P、SiC, ZnO, InP、AlGaN, ZnO, Α1Ν、GaN,AlGaInP及其復(fù)合物和玻璃等透明材料。在所述透明襯底111與第一等電位層115之間進(jìn)一步可設(shè)置透明介質(zhì)鍵合層112，所述透明介質(zhì)鍵合層，可以是是S0G、環(huán)氧樹脂、BCB膠、聚酰亞胺等透明絕緣材料，也可以是ΙΤ0、透明導(dǎo)電膠、導(dǎo)電玻璃等透明導(dǎo)電材料。
[0074]所述第一等電位層115由具有第一導(dǎo)電類型的第一重?fù)诫s接觸層101和第一透明導(dǎo)電薄膜106構(gòu)成，所述第二準(zhǔn)等電位層116由具有第二導(dǎo)電類型的厚重?fù)浇佑|層103構(gòu)成，所述第三等電位層117由第一導(dǎo)電類型的第三重?fù)诫s接觸層105和第二透明導(dǎo)電薄膜107構(gòu)成。所述第一等電位層115，第二準(zhǔn)等電位層116和第三等電位層117平行對置。
[0075]所述第一透明導(dǎo)電薄膜106和第二透明導(dǎo)電薄膜107是由從納米銀絲網(wǎng)線、石墨烯、氧化銦錫(ITO)，高摻雜氧化鋅(ZnO)、碳化硅(SiC)、氧化鋅銦(Z1)、氧化鎵銦(Ga1)、氧化鋅錫(ZTO)、摻鋁氧化鋅(AZO)、摻鎵氧化鋅(GZO)、氧化鎂(MgO)、In4Sn3O12、以及氧化鋅鎂(ZrvxMgxC^O ^ X ^ I)、NiAu構(gòu)成的組中選出的至少一種，所述第一透明導(dǎo)電薄膜106和第二透明導(dǎo)電薄膜107可以是同一種材料，當(dāng)然，也可以是不同種材料。
[0076]所述發(fā)光器件00的側(cè)面具有傾斜表面，該傾斜表面從與透明襯底垂直的面為基準(zhǔn)面以10°?80°的角度傾斜。
[0077]所述發(fā)光器件00還包括第一透明絕緣層113，所述第一透明絕緣層113被布置在所述側(cè)面和所述第三等電位層的下表面的一部分之上。進(jìn)一步地，所述第一透明絕緣層113與第二準(zhǔn)等電位層116重合之處具有暴露所述第二準(zhǔn)等電位層116的第一環(huán)形開口 10，該環(huán)形改口圍繞所述側(cè)面。所述第二電極122被布置在所述第一透明絕緣層113之上，并通過所述第一環(huán)形開口 10和位于第一透明絕緣層113上的第一導(dǎo)電薄膜201與所述第二準(zhǔn)等電位層116電連接。
[0078]進(jìn)一步地，該發(fā)光器件00還包括第二透明絕緣層114，所述第二透明絕緣層114被布置在所述側(cè)面和所述第一透明絕緣層113的下表面的一部分之上，所述第二透明絕緣層114和所述第一透明絕緣層113與所述第一等電位層115重合之處具有暴露出第一等電位層115的第二環(huán)形開口 11。進(jìn)一步地，所述位于該發(fā)光器件00下表面的第一透明絕緣層113和第二透明絕緣層114具有過孔12，該過孔數(shù)量可為I個或多個。所述第二電極122未覆蓋該過孔12，但所述第一電極121覆蓋該過孔12，并通過該過孔12與第三等電位層117電連接。進(jìn)一步地，與所述第一電極121 —體形成的導(dǎo)電薄膜202被布置在所述器件側(cè)面的第二透明絕緣層114之上，并通過第二環(huán)形開口 11于所述第一等電位層115電連接。
[0079]在所示實施例中，優(yōu)選地，第三等電位層117，第一透明絕緣層113，第二透明絕緣層114，第一電極121和第二電極122共同構(gòu)成該發(fā)光器件00下表面的全內(nèi)反光鏡。優(yōu)選地，發(fā)光器件00的側(cè)面，第一透明絕緣層113，第二透明絕緣層114，布置在所述第一透明絕緣層113上的第一導(dǎo)電薄膜201和布置在第二透明絕緣層114上的第二導(dǎo)電薄膜202共同構(gòu)成該發(fā)光器件00側(cè)面的全內(nèi)反光鏡?？蛇x地，所述全內(nèi)反光鏡，分布于發(fā)光器件00的側(cè)面、下表面或其兩者上，由半導(dǎo)體-透明絕緣薄膜-金屬薄膜構(gòu)成，所述半導(dǎo)體，為該發(fā)光二極管自身的半導(dǎo)體材料。因此，在一實施例中，具有所述全內(nèi)反光鏡的發(fā)光器件00可以改變射向側(cè)壁和下表面的光線，縮短光在發(fā)光器件內(nèi)部反射的路程，減小半導(dǎo)體材料對光的吸收，提高發(fā)光器件的出光效率。
