襯底之前在第一襯底中形成對(duì)應(yīng)于像素陣列區(qū)的雜質(zhì)區(qū)，可以通過一次減薄工藝來形成所要形成遮光圖案的溝槽。結(jié)果，可以簡(jiǎn)化工藝同時(shí)提高生產(chǎn)率。
[0070]雖然已經(jīng)參考特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然知道，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本公開的范圍和主旨的情況下，可以進(jìn)行各種修改和改型。
[0071]通過以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0072]技術(shù)方案1.一種圖像傳感器，包括:
[0073]襯底，其包括像素陣列區(qū)和邏輯區(qū)，其中，所述像素陣列區(qū)的表面高于所述邏輯區(qū)的表面；以及
[0074]遮光圖案，其形成在所述邏輯區(qū)的襯底之上，且具有與所述襯底的表面處于基本相同的平面上的表面。
[0075]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的圖像傳感器，其中，所述遮光圖案掩埋在所述邏輯區(qū)的襯底中。
[0076]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的圖像傳感器，還包括:
[0077]阻擋層，其插入在所述遮光圖案和所述襯底之間；
[0078]多個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件，其形成在所述像素陣列區(qū)的襯底中；
[0079]彩色濾光片，其覆蓋所述像素陣列區(qū)且覆蓋所述遮光圖案的一部分；以及
[0080]微透鏡，其布置在所述彩色濾光片之上。
[0081]技術(shù)方案4.一種圖像傳感器,包括:
[0082]襯底，其包括第一區(qū)和第二區(qū)；
[0083]層間電介質(zhì)層，其形成在所述襯底的正面之上；
[0084]溝槽，其形成在所述第二區(qū)的襯底的背面中；以及
[0085]遮光圖案，其填充在所述溝槽中。
[0086]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案4所述的圖像傳感器，其中，所述遮光圖案的表面與所述第一區(qū)的襯底的背面的表面處于基本相同的平面。
[0087]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案4所述的圖像傳感器，其中，所述第一區(qū)和所述第二區(qū)分別包括像素陣列區(qū)和邏輯區(qū)，所述像素陣列區(qū)的襯底比所述邏輯區(qū)的襯底薄。
[0088]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案4所述的圖像傳感器，還包括:
[0089]阻擋層，其插入在所述遮光圖案和所述襯底之間。
[0090]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案7所述的圖像傳感器，其中，所述遮光圖案包括金屬層，所述阻擋層包絕緣層。
[0091]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案6所述的圖像傳感器，還包括:
[0092]多個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件，其形成在所述像素陣列區(qū)的襯底中；
[0093]彩色濾光片，其形成在所述襯底的背面之上以覆蓋所述像素陣列區(qū)且覆蓋所述遮光圖案的一部分；以及
[0094]微透鏡，其布置在所述彩色濾光片之上。
[0095]技術(shù)方案10.—種制造圖像傳感器的方法，包括以下步驟:
[0096]在第一襯底的第一區(qū)中形成雜質(zhì)區(qū)；
[0097]在所述第一襯底的第一區(qū)和第二區(qū)之上形成第二襯底；
[0098]刻蝕所述第一襯底和所述第二襯底來去除所述雜質(zhì)區(qū)，且在所述第二區(qū)的第二襯底中形成溝槽；以及
[0099]形成填充所述溝槽的遮光圖案。
[0100]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案10所述的方法，其中，所述第一襯底具有第一導(dǎo)電類型，所述雜質(zhì)區(qū)具有與所述第一導(dǎo)電類型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類型。
[0101]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案11所述的方法，其中，形成所述雜質(zhì)區(qū)包括以下步驟:
[0102]在所述第一襯底之上形成掩膜圖案以暴露所述第一區(qū)且覆蓋所述第二區(qū)；以及
[0103]通過使用所述掩膜圖案作為離子注入阻擋層來向所述第一襯底離子注入雜質(zhì)。
[0104]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案10所述的方法，其中，所述第二襯底具有與所述第一襯底相同的晶體狀態(tài)、相同的材料和相同的導(dǎo)電類型。
[0105]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案13所述的方法，其中，所述第一襯底的雜質(zhì)摻雜濃度與所述第二襯底的雜質(zhì)摻雜濃度不同。
