[0122]多個光提取部80設置在光學緩沖層40的設置有第二電極20的一側。光提取部80具有不同于光學緩沖層40的折射率的折射率。更具體而言，多個光提取部80設置在第二電極20和光學緩沖層40之間。光提取部80從光學緩沖層40的設置有第二電極20的一側突出到光學緩沖層40中。還通過在這樣的位置設置多個光提取部80，在光學緩沖層40中形成界面40a和40b。
[0123]在光學緩沖層40和光提取部80這兩者中，具有較低的折射率的那個可以被配置成包括，諸如，Si02、LiF、CaF2、MgF2?？闪磉x地，在光學緩沖層40和光提取部80這兩者中，具有較低的折射率的那個可以由諸如空氣、氮氣，以及惰性氣體之類的氣體制成。
[0124]通過設置光提取部80，形成界面40a和40b。在界面40a和40b處發(fā)生折射。
[0125]如圖6A所示，在光學緩沖層40的折射率低于光提取部80的折射率的情況下，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40a處被折射時，使折射角較大。因此，如前所述，對于入射到界面40a的光，可以提高光提取效率。
[0126]另一方面，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40b處被折射時，使入射角較大。然而，如果使界面40b處的折射角較大，則會使反射層50上的入射角較大。因此，對于入射到界面40b的光，可以降低光提取效率。
[0127]S卩，在光學緩沖層40的折射率低于光提取部80的折射率的情況下，優(yōu)選地，使界面40a的面積較大，并使界面40b的面積較小。例如，光提取部80的截面形狀可以是諸如三角形、梯形、半圓形之類的形狀。可另選地，光提取部80的截面形狀可以是矩形，長邊落在界面40a —側。
[0128]如圖6B所示，在光學緩沖層40的折射率高于光提取部80的折射率的情況下，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40a處被折射時，使折射角較小。因此，對于入射到界面40a的光，可以降低光提取效率。
[0129]另一方面，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40b處被折射時，使折射角較小。因此，對于入射到界面40b的光，可以提高光提取效率。
[0130]S卩，在光學緩沖層40的折射率高于光提取部80的折射率的情況下，優(yōu)選地，使界面40a的面積較小，并使界面40b的面積較大。例如，光提取部80的截面形狀可以是矩形，且長邊落在界面40b —側。
[0131]第三實施例
[0132]圖7A到7C是示出了根據(jù)第三實施例的有機電致發(fā)光元件Ic的示意圖。
[0133]這里，圖7A是有機電致發(fā)光元件Ic的示意截面圖。圖7B是示出了在光學緩沖層40的折射率低于光提取部80的折射率的情況下的折射的示意圖。圖7C是示出了在光學緩沖層40的折射率高于光提取部80的折射率的情況下的折射的示意圖。
[0134]如圖7A所示，有機電致發(fā)光元件Ic包括第一電極10、第二電極20、有機發(fā)光層30、光學緩沖層40，反射層50以及光提取部80。此外，類似于如前所述的有機電致發(fā)光元件la，有機電致發(fā)光元件Ic還可以包括第一功能層31和第二功能層32。此外，有機電致發(fā)光元件Ic還可以包括襯底60和微透鏡90。
[0135]多個光提取部80設置在光學緩沖層40的設置有反射層50的一側。光提取部80具有不同于光學緩沖層40的折射率的折射率。更具體而言，多個光提取部80設置在反射層50和光學緩沖層40之間。光提取部80從光學緩沖層40的設置有反射層50的一側突出到光學緩沖層40中。還通過在這樣的位置設置多個光提取部80，在光學緩沖層40中形成界面40a和40b。
[0136]在光學緩沖層40和光提取部80這兩者中，具有較低的折射率的那個可以被配置成包括，諸如，Si02、LiF、CaF2、MgF2?？闪磉x地，在光學緩沖層40和光提取部80這兩者中，具有較低的折射率的那個可以由諸如空氣、氮氣以及惰性氣體之類的氣體制成。
[0137]通過設置光提取部80，形成界面40a和40b。在界面40a和40b處發(fā)生折射。
[0138]如圖7B所示，在光學緩沖層40的折射率低于光提取部80的折射率的情況下，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40a處被折射時，使折射角較小。因此，對于入射到界面40a的光，可以降低光提取效率。
[0139]另一方面，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40b處被折射時，使折射角較小。因此，對于入射到界面40b的光，可以提高光提取效率。
[0140]S卩，在光學緩沖層40的折射率低于光提取部80的折射率的情況下，優(yōu)選地，使界面40a的面積較小，并使界面40b的面積較大。例如，光提取部80的截面形狀可以是矩形，且長邊落在界面40b —側。
[0141]如圖7C所示，在光學緩沖層40的折射率高于光提取部80的折射率的情況下，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40a處被折射時，使折射角較大。因此，對于入射到界面40a的光，可以提高光提取效率。
[0142]另一方面，當在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在界面40b處被折射時，使入射角較大。因此，對于入射到界面40b的光，可以降低光提取效率。
[0143]S卩，在光學緩沖層40的折射率高于光提取部80的折射率的情況下，優(yōu)選地，使界面40a的面積較大，并使界面40b的面積較小。例如，光提取部80的截面形狀可以是諸如三角形、梯形和半圓形之類的形狀?？闪磉x地，光提取部80的截面形狀可以是矩形，且長邊落在界面40a —側。
