亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

一種光輸出增強(qiáng)的發(fā)光器件及其制備方法_4

文檔序號(hào):8320880閱讀:來源:國(guó)知局
層114和第一透明絕緣層113,形成過孔12。其中,該環(huán)形開口 11成環(huán)狀圍繞在該發(fā)光器件側(cè)面;該過孔12形成在所述第一透明絕緣層113和第二透明絕緣層114之中,可以是一個(gè),也可以是多個(gè)。
[0093]參照?qǐng)D2Η,形成第二導(dǎo)電薄膜202,該第二導(dǎo)電薄202覆蓋于該器件側(cè)面上的第二透明絕緣層114上,并通過所述第二環(huán)形開口 11與第一等電位層115電連接,并且覆蓋于該器件下表面的第二透明絕緣層114上,且通過所述過孔12與第三等電位層117電連接。進(jìn)一步,圖案化該第二導(dǎo)電薄膜202,形成η型電極121。
[0094]參照?qǐng)D21,圖案化所述第二透明絕緣層114,暴露出P型電極122,切割該透明襯底111,形成單個(gè)發(fā)光器件00。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光輸出增強(qiáng)的發(fā)光器件,包括: 透明襯底; 第一發(fā)光功能層,其中,所述第一發(fā)光功能層包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第一有源層和第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層,所述第一源層被設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間; 第二發(fā)光功能層,其中,所述第二發(fā)光功能層包括第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層、第二有源層和第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層,所述第二源層被設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體層和第四半導(dǎo)體層之間;以及 所述第一發(fā)光功能層和第二發(fā)光功能層互相疊置; 以及 第一電極和第二電極,所述第一電極和第二電極被設(shè)置在該發(fā)光器件的同一側(cè)面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其特征在于:所述發(fā)光器件可以包括兩個(gè)以上的發(fā)光功能層,其可以發(fā)出相同和/或不同波長(zhǎng)的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件,其特征在于:其還包括第一等電位層,所述第一等電位層設(shè)置在所述透明襯底與所述第一發(fā)光功能層之間,所述第一等電位層由具有第一導(dǎo)電類型的第一重?fù)浇佑|層和第一透明導(dǎo)電薄膜構(gòu)成;和/或第二準(zhǔn)等電位層,所述第二準(zhǔn)等電位層設(shè)置在所述第一發(fā)光功能層和所述第二發(fā)光功能層之間,所述第二準(zhǔn)等電位層由具有第二導(dǎo)電類型的厚第二重?fù)浇佑|層構(gòu)成;和/或第三等電位層,所述第三等電位層設(shè)置在第二發(fā)光功能層下表面,所述第三等電位層由具有第一導(dǎo)電類型的第三重?fù)浇佑|層和第二透明導(dǎo)電薄膜構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件,其特征在于:所述發(fā)光器件的側(cè)面具有傾斜表面,所述傾斜表面從與透明襯底垂直的面為基準(zhǔn)面以10°?80°的角度傾斜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其特征在于:其還包括第一透明絕緣層和第二透明絕緣層,所述第一透明絕緣層被布置在所述側(cè)面和所述第三等電位層的下表面的一部分上,所述第二透明絕緣層被布置在所述側(cè)面和所述下表面的第一透明絕緣層的一部分之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件,其特征在于:所述第一電極被布置在所述第一透明絕緣層的下表面,所述第二電極被布置在所述第二絕緣層的下表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光器件,其特征在于:所述側(cè)面上的所述第一透明絕緣層與所述第二準(zhǔn)等電位層重合之處具有暴露所述第二準(zhǔn)等電位層的第一環(huán)形開口,該環(huán)形開口圍繞所述側(cè)面,所述第二電極通過所述第一環(huán)形開口與所述第二準(zhǔn)等電位層電連接;和/或所述側(cè)面上的所述第一透明絕緣層和第二透明絕緣層與所述第一等電位層重合之處具有暴露所述第一等電位層的第二環(huán)形開口,該環(huán)形開口圍繞所述側(cè)面,所述第一電極通過所述第二環(huán)形開口與所述第一等電位層電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件,其特征在于:布置于所述第三等電位層上的第一透明絕緣層和第二透明絕緣層具有至少一個(gè)過孔,所述第二電極未覆蓋該過孔,但所述第一電極覆蓋該過孔,并通過該過孔與第三等電位層電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件,其特征在于:所述第三等電位層、第一透明絕緣層、第二透明絕緣層、第一電極和第二電極共同構(gòu)成該發(fā)光器件下表面的全內(nèi)反光鏡;所述發(fā)光器件的側(cè)面、所述側(cè)面上的第一透明絕緣層、第二透明絕緣層和布置在所述第一透明絕緣層上和第二透明絕緣層上的導(dǎo)電薄膜共同構(gòu)成該發(fā)光器件側(cè)面的全內(nèi)反光鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件,其特征在于:所述第一導(dǎo)電類型為P型,所述第二導(dǎo)電類型為η型;或者,所述第一導(dǎo)電類型為η型,所述第二導(dǎo)電類型為P型。
