施例的太陽能電池的制備方法進(jìn)行說明。
[0042] 參照圖1及圖2a，在準(zhǔn)備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板的步驟S1中，準(zhǔn)備具有大致平坦 的第一面（下表面）111和作為其相反面的大致平坦的第二面（上表面）112的第一導(dǎo)電型 半導(dǎo)體基板110。例如，半導(dǎo)體基板110可W為P型娃半導(dǎo)體基板。目P，半導(dǎo)體基板110可 W為在娃半導(dǎo)體基板滲雜如元素周期表第13族的元素棚炬）或嫁（Ga)的雜質(zhì)的P型娃半 導(dǎo)體基板。
[0043] 在附圖中，兩條平行的虛線表示半導(dǎo)體基板110中被省略的區(qū)域，而虛線的外側(cè) 區(qū)域表示半導(dǎo)體基板110的邊緣區(qū)域119。
[0044] 參照圖1及圖化，在對光刻膠進(jìn)行圖案化的步驟S2中，在半導(dǎo)體基板110的第二 面112涂敷預(yù)定厚度的光刻膠120,并通過通常的光刻過程對光刻膠120進(jìn)行圖案化。其 中，隨后在半導(dǎo)體基板110的與光刻膠120相對應(yīng)的區(qū)域中形成微米線113,并且隨后在不 與光刻膠120相對應(yīng)的區(qū)域中形成多個納米線114。此外，在該種對光刻膠120進(jìn)行圖案 化的步驟S2之后，可W在半導(dǎo)體基板110的第一面111上形成預(yù)定厚度的保護(hù)層121。該 種保護(hù)層121可W為通常的絕緣層、金屬層及其等同物中的任一個。當(dāng)然，優(yōu)選地，保護(hù)層 121只要是不與下述濕式蝕刻溶液發(fā)生反應(yīng)的材料，就不受限制。
[0045] 并且，該種光刻膠120的平面可W為棋盤形態(tài)或矩陣形態(tài)。目P，在半導(dǎo)體基板110 的四個邊緣區(qū)域119的內(nèi)側(cè)，W多個棋盤形態(tài)或矩陣形態(tài)形成上述光刻膠120。只是，為了 有助于對本發(fā)明的理解，附圖只示出了兩個被圖案化的光刻膠120。
[0046] 參照圖1及圖2c，雖然W下將會詳細(xì)說明，但在無電解蝕刻步驟S3中，通過將半導(dǎo) 體基板110在預(yù)定濃度的濕式蝕刻溶液中浸潰預(yù)定時間，在與未形成有光刻膠120的區(qū)域 相對應(yīng)的半導(dǎo)體基板110的第二面112中形成多個納米線114。如上所述，在與形成有光刻 膠120的區(qū)域相對應(yīng)的半導(dǎo)體基板110的第二面112中形成微米線113。因此，在半導(dǎo)體基 板110的第二面112中形成多個微米線113W及多個納米線114。其中，微米線113意味著 其寬度為微米級，納米線114意味著其寬度為納米級。
[0047] 更具體地，微米線113的寬度可W在約1ym至約3ym的范圍內(nèi)，其高度可W在約 3ym至約5ym的范圍內(nèi)。并且，納米線114的寬度可W在約1皿至約100皿的范圍內(nèi)，其 高度可W在約1ym至約3ym的范圍內(nèi)。然而，該種數(shù)值僅為助于對本發(fā)明的理解的實例， 能夠通過光刻膠120的設(shè)計或調(diào)整濕式蝕刻溶液的濃度及浸潰時間來改變。
[0048] 并且，在無電解蝕刻步驟S3之后，從半導(dǎo)體基板110去除光刻膠120及保護(hù)層 121。當(dāng)然，根據(jù)情況，保護(hù)層121可在滲雜過程之后被去除。
[0049] 并且，由于光刻膠120的平面形態(tài)為棋盤形態(tài)或矩陣形態(tài)，因此，微米線113的平 面形態(tài)也為棋盤形態(tài)或矩陣形態(tài)。換言之，微米線113的平面形態(tài)為多個橫向線和多個縱 向線相互交叉的形態(tài)。
[0化日]參照圖1及圖2d，在滲雜第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的步驟S4中，通過在微米線113及納米 線114滲雜第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，在半導(dǎo)體基板110中形成第二導(dǎo)電型雜質(zhì)滲雜區(qū)域115。良P， 在半導(dǎo)體基板110形成PN接合區(qū)域。例如，諸如元素周期表的15族元素磯（P)、神（As)或 鋪（Sb)的雜質(zhì)可滲雜于微米線113及納米線114。并且，由于滲雜深度可W為約0.5ym， 因而在微米線113中形成福射狀（Radial)形態(tài)的PN接合區(qū)域，整個納米線114基本上成 為N區(qū)域。
[CK)5U因此，該種納米線114并不作為PN接合區(qū)域，而是通過在太陽能電池上增加光入 射的路徑來產(chǎn)生諸如光子囚禁效應(yīng)的量子效應(yīng)，由此增加太陽能電池的效率。
[0052] 另一方面，在利用含有磯（P)的化合物來進(jìn)行滲雜過程的情況下，可在半導(dǎo)體基 板110的表面上形成磯娃酸玻璃（PSG) 116,并且PSG116可W在下一過程中去除。當(dāng)然，在 磯（巧離子直接注入半導(dǎo)體基板110中的情況下，無需上述去除磯娃酸玻璃的過程。
