[0065]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層發(fā)光材料，鋅粉及錸的化合物材料，在玻璃基板表面采用電子束蒸鍍制備散射層，材料為DCJTB: CaCl2: S12, DCJTB，CaCl2與S12的質(zhì)量比為4:2:1，厚度為400nm。然后在散射層上制備IZO，厚度為80nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為8nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為65nm ;蒸鍍電子注入層、材料為Cs2CO3，厚度為1nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0066]磁控派射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa,有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lOnm/s。磁控濺射的加速電壓:300V，磁場(chǎng)約:50G，功率密度:40W/cm2。
[0067]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0068]實(shí)施例3
[0069]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/ADN:CaC03:Si0/AZ0/W03/TCTA/DCJTB/Bphen/LiF/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0070]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；在玻璃基底上制備散射層，散射層發(fā)光材料，鋅粉及錸的化合物材料，在玻璃基板表面采用電子束蒸鍍制備散射層，材料為ADN: CaCO3: S1, AND, CaCO3與S1的質(zhì)量比為10:8:1,厚度為200nm。然后在散射層上制備AZO，厚度為300nm，采用磁控濺射的方法制備。蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為200nm ；蒸鍍電子注入層、材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為10nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0071]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lnm/s。磁控濺射的加速電壓:800V，磁場(chǎng)約:200G，功率密度:lW/cm2。
[0072]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0073]實(shí)施例4
[0074]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/BCzVB1: CaF2: A1203/1T0/V205/NPB/BCzVBi/TPBi/CsN3/A1的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0075]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層發(fā)光材料，鋅粉及錸的化合物材料，在玻璃基板表面采用電子束蒸鍍制備散射層，材料為BCzVB1:CaF2:Al2O3, BCzVBi, CaF2與Al2O3的質(zhì)量比為8:5:1，厚度為350nm。然后在散射層上制備IT0，厚度為150nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為35nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3,厚度為Inm ;蒸鍍陰極,材料為Al,厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0076]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.6nm/s,金屬的蒸鍍速率為6nm/s。磁控派射的加速電壓:600V,磁場(chǎng)約:10G，功率密度:30W/cm2。
[0077]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，電子束蒸鍍的能量密度為25W/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0078]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層包括鈣的化合物材料，鈍化材料及發(fā)光材料，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述鈍化材料選自三氧化鋁、二氧化硅及一氧化硅中至少一種，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層的厚度為200nm ?400nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層中鈣的化合物材料，鈍化材料與發(fā)光材料的質(zhì)量比為(4?10): (2?8):1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8 ?2.2。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層包括鈣的化合物材料，鈍化材料及發(fā)光材料，在所述玻璃基底表面采用電子束蒸鍍制備散射層，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述鈍化材料選自三氧化鋁、二氧化硅及一氧化硅中至少一種，所述發(fā)光材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種； 在所述散射層表面磁控濺射制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物 '及 在所述陽(yáng)極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層的厚度為200nm?lOOnm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層中鈣的化合物材料，鈍化材料及發(fā)光材料的質(zhì)量比為(4?10): (2?8):1。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述玻璃基底的折射率為1.8?2.2。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為1W/cm2?100W/cm2,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s ?10nm/so
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層包括鈣的化合物材料，鈍化材料及發(fā)光材料，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述鈍化材料選自三氧化鋁、二氧化硅及一氧化硅中至少一種，所述發(fā)光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-52, H01L51-54, H01L51-56
【公開號(hào)】CN104659265
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310607339
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平
【申請(qǐng)人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年11月25日