10重量％之間。
[0056] 磯化合物包括但不限于直鏈磯酸H(0-P0(0H))"0H的鹽，其中n> 1，并且取代基陽(yáng) 離子的量X《n+2 ;環(huán)狀磯酸（O-PO(OH))。的鹽，其中n> 3,并且取代基陽(yáng)離子的量X《n， 磯酸HPO(OH)2的一取代和二取代鹽，W及次磯酸HsPO(OH)的鹽；并且取代基陽(yáng)離子X為錠、 其有機(jī)衍生物、W及金屬陽(yáng)離子，優(yōu)選地A1、Ba、Ca、Ce、Mg、Hf、化、Ti、Zr、La。
[0化7] 基于所述漿料的總重量計(jì)，在一個(gè)實(shí)施例中，磯化合物介于20和90重量％之間， 并且在另一個(gè)實(shí)施例中，介于40和70重量％之間。
[0化引漿料中可包括陶瓷化合物。在高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，使棚和磯擴(kuò)散入基板中，同時(shí)環(huán)境 材料的擴(kuò)散可由陶瓷材料阻止或基本上減少。在一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)與娃基板的相容性選 擇陶瓷化合物。氧化物材料中的一些在升高的溫度下與娃接觸可減少將雜質(zhì)引入晶片中。 [0059]陶瓷化合物包括但不下限于SiN、Si〇2、SiC、Ti〇2、Al2〇3、MgO、CaO、Li2〇、BeO、SrO、 Sc2〇3、Y2O3、La2〇3、Ce〇2、Ce2〇3、Pr2〇3、Nd^Og、Sm2〇3、EuO、Gd^Og、Ta^Os、Tb^Og、Dy2〇3、H〇2〇3、Er2〇3、 Tm2〇3、Yb2〇3、LU2O3、Th〇2、U〇2、ZrOaW及Hf〇2。在一個(gè)實(shí)施例中，陶瓷化合物選自氧