[0144]第四實施例
[0145]圖8是示出了根據(jù)第四實施例的有機電致發(fā)光元件Id的示意圖。
[0146]如圖8所示，有機電致發(fā)光元件Id包括第一電極10、第二電極20、有機發(fā)光層30、光學緩沖層40，反射層50以及光提取部80。此外，類似于如前所述的有機電致發(fā)光元件la，有機電致發(fā)光元件Id還可以包括第一功能層31和第二功能層32。此外，有機電致發(fā)光元件Id還可以包括襯底60和微透鏡90。
[0147]多個光提取部80設置在光學緩沖層40內(nèi)。光提取部80具有不同于光學緩沖層40的折射率的折射率。多個光提取部80分散在光學緩沖層40內(nèi)。還通過以此方式設置多個光提取部80，在光學緩沖層40中形成界面40a和40b。
[0148]在光學緩沖層40和光提取部80這兩者中，具有較低的折射率的那個可以被配置成包括，諸如，S12, LiF, CaF2, MgF2?？闪磉x地，在使光提取部80的折射率較低的情況下，光提取部80可以由諸如空氣、氮氣以及惰性氣體之類的氣體制成。
[0149]通過設置光提取部80，形成界面40a和40b。在界面40a和40b處發(fā)生折射。此夕卜，多個光提取部80被分散還會導致散射。
[0150]在此情況下，界面40a和40b處的折射類似于圖7B和7C中所示出的那個。
[0151]如果多個光提取部80被分散在光學緩沖層40內(nèi)，則在有機發(fā)光層30中的發(fā)光位置33處生成的光在光學緩沖層40內(nèi)散射，并被引導到襯底60 —側。
[0152]因此，光提取效率可以通過界面40a和40b處的折射以及通過多個光提取部80被分散而產(chǎn)生的散射來改善。
[0153]圖9A和9B是示出了用于形成包括多個光提取部80的光學緩沖層40的方法的示意圖。
[0154]如圖9A所示，預先形成其中分散了多個光提取部80的薄膜狀光學緩沖層40。然后，可以將薄膜狀光學緩沖層40附連第二電極20的與設置有有機發(fā)光層30的一側相反的一側的表面上。
[0155]如圖9B所示，在反射層50的在第二電極20—側的表面上，預先形成其中分散了多個光提取部80的薄膜狀光學緩沖層40。然后，反射層50和光學緩沖層40可以設置在第二電極20的與設置有有機發(fā)光層30的一側相反的一側的表面上。這里，可以通過使用已知蒸發(fā)技術等等，在反射層50的一個表面上形成光學緩沖層40。
[0156]第五實施例
[0157]圖1OA到1E是示出了根據(jù)第五實施例的有機電致發(fā)光元件Ie的示意圖。
[0158]如圖1OA所示，有機電致發(fā)光元件Ie包括第一電極10、第二電極20、有機發(fā)光層30、光學緩沖層40、反射層50、襯底60、襯底61以及密封部70。此外，類似于如前所述的有機電致發(fā)光元件la，有機電致發(fā)光元件Ie還可以包括第一功能層31和第二功能層32。此夕卜，有機電致發(fā)光元件Ie還可以包括微透鏡90。
[0159]襯底61設置為面向襯底60。
[0160]襯底61可以或可以不能透射從有機發(fā)光層30發(fā)出的光。
[0161]反射層50設置在襯底61的在與襯底60相對的一側的表面上。
[0162]如圖1OB和1C所示，空間44設置在反射層50和光學緩沖層40之間。
[0163]這里，圖1OB示出了在如前所述的有機電致發(fā)光元件Id中空間44被進一步設置在反射層50和光學緩沖層40之間的情況。
[0164]圖1OC示出了在如前所述的有機電致發(fā)光元件Ic中空間44被進一步設置在反射層50和光學緩沖層40之間的情況。
[0165]可另選地，如圖1OD和1E所示，空間44設置在反射層50和第二電極20之間。
[0166]這里，圖1OD示出了在如前所述的有機電致發(fā)光元件I中光學緩沖層40由在空間44中填充的氣體構成的情況。
[0167]圖1OE示出了在如前所述的有機電致發(fā)光元件Ib中光學緩沖層40由在空間44中填充的氣體構成的情況。
[0168]如圖1OA所示，密封部70的一個端部側設置成圍繞襯底60的外圍。密封部70的另一端部側設置成圍繞襯底61的外圍。密封部70由，例如，玻璃材料形成。密封部70密封由襯底60、襯底61以及密封部70所限定的空間71。
[0169]例如，向空間71中填充氣體，諸如空氣、氮氣和惰性氣體。
[0170]因此，還向空間44填充氣體。
[0171]如參考圖3所描述的，如果使光學緩沖層的折射率較低，則在外部模式分量L1、襯底模式分量L2，以及薄膜層模式分量L3中的每一個中，可以提高光提取效率。
[0172]一般而言，氣體具有比固體和液體較低的折射率。因此，可以通過進一步在反射層50和光學緩沖層40之間設置由氣體構成的層，或通過從氣體制造光學緩沖層40本身，來改善光提取效率。
[0173]這里，如果反射層50由介電多層膜構成，則可以提高反射率。
[0174]然而，一般而言，通過使用蒸發(fā)技術等等來形成介電多層膜。在形成介電多層膜時的溫度可能會達到損壞構成有機電致發(fā)光元件的有機材料的溫度。因此，如果在光學緩沖層40的與設置有第二電極20的一側相反的一側的表面上形成介電多層膜，則會有損壞光學緩沖層40等等的危險。
[0175]在實施例中，反射層50設置在襯底61上。因此，即使通過使用已知蒸發(fā)技術等等形成由介電多層膜構成的反射層50，也不會有損壞光學緩沖層40等等的危險。
[0176]這會使反射層50能由介電多層膜構成。
[0177]第六實施例
[0178]圖11是示出了根據(jù)第六實施例的有機電致發(fā)光元件If的示意圖。
[0179]如圖11所示，有機電致發(fā)光元件If包括第一電極10、第二電極20、有機發(fā)光層30、光學緩沖層40，反射層50以及