件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0038]步驟S110、在玻璃基底10表面電子束蒸鍍制備散射層20。
[0039]散射層20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。散射層20由發(fā)光材料層201和二兀摻雜層202組成，在所述玻璃基底10表面采用熱阻蒸鍍制備發(fā)光材料層201，所述發(fā)光材料層201的材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I，-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中至少一種，在所述發(fā)光材料層201表面通過電子束蒸鍍制備所述二元摻雜層202，所述二元摻雜層202包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的錸的化合物材料，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣(CaO)、氯化鈣(CaCl2)、碳酸鈣(CaCO3)及氟化鈣(CaF2)中至少一種，所述錸的化合物材料選自七氧化二錸(Re2O7)、二氧化錸(ReO2)三氧化錸(ReO3)及氯化錸(ReCl3)中至少一種。
[0040]所述發(fā)光材料層201的厚度為1nm?50nm,所述二元摻雜層202的厚度為50nm?300nmo
[0041]所述二元摻雜層202中所述鈣的化合物材料與所述錸的化合物材料的質(zhì)量比為4:1 ?15:1。
[0042]本實(shí)施例中，玻璃基底10在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時(shí)?10小時(shí)。
[0043]本實(shí)施例中，所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，工作電流為IA?5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為 lnm/s ?10nm/so
[0044]所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0045]步驟S120、在散射層20表面磁控濺射制備陽極30。
[0046]陽極30形成于散射層20的表面。陽極30的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極30的厚度為80nm?300nm，厚度優(yōu)選為10nm0
[0047]本實(shí)施方式中，磁控濺射的加速電壓:300V?800V，磁場約:50G?200G，功率密度:lW/cm2?40W/cm2,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬陰極的蒸鍍速率為lnm/s ?10nm/so
[0048]步驟S130、在陽極30的表面依次蒸鍍形成空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0049]空穴注入層40形成于陽極30的表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nm?80nm,優(yōu)選為40nm。蒸鍍在真空壓力為2X KT3Pa?5X KT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s ?lnm/sο
[0050]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二[4-[N, N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍在真空壓力為2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0051]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為10nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0052]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm?250nm，優(yōu)選為150nm。蒸鍍在真空壓力為2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0053]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nm?1nm,優(yōu)選為0.7nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0054]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Au。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為lOOnm。蒸鍍在真空壓力為2X 10_3Pa?5X 10_5Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0055]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。
[0056]以下結(jié)合具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試電流密度和色度。
[0058]實(shí)施例1
[0059]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Alq3/CaO: Re2O7/1T0/Mo03/NPB/A1 q3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件，本實(shí)施例及以下實(shí)施例中“/”表示層，“:”表示摻雜。
[0060]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃基底上制備散射層，散射層由發(fā)光材料層和二元摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備發(fā)光材料層，材料為Alq3,厚度為12nm，在發(fā)光材料層表面采用電子束蒸鍍制備二元摻雜層，材料為CaO = Re2O7, CaO與Re2O7的質(zhì)量比為5:1，厚度150nm。然后在散射層上制備IT0，厚度為lOOnm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍制備空穴注入層:材料為MoO3，厚度為40nm ;蒸鍍制備空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為40nm ;蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為1nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為10nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF,厚度為1.5nm ;蒸鍍制備陰極,材料為Ag,厚度為140nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0061]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為8X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.3nm/s，金屬的蒸鍍速率為2nm/s。磁控濺射的加速電壓:700V，磁場約:120G，功率密度:250W/cm2。
[0062]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為8X10_5Pa，工作電流為1.5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0063]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為8X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為50W/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0064]請參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Alq3/Ca0:Re207/IT0/MO03/NPB/Alq/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關(guān)系。對比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0065]從圖上可以看到，實(shí)施例1的流明效率都比對比例的要大，實(shí)施例1的流明效率為7.21m/W，而對比例的僅為4.71m/W，而且對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，在陽極與高折射率玻璃基板之間制備的散射層，散射層由發(fā)光材料層和二元摻雜層組成，發(fā)光材料為熒光發(fā)光材料與發(fā)光層的材料一致，可對發(fā)光光色進(jìn)行補(bǔ)充，提高光色純度，有效提高發(fā)光效率，使發(fā)光顏色穩(wěn)定，衰減速度降低，二元摻雜層由鈣的化合物材料和錸的化合物材料組成，鈣的化合物材料有利于光子的散射，鈣的化合物材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)均一性質(zhì)穩(wěn)定，光在晶體中進(jìn)行多次反射后，入射角得以改變，錸的化合物材料的HOMO能級較低，可降低空穴注入層與陽極之間的勢壘，提高空穴注入能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。
[0066]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0067]實(shí)施例2
[0068]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/DCJTB/CaCl2: ReO2/1Z0/Mo03/NPB/ADN/TAZ/Cs2C03/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0069]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層由發(fā)光材料層和二元摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備發(fā)光材料