有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（Organic Light Emission Diode)，以下簡稱0LED，具有亮度 高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及 響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯 示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)的OLED發(fā)光裝置，其發(fā)光方向可以從頂部或者底部兩個出光面發(fā)射，通 常而言，這取決于陰極或者陽極的透過率。通常而言，陽極可以采用ITO導(dǎo)電薄膜或者金屬 材料，其透過率從〇%_95%之間可調(diào)，調(diào)節(jié)度高。而陰極則不然，由于陰極需要考慮功函因 素，通常采用金屬材料，其透過率只能在0-60%之間變化，調(diào)節(jié)度低。如果需要制備高亮度 的雙面發(fā)光均勻的OLED發(fā)光裝置，顯然采用金屬陰極難以實現(xiàn)這一目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種有機電致發(fā)光器件，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中OLED器件 難以實現(xiàn)高亮度雙面均勻發(fā)光的問題。
[0005] 本發(fā)明的目的還在于提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，用于制備上述有機 電致發(fā)光器件。
[0006] 為達成上述目的，本發(fā)明的一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽極 層、有機電致發(fā)光單元及陰極層；所述有機電致發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)于陽極層表面上 的空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層；所述陰極層包括依次層疊的第一六硼化鑭（LaB 6)層、 金屬層以及第二六硼化鑭層；所述第一、第二六硼化鑭層的厚度為40-80nm ;所述金屬層的 材質(zhì)為銀（Ag)、錯（A1)、鎂（Mg)或金（Au),所述金屬層的厚度為18-30nm。
[0007] 所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸層的材質(zhì)選自N，N'_二苯 基，州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（咿8)、4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯 基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺（TPD)或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯（MeO-Tro);所述空穴傳輸層的厚 度為20~60nm。
[0008] 所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸層的材質(zhì)選自4, 7-二苯基-鄰菲 咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP);所述電子傳輸層的厚度為20~40nm。
[0009] 所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為發(fā)光材料、或者由主體材料 摻雜相同或不同的所述發(fā)光材料組成的摻雜混合材料；在所述摻雜混合材料中，所述發(fā)光 材料占所述主體材料的重量百分比為5wt%~30wt% ;所述發(fā)光層的厚度為5~30nm。
[0010] 所述發(fā)光材料為突光材料或磷光材料；其中：
[0011] 所述熒光材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙 烯基）-4H-吡喃（DCJTB)、二甲基喹吖啶酮（DMQA)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene) 2,3,6,7-四氫-1，1，7,7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪并[9,9六，16!1]香 豆素（〇5451')，4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0卩￥81)，4,4'-雙[4-(二對甲苯基 氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi). 4, 4'-雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（BCzVBi) 的任意一種或幾種。
[0012] 所述磷光材料選自雙（4,6-二氟苯基吡啶4,02)吡啶甲酰合銥^1印1〇)、雙 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、雙（4, 6-二氟-5-氰基苯基吡 啶-N，C2)吡啶甲酸合銥，（FCNIrpic);二（2'，4'-二氟苯基）吡啶](四唑吡啶） 合銥（FIrN 4),二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、 二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir (piq)2(acac))、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡） 銥（Ir (ppy)2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir (piq)3)或三（2-苯基批陡）合銥 (Ir(ppy)3)中的一種或幾種。
[0013] 所述主體材料選自4,4'_二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、 1,3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N, Ν'-二苯基-N, Ν'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)中的任意一種。
[0014] 所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述陰極層的厚度為70-200nm。
[0015] 所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述基板為聚合物透明薄膜，厚度為0. 1-0. 5_。
[0016] 本發(fā)明的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0017] 提供基板，洗凈、干燥，備用；
[0018] 采用真空蒸鍍技術(shù)在所述基板上制備陽極層；
[0019] 采用真空蒸鍍技術(shù)，在所述陽極層上依次層疊蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳 輸層，完成后獲得有機電致發(fā)光單元；
[0020] 采用真空蒸鍍技術(shù)，在所述電子傳輸層上依次蒸鍍六硼化鑭層、金屬層以及六硼 化鑭層，得到陰極層；
[0021] 待上述制備步驟完成后，即得所述有機電致發(fā)光器件。
[0022] 所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其中，所述六硼化鑭層的厚度為40-80nm ; 所述金屬層的材質(zhì)為Ag、Al、Mg或Au,所述金屬層的厚度為18-30nm。
[0023] 所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其中，所述空穴傳輸層的材質(zhì)選自 乂^-二苯基州州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（咿8)、4,4'，4''-三（^3-甲基 苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（TPD)或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯（MeO-TH));所述空穴 傳輸層的厚度為20~60nm。
[0024] 所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其中，所述電子傳輸層的材質(zhì)選自4, 7-二 苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二 甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP);所述電子傳輸層的厚度為20~40nm。
[0025] 所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為發(fā)光材料、或 者由主體材料摻雜相同或不同的所述發(fā)光材料組成的摻雜混合材料；在所述摻雜混合材 料中，所述發(fā)光材料占所述主體材料的重量百分比為5wt%~30wt% ;所述發(fā)光層的厚度為 5 ~30nm〇
[0026] 所述發(fā)光材料為突光材料或磷光材料；其中：
[0027] 所述熒光材料選自4-(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙 烯基）-4H-吡喃（DCJTB)、二甲基喹吖啶酮（DMQA)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene) 2,3,6,7-四氫-1，1，7,7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪并[9,9六，16!1]香 豆素（〇5451')，4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0卩￥81)，4,4'-雙[4-(二對甲苯基 氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi). 4, 4'-雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（BCzVBi) 的任意一種或幾種。
[0028] 所述磷光材料選自雙（4,6-二氟苯基吡啶4,02)吡啶甲酰合銥^1印1〇)、雙 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、雙（4, 6-二氟-5-氰基苯基吡 啶-N，C2)吡啶甲酸合銥，（FCNIrpic)、二（2'，4'-二氟苯基）吡啶](四唑吡啶） 合銥（FIrN 4)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、 二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir (piq)2(acac))、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡） 銥（Ir (ppy)2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir (piq)3)或三（2-苯基批陡）合銥 (Ir(ppy)3)中的一種或幾種。
[0029] 所述主體材料選自4,4'_二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、 1,3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N, Ν'-二苯基-N, Ν'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)中的任意一種。
[0030] 所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其中，所述陰極層的厚度為70-200nm。
[0031] 所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其中，所述基板為聚合物透明薄膜，厚度為 0. l-〇. Smnin
[0032] 在制備有機電致發(fā)光單元時，所述空穴傳輸層的蒸發(fā)速度為0. 1-lnm/s，所述空穴 傳輸層的蒸發(fā)速度為〇. 01-lnm/s，所述電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0. 1-lnm/s ;制備所述陰 極層時的蒸發(fā)速度為〇. 01-lnm/s。
[0033] 所述真空蒸鍍的真空度為I X 10_5~I X 10_3Pa。
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