[0080]在本實施例中，所述第一電極121為負(fù)電極，所述第二電極122為正電極，反之亦可。當(dāng)在第一電極121與第二電極122之間施加電壓時，由于第一等電位層115，第二準(zhǔn)等電位層116和第三等電位層117具有很高的導(dǎo)電率，相當(dāng)于三個平板電極，電流能均勻注入到發(fā)光功能層102和發(fā)光功能層104，使得電流可以在其內(nèi)部近似垂直流動。因而可以改善有源區(qū)發(fā)光的均勻度，得到光品質(zhì)高的發(fā)光器件。
[0081]進(jìn)一步地，由于所述第一電極121和所述第二電極122都位于與發(fā)光器件00的取光面相對的同一下表面，因此，減少了電極對光的遮擋，提高了光的提取效率，且無需使用金球進(jìn)行壓焊，使用方便，據(jù)此可實現(xiàn)無金線壓焊封裝，從而得到性價比高的發(fā)光器件。
[0082]進(jìn)一步地，由于可采用所述全內(nèi)反光鏡結(jié)構(gòu)，據(jù)此可改變有源區(qū)發(fā)出的射向側(cè)壁和下表面的光線，縮短光在發(fā)光器件內(nèi)部反射的路程，減小半導(dǎo)體材料對光的吸收，進(jìn)一步提高出光效率。
[0083]進(jìn)一步地，當(dāng)在第一電極121和第二電極122之間施加電壓時，該發(fā)光器件00相當(dāng)于兩個發(fā)光二極管并聯(lián)，因而可提高器件發(fā)光強度，得到高效率的發(fā)光器件。
[0084]實施例二
[0085]以下，參照圖2A-2I對本發(fā)明的實施例一涉及的一種高品質(zhì)發(fā)光器件00的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。為簡潔起見，實施例一中已詳細(xì)介紹的材料、結(jié)構(gòu)或參數(shù)在本實施例中不再介紹?？衫斫獾氖牵恍┎皇潜景l(fā)明必須的、且為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的工藝、方法、手段或材料在本實施例中也不再介紹，但并不意味著本發(fā)明排斥該些工藝、方法、手段或材料，其可以包括在本實施例中。
[0086]參照圖2A，在原始生長襯底100上生長發(fā)光器件的外延層，該外延層包括η型重?fù)浇佑|層101，第一發(fā)光功能層102，厚P型重?fù)浇佑|層103，第二發(fā)光功能層104和η型重?fù)浇佑|層105，可以理解的是，在本實施例中，摻雜(或?qū)щ?類型η、P可互換。厚P型重?fù)浇佑|層103構(gòu)成第二準(zhǔn)等電位層116。進(jìn)一步，在η型重?fù)浇佑|層101上形成第一透明導(dǎo)電薄膜106，η型重?fù)浇佑|層101和第一透明導(dǎo)電薄膜106構(gòu)成第一等電位層115，
[0087]參照圖2Β，在透明襯底111上覆蓋一層透明介質(zhì)鍵合層112。
[0088]參照圖2C，將覆蓋有透明介質(zhì)鍵合層112的透明襯底111與所述發(fā)光器件的外延層鍵合在一起。進(jìn)一步，去除原始生長襯底100，在η型重?fù)浇佑|，105上覆蓋第二透明導(dǎo)電薄膜107，η型重?fù)浇佑|層105和第二透明導(dǎo)電薄膜107構(gòu)成第三等電位層。
[0089]參照圖2D，以第一等電位層115為蝕刻停止層，采用濕法或干法工藝刻蝕出側(cè)面為斜面的發(fā)光器件，該傾斜側(cè)面從與透明襯底垂直的面為基準(zhǔn)面以10°?80°的角度傾斜。在該發(fā)光器件側(cè)面和下表面沉積第一透明絕緣層113。
[0090]參照圖2Ε，圖案化所述第一透明絕緣層113，去除與所述側(cè)面第二準(zhǔn)等電位層116重合之處，形成第一環(huán)形開口 10，該環(huán)形開口 10成環(huán)狀圍繞在該發(fā)光器件側(cè)面。
[0091]參照圖2F，形成第一導(dǎo)電薄膜201，形成該第一導(dǎo)電薄膜201的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，包括但不限于蒸發(fā)、濺射或電鍍工藝。該第一導(dǎo)電薄膜201覆蓋于已腐蝕出第一環(huán)形開口 10的第一透明絕緣層113上，并通過第一環(huán)形開口 10與第二準(zhǔn)等電位層116電連接，進(jìn)一步地，利用光刻工藝，圖案化所述第一導(dǎo)電薄膜201，形成P型電極122 ;
[0092]參照圖2G，在該發(fā)光器件側(cè)面及下表面淀積第二透明絕緣層114，所述第二透明絕緣層114覆蓋所述P型電極122。接著，圖案化所述第二透明絕緣層114和第一透明絕緣層113，在所述側(cè)面二者與第一等電位層層115重合之處，形成第二環(huán)形開口 11 ;進(jìn)一步，圖案化所述覆蓋于該發(fā)光器件下表面的第二透明絕緣