11.一種如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件的制造方法,包括以下步驟: 在原始生長(zhǎng)襯底上生長(zhǎng)發(fā)光器件的外延層,該外延層包括第一導(dǎo)電類型的第一重?fù)浇佑|層,第一發(fā)光功能層,第二導(dǎo)電類型的厚第二重?fù)浇佑|層,第二發(fā)光功能層和第一導(dǎo)電類型的第三重?fù)浇佑|層; 在所述第一導(dǎo)電類型的第一重?fù)浇佑|層上形成第一透明導(dǎo)電薄膜,該第一導(dǎo)電類型的第一重?fù)浇佑|層和第一透明導(dǎo)電薄膜形成第一等電位層; 在透明襯底上覆蓋一層透明介質(zhì)鍵合層; 將覆蓋有透明介質(zhì)鍵合層的透明襯底與所述發(fā)光器件的外延層鍵合在一起; 去除原始生長(zhǎng)襯底; 在所述第一導(dǎo)電類型的第三重?fù)浇佑|層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜,該第一導(dǎo)電類型的第三重?fù)浇佑|層和第二透明導(dǎo)電薄膜構(gòu)成第三等電位層; 以第一等電位層為蝕刻停止層,采用濕法或干法工藝刻蝕出側(cè)面為斜面的發(fā)光器件,該側(cè)面不具有臺(tái)階,該傾斜側(cè)面從與透明襯底垂直的面為基準(zhǔn)面以10°?80°的角度傾斜; 在該發(fā)光器件側(cè)面和下表面沉積第一透明絕緣層; 圖案化所述第一透明絕緣層,去除其與所述第二準(zhǔn)等電位層重合之處,形成第一環(huán)形開口,該環(huán)形開口成環(huán)狀圍繞在該發(fā)光器件側(cè)面; 在該發(fā)光器件側(cè)面和下表面形成第一導(dǎo)電薄膜,該導(dǎo)電薄膜覆蓋于已圖案化的第一透明絕緣層和第一環(huán)形開口上且通過第一環(huán)形開口與第二準(zhǔn)電位層電接觸; 利用光刻工藝,圖案化所述第一導(dǎo)電薄膜,形成第二電極; 在該發(fā)光器件側(cè)面及下表面沉積第二透明絕緣層,該第二透明絕緣層覆蓋于已圖案化的第一透明絕緣層和第二電極之上; 圖案化所述第二透明絕緣層和第一透明絕緣層,在二者與第一等電位層重合之處,形成第二環(huán)形開口,該環(huán)形開口成環(huán)狀圍繞在該發(fā)光器件側(cè)面; 圖案化覆蓋于所述器件下表面的所述第一透明絕緣層和第二透明絕緣層,形成過孔;在該發(fā)光器件側(cè)面和下表面形成第二導(dǎo)電薄膜,該第二導(dǎo)電薄膜覆蓋于已腐蝕出第二環(huán)形開口的第二透明絕緣層上與第一等電位層電連接,以及該第二導(dǎo)電薄膜覆蓋于已腐蝕出過孔的第二透明絕緣層上與第三等電位層電連接; 圖案化該第二導(dǎo)電薄膜,形成第一電極; 圖案化該發(fā)光器件下表面的所述第二透明絕緣層,暴露出第二電極。
【專利摘要】一種光輸出增強(qiáng)的發(fā)光器件,包括:透明襯底,第一發(fā)光功能層,其中,所述第一發(fā)光功能層包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第一有源層和第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層,所述第一源層被設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間,第二發(fā)光功能層,其中,所述第二發(fā)光功能層包括第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層、第二有源層和第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層,所述第二源層被設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體層和第四半導(dǎo)體層之間,以及所述第一發(fā)光功能層和第二發(fā)光功能層互相疊置,以及第一電極和第二電極,所述第一電極和第二電極被設(shè)置在該發(fā)光器件的同一側(cè)面上。進(jìn)一步還提供了一種該發(fā)光器件的方法。該發(fā)光器件不但能夠在最佳電流密度下工作,增強(qiáng)光輸出,而且能節(jié)約生產(chǎn)成本,從而得到性價(jià)比高的發(fā)光器件。
【IPC分類】H01L33-38, H01L33-10, H01L33-08, H01L33-00, H01L33-14
【公開號(hào)】CN104638077
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510028774
【發(fā)明人】沈光地, 馬莉
【申請(qǐng)人】沈光地, 馬莉
【公開日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2015年1月20日
當(dāng)前第4頁(yè)1 2 3 4 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1