[0化3] 參照圖1及圖2e，在去除磯娃酸玻璃的步驟S5中，借助于通常的蝕刻溶液來去除 包圍半導(dǎo)體基板110的整個表面（上表面、下表面及側(cè)面）的磯娃酸玻璃116。
[0化4] 參照圖1及圖2f，在發(fā)射極蝕刻步驟S6中，半導(dǎo)體基板110的整個表面（上表面、 下表面及側(cè)面）被蝕刻至預(yù)定厚度。尤其，因為形成于半導(dǎo)體基板110的下表面及側(cè)面處 的PN接合區(qū)域通過蝕刻被去除，所W在太陽能電池的工作過程中泄露電流最小化。
[0055] 像該樣，半導(dǎo)體基板110的下表面僅存在例如第一導(dǎo)電型區(qū)域（P型區(qū)域），而在半 導(dǎo)體基板110的上表面存在第二導(dǎo)電型區(qū)域（N型區(qū)域）。
[0化6] 參照圖1及圖2g，在形成第一電極的步驟S7中，在半導(dǎo)體基板110的第一面111上形成第一電極117。例如，將選自侶及其等同物中的一種絲網(wǎng)印刷在半導(dǎo)體基板110的第 一面111上，從而形成第一電極117。其中，第一電極117表示集電極。
[0化7] 參照圖1及圖化，在形成第二電極的步驟S8中，在形成于半導(dǎo)體基板110的第二 面112上的微米線113的表面上形成第二電極118。更準(zhǔn)確地，在形成于微米線113上的第 二導(dǎo)電型雜質(zhì)滲雜區(qū)域115的表面上形成第二電極118。例如，將選自銀及其等同物中的一 個絲網(wǎng)印刷在第二導(dǎo)電型雜質(zhì)滲雜區(qū)域115的表面上，從而形成第二電極118。其中，第二 電極118表示發(fā)射極。
[005引像該樣，本發(fā)明的太陽能電池100包括；第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板110 ;多個微米線 113,其W棋盤形態(tài)或矩陣形態(tài)形成于半導(dǎo)體基板110的上表面上；第二導(dǎo)電型雜質(zhì)滲雜區(qū) 域115,其W在微米線113的表面滲雜第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的方式形成；多個納米線114,其形成 于微米線113的外側(cè)；第一電極117,其形成于半導(dǎo)體基板110的下表面上；W及第二電極 118,其形成于第二導(dǎo)電型雜質(zhì)滲雜區(qū)域115的表面上。
[0化9] 因此，在本發(fā)明的太陽能電池100中，微米線113W棋盤形態(tài)或矩陣形態(tài)形成于一 個半導(dǎo)體基板110上，而并非平板形態(tài)的福射狀形態(tài)的PN接合區(qū)域形成在微米線113中。 由此，隨著PN接合區(qū)域的面積增加，太陽能電池的效率得到提高。并且，在微米線113的周 圍形成多個納米線114。因為納米線114增加入射光的路徑W產(chǎn)生諸如光子囚禁效應(yīng)的量 子效應(yīng)，所W納米線114可進(jìn)一步提高太陽能電池的效率。
[0060] 圖3為依次示出本發(fā)明一實施例的太陽能電池的制備方法中的無電解蝕刻方法 的流程圖。
[0061] 如圖3所示，無電解蝕刻方法包括第一浸潰步驟S21、第二浸潰步驟S22及第=浸 潰步驟S23。
[0062] 圖4a至圖4c為依次示出本發(fā)明一實施例的太陽能電池的制備方法中的無電解蝕 刻方法的部分剖視圖。W下，一同參照圖3來對無電解蝕刻方法進(jìn)行說明。
[0063] 參照圖3及圖4a，在第一浸潰步驟S21中，因為半導(dǎo)體基板110浸潰在硝酸銀 (AgN〇3)溶液及氨氣酸化巧溶液的混合溶液中，所W多個銀粒子123W物理方式與光刻膠 120及半導(dǎo)體基板110的第二面112相結(jié)合。其中，硝酸銀溶液的濃度為約5mM至約15mM， 氨氣酸溶液的濃度為約2mM至約8mM。并且，可W通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)該種溶液的濃度及半導(dǎo)體 基板110的浸潰時間，適當(dāng)?shù)乜刂菩纬捎诎雽?dǎo)體基板110的第二面112上的銀粒子123的 量。
[0064] 參照圖3及圖4b，在第二浸潰步驟S22中，因為如上所述的結(jié)合有銀粒子123的半 導(dǎo)體基板110浸潰在過氧化氨化2〇2)溶液及氨氣酸溶液的混合溶液中，所W在半導(dǎo)體基板 110的第二面112中形成多個納米線114。其中，光刻膠120不與過氧化氨化2〇2)溶液及氨 氣酸溶液的混合溶液發(fā)生反應(yīng)。
[0065] 并且，其中，過氧化氨溶液和氨氣酸溶液的濃度可分別為約2mM至約8mM。并且，該 種浸潰可執(zhí)行大約1分鐘至大約12分鐘。例如，觀察到，在半導(dǎo)體基板110浸潰在上述混 合溶液中約2分鐘時，形成了深度為約2. 5ym的納米線114,當(dāng)半導(dǎo)體基板110浸潰在上述 混合溶液中約6分鐘時，形成了深度為約5ym的納米線114,并且當(dāng)半導(dǎo)體基板110浸潰在 上述混合溶液中約10分鐘時，形成了深度為約7. 5ym的納米線114。
[0066] 雖然，在上述銀粒子123和半導(dǎo)體基板110的接觸區(qū)域中相對較快地進(jìn)行蝕刻的 現(xiàn)象在進(jìn)行進(jìn)一步研究時變得清楚，但本發(fā)明人認(rèn)