[0106]技術(shù)方案15.如技術(shù)方案13所述的方法,其中,所述第一襯底包括體娃襯底,所述第二襯底包括娃外延層。
[0107]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案10所述的方法，其中，通過包括濕法刻蝕工藝的減薄工藝來執(zhí)行所述第一襯底和所述第二襯底的刻蝕。
[0108]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案10所述的方法，其中，刻蝕所述第一襯底和所述第二襯底包括以下步驟:
[0109]使用所述雜質(zhì)區(qū)作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述第一襯底；以及
[0110]刻蝕所述第二區(qū)的第二襯底的一部分直到去除所述雜質(zhì)區(qū)，以在所述第二區(qū)的第二襯底中形成所述溝槽。
[0111]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案10所述的方法，其中，形成所述遮光圖案包括以下步驟:
[0112]在包括所述溝槽的所述第二襯底之上形成阻擋層；
[0113]形成遮光圖案以填充所述阻擋層之上的所述溝槽；以及
[0114]執(zhí)行平坦化工藝直到所述第一區(qū)的第二襯底暴露。
[0115]技術(shù)方案19.如技術(shù)方案18所述的方法，其中，所述遮光圖案包括金屬層，所述阻擋層包括絕緣層。
[0116]技術(shù)方案20.如技術(shù)方案10所述的方法，還包括以下步驟:在形成所述第二襯底之后，
[0117]在所述第一區(qū)的第二襯底中形成多個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件；以及
[0118]在所述第二襯底之上形成層間電介質(zhì)層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圖像傳感器,包括: 襯底，其包括像素陣列區(qū)和邏輯區(qū)，其中，所述像素陣列區(qū)的表面高于所述邏輯區(qū)的表面；以及 遮光圖案，其形成在所述邏輯區(qū)的襯底之上，且具有與所述襯底的表面處于基本相同的平面上的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述遮光圖案掩埋在所述邏輯區(qū)的襯底中。
3.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括: 阻擋層，其插入在所述遮光圖案和所述襯底之間； 多個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件，其形成在所述像素陣列區(qū)的襯底中； 彩色濾光片，其覆蓋所述像素陣列區(qū)且覆蓋所述遮光圖案的一部分；以及 微透鏡，其布置在所述彩色濾光片之上。
4.一種圖像傳感器，包括: 襯底，其包括第一區(qū)和第二區(qū)； 層間電介質(zhì)層，其形成在所述襯底的正面之上； 溝槽，其形成在所述第二區(qū)的襯底的背面中；以及 遮光圖案，其填充在所述溝槽中。
5.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中，所述遮光圖案的表面與所述第一區(qū)的襯底的背面的表面處于基本相同的平面。
6.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中，所述第一區(qū)和所述第二區(qū)分別包括像素陣列區(qū)和邏輯區(qū)，所述像素陣列區(qū)的襯底比所述邏輯區(qū)的襯底薄。
7.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，還包括: 阻擋層，其插入在所述遮光圖案和所述襯底之間。
8.如權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中，所述遮光圖案包括金屬層，所述阻擋層包絕緣層。
9.如權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，還包括: 多個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件，其形成在所述像素陣列區(qū)的襯底中； 彩色濾光片，其形成在所述襯底的背面之上以覆蓋所述像素陣列區(qū)且覆蓋所述遮光圖案的一部分；以及 微透鏡，其布置在所述彩色濾光片之上。
10.一種制造圖像傳感器的方法，包括以下步驟: 在第一襯底的第一區(qū)中形成雜質(zhì)區(qū)； 在所述第一襯底的第一區(qū)和第二區(qū)之上形成第二襯底； 刻蝕所述第一襯底和所述第二襯底來去除所述雜質(zhì)區(qū)，且在所述第二區(qū)的第二襯底中形成溝槽；以及 形成填充所述溝槽的遮光圖案。
【專利摘要】一種圖像傳感器，包括：襯底，其包括像素陣列區(qū)和邏輯區(qū)，其中像素陣列區(qū)的表面高于邏輯區(qū)的表面；以及遮光圖案，其形成在邏輯區(qū)的襯底之上，且具有與襯底的表面處于基本相同的平面上的表面。
【IPC分類】H01L27-146
【公開號(hào)】CN104659043
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410455767
【發(fā)明人】金都煥, 金鍾采, 魯景旭, 宋日鎬
【申請(qǐng)人】愛思開海力士有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2014年9月9日
【公告號(hào)】US20150145085